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传三星今年资本支出较去年增长85.6%达219.5亿美元

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度36票   时间:2017年5月18日 20:06
集微网消息,三星登上全球半导体龙头,不惜砸重金投入研发,传今年资本支出将大幅增加逾 10 兆韩圜。

新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测,三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 兆韩圜(约 219.5 亿美元),较 2016 年成长 85.6%,且将超越 2015 年的 14.7 兆韩圜成为三星史上新高。

存储器目前供不应求,也是三星今年布局的重点,预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测,光是 NAND 快闪存储器,三星就将砸下 12.05 兆韩圜(约 108 亿美元),非存储器部门(包含晶圆代工)则占 8 兆韩圜。

业界消息指出,三星半导体业务部门将扩充华城厂 17 线的 DRAM 产能,生产 10 纳米等级的 DRAM。三星已告知设备厂扩产计划,并在 3 月向部分业者下单,估计投资金额约为 2.5~3 兆韩圜,完工后每月增产 3.5 万片 300 公厘的硅晶圆,预定今年下半初步生产。

三星华城厂为综合晶圆厂,17 线生产 DRAM、11 线生产影像传感器和 DRAM、16-2 线生产 3D NAND flash、S3 线生产 10 纳米系统半导体。

三星 NAND 快闪存储器量产技术领先,分析师看好三星借由新增投资,可趁机扩大市占率。市调机构 DRAMeXchange 数据显示,三星 2016 年第四季 NAND 存储器营收市占达 37.1%,遥遥领先第二名东芝的 18.3%。

市调机构 IC Insights 月初公布报告指出,如果存储器持续涨价,三星最快于第二季取代英特尔成为全球半导体龙头。


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