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三星为高通背书 10纳米增产顺利

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来源: 集微网   发布者:茅茅
热度20票   时间:2017年3月17日 18:35
集微网消息(文/茅茅),10nm制程良率普遍不佳的问题持续在全球半导体产业链发酵,对此三星表示,目前10nm FinFET制程良率稳定、增产顺利,且第一代10nm LPE累积出货7万片。而采用三星10nm制程的高通骁龙835似乎依然备受手机厂商欢迎,2017年上半年几乎横扫全球各大旗舰手机品牌机型。

三星为高通背书 10纳米增产顺利


集微网此前报道称,高通新一代骁龙835芯片平台,在2017年上半年几乎横扫全球各大旗舰手机品牌机型,其中包括三星S8 、OPPO Find 9、小米6、Moto Z二代、一加5、诺基亚8等。由于联发科Helio X30要到第2季才量产交货,高通趁势扩大订单量,持续拉升骁龙835的市场优势。

高通在2017国际消费电子展(CES)上重磅推出了骁龙835。骁龙835采用了三星10nm FinFET制造工艺,它不仅是全球首款采用10纳米FinFET工艺节点实现商用制造的移动平台,也是业界第一颗在10纳米工艺水平上达到量产水平的芯片。

据悉,三星在2016年10月启动第一代10nm FinFET LPE(Low Power Early)制程量产后,至今已出货7万片。不仅高通骁龙835采用三星10nm制造工艺,三星自家的Exynos 8895处理器也采用此工艺。

三星电子执行副总裁Jongshik Yoon表示,除了10nm LPE之外,三星还将于2017年底与2018年初陆续发表10nm第二代LPP(Low Power Performance)版和第三代LPU(Low Power Ultimate)版,性能与功耗都将比第一代LPE优异。

此外,三星还将在5月24日于美国举行三星晶圆代工论坛(U.S Samsung Foundry Forum),届时将公布分别以10nm与7nm技术为基础的8nm、6nm制程技术蓝图。据了解,目前三星的10nm技术采用多重曝光(Multiple Patterning),而7nm技术将准备采用极紫外光(EUV)显影设备。

尽管10nm制程良率普遍不佳问题持续在全球半导体产业链发酵,但是高通依然备受手机厂商欢迎,不仅新客户接单量频创新高,甚至旧客户对于骁龙835芯片平台的满意度也明显提升,预计第2季度高通将大量交货。2016年高通芯片出货量8.4亿颗,收入超过150亿美元。

高通压力仍在 英特尔和三星纷纷推出4G基带芯片


虽然目前在智能手机领域,高通几乎占领着霸主地位,但是高通也须时刻警惕竞争对手们的不断追赶。在2017年世界移动通讯大会(MWC)登场前夕,英特尔和三星就分别发表了最新的4G基带芯片,试图挑战高通主宰的移动芯片霸主地位。

英特尔宣布推出名为XMM 7560的2G/3G/4G基带芯片,可支持最大1Gbps下载与225 Mbps上传速度。XMM 7560采用英特尔14nm制程,比起前一代采用28nm制程的XMM 7480,以及部分iPhone 7/7-Plus使用的XMM 7360更加先进。除了最大下载速度外,XMM 7560的多重载波聚合也有大幅的提升。

据悉,XMM 7560是第一个可支持3G EV-DO网络的英特尔基带芯片,而目前包括Verizon、Sprint、中国电信等多家电信厂商都仍在使用3G EV-DO网络。由此看来,XMM7560很有机会协助英特尔从高通手中抢下更多iPhone市场。

而三星即将推出的Exynos 8895将配备8核心处理器,并支持1Gbps的最大下载速度。三星Exynos 8895与高通骁龙835一样,都采用三星最先进的10nm制程,且Exynos 8895的多重载波聚合也比前一代Exynos 8890有所提升。

可见三星的4G基带技术,也将对高通造成不小的威胁。但是,高通骁龙835与三星Exynos 8895预计都将使用在三星Galaxy S8上,这可能就是高通与三星协商后的结果,因为高通选择三星而非以往的台积电生产其最新旗舰骁龙835芯片。

高通最新发表的LTE modem Snapdragon X20,拥有1.2Gbps最大下载速度与5x多重载波聚合,但要等到2018年上半年才会开始出货,因此将不会使用在2017年推出的苹果或三星旗舰机上。


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