您的位置: 集微网:积微成著 >> 资讯 >> 晶圆制造 >> 详细内容 在线投稿

EUV微影:进展与挑战并存

更多猛料?欢迎关注老杳个人微信号:laoyaoshow
来源: eettaiwan   发布者:eettaiwan
热度27票   时间:2018年2月14日 23:32
虽然已有一家领导级芯片制造商表示将从今年开始将极紫外光微影(EUVL)导入商业化量产,不过仍有一些未解决的问题,会影响其余芯片制造商在晶圆厂采用EUVL的时程;这些问题包括扫描机正常运作时间(scanner uptime,主要与光源有关)、缺乏商用光化图形光罩检测(actinic patterned mask inspection)工具,以及EUV光罩护膜(mask pellicles)准备不及。

250W光源以及相对应的光罩护膜几乎已经准备好实现每小时125片晶圆吞吐量的扫瞄机,笔者预期今年能看到高产量EUVL扫描机朝向90%正常运作时间的进展;而这应该会加速其他芯片制造领导厂商对EUVL的采用。

而商用光阻剂(resists)是否准备就绪,会是EUVL应用在未来制程节点的主要挑战;EUV光阻剂采用二次电子化学(secondary electrons chemistry),是与目前光阻剂完全不同的方法,我们需要弄清楚症结所在,解决去年发现的随机印刷错误(random printing failures)与微桥接(micro bridging)等问题。

在EUV波长,机率效应(stochastic effects)变得很重要;除了需要更充分了解二次电子动力学,我们还需要解决制作量产等级EUV光阻剂的纳米等级材料不均匀性(inhomogeneity)问题;五年多以来,我们已经看到实验室有一些很不错的新型光阻剂研发成果,但我们需要实际看到跟实验室成果一样好的商用方案。

还有应用于光化图形光罩检测的商用工具缺口也很需要弥补;现在光罩检测工具越来越常被应用于检测光罩缺陷,但成本高昂、效率也不高。光罩检测技术本身需要进化,朝向超越193纳米的更小波长迈进,才能在未来世代的制程提供更佳解析度;新型EUV光源以及相应的光学技术预期将会在这方面扮演要角。

笔者预期很快会有提供商用光化图形EUV光罩检测替代方案的供应商崛起,该类工具将会采用13.5纳米电浆光源(plasma sources)或高次谐波产生技术(high harmonic generation,HHG)。

在光罩护膜方面,我不确定现在的设计与材料是否能一路扩充至500W光源,但我相信护膜设计必须要进化;我现在看到光源电压可能在未来达到500W,但不能确定哪种技术能提供500W以上的功率──锡(Sn)雷射激发电浆(Laser produced plasma,LPP)或是自由电子雷射(Free Electron Laser,FEL)。

护膜设计会伴随着新材料的进化,挑战会在于测试以及将最佳技术选项整合至扫描机;电子束检测(E-beam inspection)将获益,但光学检测会因为持续超越193纳米并改善其解析度而维持主流地位。

ASML在2017年出货了十台EUV扫描机,预计2018年的出货数字将增加一倍;有人问我,扫描机的光学元件或光罩原材料(mask blanks)供应,是否会成为其出货数量自2018年起每年成长一倍的瓶颈?我预期随着EUVL迈入量产,供应链会面临一些挑战,但目前尚未看到特别值得注意的状况。

在众家厂商之中,晶圆代工业者GlobalFoundries以制造实力、投资规模以及在EUVL技术开发上的进展而崛起,该公司具备优良的技术以及制造团队,我预期他们将会稳定扩展晶圆代工业务版图,并准备好在晶圆厂中导入EUVL技术。

编译:Judith Cheng

(参考原文: EUV Milestones, Challenges Ahead,by Vivek Bakshi;本文作者为技术顾问机构EUV Litho总裁)


    扫描下方二维码关注老杳或集微网官方微信:




  • 【手机中国联盟官博系列赠机活动进行中,欢迎参与】

  • 老杳吧本周热点帖子

    老杳吧今日热点帖子


    顶:4 踩:2
    对本文中的事件或人物打分:
    当前平均分: (7次打分)
    对本篇资讯内容的质量打分:
    当前平均分: (7次打分)
    上一篇 下一篇