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NAND次级品流窜,冲击标准品价格下跌

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来源: DIGITIMES   发布者:DIGITIMES
热度23票   时间:2018年5月18日 14:15
内存2018年价格走势备受业界关注,尽管市场对于第3季NAND闪存止跌反弹仍抱有期待,但业界指出,第2季淡季效应导致需求低迷,加上次级品大量流窜市面,近期120GB的2.5吋标准品已面临超跌,导致价格混乱,因此第3季价格若短暂回升,也是受到先前超跌的影响;至于DRAM产品相对稳定,但最快11月起NAND DRAM与市场价格将可望双双走跌。

内存模组厂宇瞻科技总经理张家騉表示,NAND闪存跌价主因来自于市场供过于求,但虽然各大原厂纷纷推出3D NAND制程,但良率并未快速拉升,导致未达规格产品近期在大量出现在市面上,但长期来看,随着3D NAND良率拉高,NAND价格终将是一路往下走,未来将逐渐降至0.2美元/ GB的价位。

张家騉进一步指出,以目前的120GB 2.5吋标准品为例,市场价格的确已经跌无可跌,进而导致品质疑虑,且造成其他同业被迫跟进降价的压力,不过NAND闪存价格从过去0.3美元/ GB开始下滑,现在移动至约0:25美元价位,但在良率尚未大幅改善前,若市场报价提前降至0.2美元,将意味着市场价格面临超跌。

尽管有业者预期,在旺季效应发酵下,第3季NAND闪存市况可望好转。但张家騉认为,若第2季价格呈现极度超跌下,则第3季NAND闪存价格才可望回升,否则第3季价格将难以上升,最多是持平表现,此外,由于DRAM及闪存属于动态备货,下游客户通常在即将上线前才开始拉货,预计手机需求从7〜8月才开始大量显现,且在11月之后,NAND价格将会再度下探。

至于DRAM市况相对乐观,张家騉先前在法说会上指出,未来2季DRAM市场没有看到乌云。尽管第2季淡季需求低迷,张家騉表示,由于美国,大陆厂商都有自建伺服器的需求,因此伺服器内存对于2018年DRAM市场价格影响至关重要,目前看来,第3季伺服器需求并没有明显缩手,且符合原先预期。

张家騉表示,虽然从供给面看来,各大原厂的DRAM新产能持续开出,不过从投产到符合良率规格,大约还需要1〜6个月年不等,2018预计年底以前新产能的影响性有限,DRAM合约价将可望涨到第3季。

不过即使撇除大陆DRAM厂商投产的因素,张家騉也认为,随着各大原厂的产出增加,DRAM价格在第3季过后将可望松动,预计最快11月起,2019年将开始呈现走跌.


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