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三星新一代V-NAND存储器出炉,容量1Tb

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来源: 每经网   发布者:每经网
热度32票   时间:2017年8月09日 20:54
集微网综合报道,据外媒消息,三星电子 NAND Flash 技术再升级,9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,预计明年问世。三星宣称,这一技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一,本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上,计划2018年推出最大容量的SSD产品。

多家外媒报导,三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片(即垂直堆叠的 3D NAND),容量是当前最大存储器 512Gb(gigabit)的两倍。三星将采用16层堆叠的方式生产出容量达2TB(terabyte)的闪存,大幅提升储存容量。三星宣称,该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。
1Tb 相当于 126GB,以一部2小时的HD电影通常1.5-2GB来看,能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示,许多产业发展人工智慧和物联网,数据密集的应用程式大增,Flash 存储器扮演关键角色,可以加快资料抽取速度,以供即时分析。三星电子本次发布的1Tb V-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上,计划2018年推出最大容量的SSD产品。

同时,三星发布 NGSFF 固态硬盘(Next Generation Small Form Factor SSD),将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍,将于今年第四季量产。

三星 2016 年发表 Z-SSD 技术,现在首度发表采用此一技术的 SZ985 固态硬碟,宣称可用于数据中心和企业系统,处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒,大约是 NVME 固态硬碟的七分之一。

从 2013 年三星电子在全球率先实现 V-NAND (第一代,24层)量产,到今年实现第四代 V-NAND 的量产引领创新,三星存储器部门高层表示,未来三星电子将积极应对人工智能(AI)、大数据等未来高新半导体的需求。



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