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紫光盖全球最大3DNAND厂,暂时不涉足DRAM

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来源: 经济日报   发布者:经济日报
热度69票   时间:2017年1月02日 05:20



大陆紫光集团在2016年终正式宣布投资总额高达240亿美元,在武汉东湖高新区兴建全球单一最大3D储存型快闪存储器(NAND Flash)厂,为全球存储器市场投下一颗震撼弹。

半导体设备业透露,紫光集团由旗下长江存储公司负责推动这项计画。紫光集团暨长江存储董事长赵伟国甚至将这项投资案,等同辽宁号航空母舰出海试航,是中国大陆存储器产业从零突破的开端,也创下由国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作的新合作模式。

由紫光集团联合国家集成电路产业基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资,并结合武汉、上海、矽谷及台湾等研发人员,决定以自主研发投入生产3D NAND Flash设计、制造。

由长江存储主导投资的3D NAND Flash厂,位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,占地高达1,968亩,将建立三座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash厂房,一座总部研发大楼和其他若干配套建筑,第一期计画预定2018年建成启用投产,2020年全部完工,月产能将达到30万片,年产值将超过100亿美元。将成为全球最大单一NAND晶片制造厂。

至于后续的封测,以南茂为主要封测平台,但力成也积极接洽争取。

紫光高层并透露,长江存储将会等到取得国际大厂授权,或自主研发技术达到成熟阶段,才会跨足DRAM制造,绝不会窃取他厂的技术或专利投入生产。

紫光集团董事长赵伟国上月30日宣布这项投资案,当天包括:中共工信部副部长刘利华、工信部电子信息司司长刁石京、国家发改委高技术产业司副司长孙伟、国家集成电路产业投资基金公司董事长王占甫等人,与湖北省副省长许克振,武汉市委、常务副市长龙正才、东湖高新区党工委书记胡立山等重要官员都亲自出席,为中国大陆跨足建立自主存储器技术且是历年来单笔最大投资案做见证。

业界人士指出,虽然紫光集团强调技术自主研发,但近期已积极对台展开大规模挖角行动,值得有关单位和企业密切注意。



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