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台积电谈两大议题 东芝竞标和3nm厂选址

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来源: DIGITIMES   发布者:DIGITIMES
热度57票   时间:2017年4月15日 05:50
台积电13日的法说会中,针对近期两大热门议题:日本半导体大厂东芝NAND Flash部门竞标案、先进制程3奈米晶圆厂的选址,一一对外界做最新的回覆。

自从台积电董事长张忠谋公开表示,考虑参与日本半导体大厂东芝(Toshiba)竞标案后,台积电对该案的态度备受市场关注,尤其参与竞标者又是鸿海、SK海力士(SK Hynix)、威腾(WD)等全球大厂。

台积电13日指出,内部确实评估过该案,但最后决定不去参与竞标,主要是两大原因,第一,内部认为这种标准型记忆体的商业模式和逻辑产业很不一样,第二是认为这样做并没有太多综效,因此,台积电没有参与,且强调假使台积电参与其中,也会自己去竞标,不会是呼朋引伴的景象,间接否认和鸿海一同竞标的猜测是不正确的。

针对记忆体技术的布局,台积电表示,对于标准型独立式的记忆体晶片如PC DRAM晶片、NAND Flash晶片等并没有兴趣,但是对于嵌入式记忆体技术的布局,则是下了很大功夫。

台积电目前是全球最大的嵌入式记忆体技术提供者,用在逻辑制程平台上,做晶圆代工,像是新式记忆体技术如ReRAM、MRAM等,台积电都有这些嵌入式记忆体技术,且因为28奈米以下,传统的嵌入式记忆体技术会有瓶颈,MRAM是很好接棒的技术人选,台积电已经在提供该技术使用在逻辑制程上了!

针对另一个热门议题,也就是台积电3奈米制程的选址案,因为之前传出台积电基于稳定和充足的水、电供应考量,有意到美国设立3奈米制程晶圆厂。

台积电指出,延续之前董事长张忠谋说法,不排除任何可能性,但在美国设晶圆厂并不是最理想的选择,希望有更多地点可以选。TOP▲



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