您的位置: 集微网:积微成著 >> 资讯 >> IT资讯 >> 详细内容 在线投稿

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

更多猛料?欢迎关注老杳个人微信号:laoyaoshow
来源: 科技日报   发布者:科技日报
热度53票   时间:2018年6月06日 22:55
科技日报讯 (记者王海滨 通讯员王玉芳)6月5日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。

  中国电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪,正好咱们自己能生产了。”

  SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料,是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料,具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

  中国电科二所第一事业部主任李斌说:“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料,单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备,要想生长出高质量的SiC单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。”

  据介绍,单晶生长炉需要达到高温、高真空、高洁净度的要求,目前国内只有两家能生产单晶生长炉,中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计,实现可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量生产。


    扫描下方二维码关注老杳或集微网官方微信:




  • 【手机中国联盟官博系列赠机活动进行中,欢迎参与】

  • 老杳吧本周热点帖子

    老杳吧今日热点帖子


    顶:5 踩:3
    对本文中的事件或人物打分:
    当前平均分: (13次打分)
    对本篇资讯内容的质量打分:
    当前平均分: (16次打分)
    【已经有人表态】
    6票
    感动
    1票
    路过
    3票
    高兴
    1票
    难过
    1票
    搞笑
    1票
    愤怒
    1票
    无聊
    2票
    同情
    上一篇 下一篇