先进逻辑制程冲冲冲 5纳米世代在望

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来源: 新电子   发布者:新电子
热度65票   时间:2017年5月11日 04:42
虽然摩尔定律(Moore’s Law)即将失效的说法,基本上已经成为半导体产业的共识,但全球主要晶圆制造/代工厂对于先进制程的发展投入,仍不遗余力。 包含台积电、三星电子(Samsung)、格罗方德(GlobalFoundries)、英特尔(Intel)等重量级晶圆制造/代工厂,均已将10奈米以下制程节点列入其技术发展路线图。

其中,台积电将在2018年正式进入7奈米世代,并于2020年率先进入5奈米制程;三星与英特尔目前则将重心放在10奈米制程上,并预计在2019年下半到2020年间先后进入7奈米制程。

与IBM渊源深厚的格罗方德,其技术发展路线则颇有另辟蹊径的意味。 该公司除了将继续推进标准CMOS的制程技术外,还将全空乏(Fully Depleted, FD)技术列为发展重点。 与标准CMOS制程相比,FD制程最大的优势在于闸极漏电流更低,因此组件的静态功耗可以进一步下降。

不过,FD技术发展上最大的瓶颈在于需要极为庞大的投资,以便将该制程推向量产。 另一方面,由于主要晶圆制造业者都采用CMOS制程,因此FD技术的产能规模恐怕难以跟标准CMOS制程相提并论,这会是FD技术要在市场上与CMOS技术竞争最大的挑战所在。



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