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4纳米大战,三星抢先用EUV、拥抱GAAFET

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来源: 精实新闻   发布者:精实新闻
热度28票   时间:2017年11月30日 20:42
晶圆代工之战,7 纳米制程预料由台积电胜出,4 纳米之战仍在激烈厮杀。外媒称,三星电子抢先使用极紫外光(EUV)微影设备,又投入研发能取代“鳍式场效电晶体”(FinFET)的新技术,目前看来似乎较占上风。

Android Authority 报导,制程不断微缩,传统微影技术来到极限,无法解决更精密的曝光显像需求,必须改用波长更短的 EUV,才能准确刻蚀电路图。5 纳米以下制程,EUV 是必备工具。三星明年生产 7 纳米时,就会率先采用 EUV,这有如让三星在 6 纳米以下的竞赛抢先起跑,可望加快发展速度。

相较之下,台积电和格罗方德(GlobalFoundries)的第一代 7 纳米制程,仍会使用传统的浸润式微影技术,第二代才会使用 EUV。

制程微缩除了需拥抱 EUV,也需开发 FinFET 技术接班人。电晶体运作是靠闸极(gate)控制电流是否能够通过,不过晶片越做越小,电流通道宽度不断变窄,难以控制电流方向,未来 FinFET 恐怕不敷使用,不少人认为“闸极全环场效电晶体”(Gate-all-around FET,GAAFET)是最佳解决方案。

今年稍早,三星、格罗方德和 IBM 携手,发布全球首见的 5 纳米晶圆技术,采用 EUV 和 GAAFET 技术。三星路径图也估计,FinFET 难以在 5 纳米之后使用,4 纳米将采用 GAAFET。尽管晶圆代工研发不易,容易遇上挫折延误,不过目前看来三星进度最快。该公司的展望显示,计划最快在 2020 年生产 4 纳米,进度超乎同业,也许有望胜出。



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