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紫光国芯:DRAM芯片设计技术处于世界先进水平

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度31票   时间:2018年1月23日 05:21
集微网消息,紫光国芯周一在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍,DDR4与DDR3相比,单条容量有很大提高,可以实现较高的容量。另外,频率和带宽都有明显提高。工艺的提高也会降低工作电压,有利于更低的功耗。

  同时,关于公司在国内业界、排名情况,紫光国芯介绍,公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平,国内稀缺,但目前产品产量很小,市场份额不大。

  针对投资者关于公司DDR4存储器芯片相比DDR3优势的询问,紫光国芯作出上述回应。


    1月26日紫光国芯在互动平台表示,公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计,目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶圆的制造能力,公司会考虑与其合作。



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