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3D XPoint内存技术本质大猜想

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来源: eet-china   发布者:eet-china
热度103票   时间:2015年8月03日 05:24
英特尔与美光最终还是不愿意透露3D XPoint这种内存技术的本质,因此也引来许多猜测;它有可能是内置了特选的二极管、以实现高密度组件结构的电阻式内存(ReRAM)吗?EE Times的评论家们已经试图从有限的已发表数据中来分析…也许它是相变化内存(PCM)的变形?

市场研究机构Objective Analysis首席分析师Jim Handy也在英特尔与美光新内存发表会的现场,并询问两家公司的代表,究竟3D XPoint最接近哪种内存?但他得到的回答是,目前市面上没有任何一种技术像3D XPoint那么成熟;“他们还是没有揭开神秘面纱;”Handy表示,英特尔与三星就是坚持3D XPoint不像任何一种过往技术:“根据他们提供的有限资料,我们也只好照着他们的话说。”

就算它非常神秘,Handy表示3D Xpoint内存仍值得注意,但恐怕没有达到会让人从半夜惊醒的“突破”;各种替代性内存技术往往是希望能取代DRAM或NAND闪存,不过英特尔与美光却表示,他们的新内存有自己的定位,而且不会让美光的3D NAND产品蓝图有变化。Handy认为:“它在内存阶层架构(memory hierarchy)中一定有个位置。”

那如果3D Xpoint实际上是块状开关(bulk switching) ReRAM、或是PCM的变种呢?以现有技术创造一种新使用途径,其创新性就跟发明全新的技术是一样的,而且如果能听到ReRAM或PCM是如何被重新设计才变身成英特尔与美光的3D Xpoint,会比听到他们是用了什么材料“秘方”或新制程技术来得更有趣。

在英特尔与美光提供更多细节数据之前,我们对于3D Xpoint内存看来也只能继续猜测,除非等到采用该新内存技术的产品上市。



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