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科锐与Nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度41票   时间:2018年4月16日 09:40
集微网消息,科锐今日宣布与荷兰Nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,Nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美国和国外专利,涵盖了HEMT(高电子迁移率场效晶体管)和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。这一专利组合针对新型器件结构、材料和工艺提升,以及封装技术,不包括技术转让。

科锐联合创始人兼Wolfspeed首席技术官John Palmour表示:“科锐创立以来,对包括GaN氮化镓和SiC碳化硅在内的新型化合物半导体材料进行了深入研究,并利用它们的独特性能开发出新型器件。基于科锐数十年创新成果的器件,帮助实现新型电源管理和无线系统的市场导入。为了加速这类新市场的增长,科锐正在对用于GaN氮化镓电源管理系统的GaN氮化镓功率器件专利开展授权。”


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