1、士兰微“并联结构及其封装结构、并联方法”专利公布

2、华虹宏力“对位标记的布局方法以及集成电路版图”专利公布

3、旗芯微“叉指电容单元和叉指电容阵列”专利获授权

4、飞腾信息“一种芯片封装结构的模型处理方法和相关设备”专利公布

1、士兰微“并联结构及其封装结构、并联方法”专利公布

天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司“并联结构及其封装结构、并联方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118473186A。

本发明提供了一种并联结构，包括并联的N条功率支路，N≥2，每条所述功率支路均包括两个器件类型相同的功率单元，两个所述功率单元的第一端彼此连接，至少两条所述功率支路中的所述功率单元的器件类型不同。本发明将不同器件类型的功率单元并联使用，不同器件类型的功率单元各自发挥自身的优势，达到优化电路性能的目的，使得整个电路效率更高，成本更低，电磁干扰也较小。相应的，本发明还提供了一种并联结构的封装结构及并联方法。

2、华虹宏力“对位标记的布局方法以及集成电路版图”专利公布

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“对位标记的布局方法以及集成电路版图”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471975A。

本申请公开了一种对位标记的布局方法以及集成电路版图，该方法包括：获取第一位置信息，第一位置信息是集成电路版图上对位标记的位置信息，该集成电路版图所应用的器件产品的制作工艺中包含CMP工艺；获取第二位置信息，第二位置信息是集成电路版图上划片槽之间的交叠区域的位置信息；根据第一位置信息和第二位置信息确定划片槽之间的交叠区域中是否存在对位标记；当确定划片槽之间的交叠区域中存在对位标记时，将划片槽之间的交叠区域中的对位标记转移到集成电路版图中的其他区域；重复上述步骤，直至确定划片槽之间的交叠区域中不存在对位标记。通过避免将对位标记摆放在划片槽之间的交叠区域中，降低了CMP工艺过程中负载效应对对位标记的影响。

3、旗芯微“叉指电容单元和叉指电容阵列”专利获授权

天眼查显示，苏州旗芯微半导体有限公司近日取得一项名为“叉指电容单元和叉指电容阵列”的专利，授权公告号为CN118335727B，授权公告日为2024年8月9日，申请日为2024年6月13日。

本发明提供一种叉指电容单元和叉指电容阵列，适用于模数转换器或数模转换器，所述叉指电容单元包括共同位于第一平面的第一电极和第二电极，所述第一电极包括呈条状的第一主极条和从所述第一主极条向第一方向延伸的多个第一叉指条；所述第二电极包括第一部件和第二部件，所述第一部件和所述第二部件均为呈框形的半封闭结构，均具有开口，均包括大致呈平行关系的第一边条、第二边条以及连接所述第一边条与所述第二边条的侧条，所述第二边条向第二方向延伸设有多个第二叉指条，所述第二电极将所述第一电极围设于其中，所述第一叉指条与所述第二叉指条、所述侧条之间一一间隔排布。本发明提升了防辐射的效果。

4、飞腾信息“一种芯片封装结构的模型处理方法和相关设备”专利公布

天眼查显示，飞腾信息技术有限公司“一种芯片封装结构的模型处理方法和相关设备”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118468792A。

本申请公开了一种芯片封装结构的模型处理方法和相关设备，待处理模型包括第一区域和第二区域，第一区域设置有多个第一引脚，第二区域待设置多个第二引脚，该模型处理方法包括：接收处理指令，处理指令包括引脚信息、位置关系信息和属性信息，基于引脚信息，获得至少部分第一引脚的位置信息和属性信息；基于位置关系信息和至少部分第一引脚的位置信息，获得至少部分第二引脚的位置信息；创建至少部分第一引脚的复制品，至少部分第一引脚的复制品的位置信息与至少部分第二引脚的位置信息相同，至少部分第一引脚的复制品的属性信息与至少部分第二引脚的属性信息相同，以减少设计人员的工作量，避免因人为失误而导致出现引脚错误等问题。