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【观点】张忠谋:未来10年台积电依旧领先大陆5-7年

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度10票   时间:2018年6月15日 06:35
1.EUV、3nm、GAA首次亮相,三星晶圆代工业务强势进军中国市场;
2.Intel 10nm工艺揭秘:晶体管密度比肩台积电/三星7nm;
3.张忠谋:未来10年台积电依旧领先大陆5-7年;
4.华虹半导体深耕MCU市场 模拟IP组合来助力;
5.解决半导体人才缺乏问题,台湾拟“挖角”大陆工程师;
6.联电开启史上最大价格涨幅 和舰厂产能将扩至7万片


1.EUV、3nm、GAA首次亮相,三星晶圆代工业务强势进军中国市场;

集微网消息,为进一步提升在中国市场晶圆代工领域的竞争力,6月14日,三星电子在中国上海召开 “2018三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF),这是SFF首次在中国举行,中国半导体市场的影响力可见一斑。

本次论坛上,三星电子晶圆代工事业部战略市场部部长、副社长裵永昌带领主要管理团队,介绍了晶圆代工事业部升级为独立业务部门一年来的发展成果,以及未来发展路线图和服务,首次发布了FinFET、GAA等晶体管构造与EUV曝光技术的使用计划,以及3纳米芯片高端工艺的发展路线图,并提出合作方案,以促进半导体业界实现美好愿景和共同发展。


据介绍,三星晶圆代工业务不仅在eFlash/PMIC/DDI/CIS/RF/IoT等产品定制型8英寸特种工艺和高端工艺等多个领域占据领先地位,还打造了具备实力的晶圆代工生态系统,包括IP、EDA和设计服务支持,并且有能力提供设计、生产、封装、测试等一站式服务。三星表示,对于中小型无厂晶圆企业而言,和晶圆代工企业在生产和产品设计领域方面展开紧密合作,具有重要的意义,如果能与三星晶圆代工携手,则有望取得更大的成果。

裵永昌强调,三星电子坚持技术创新,以增强晶圆代工部门的市场竞争力,今年有望在业界率先实现EUV技术的商用化。


他还表示,以今年首次在华召开的三星晶圆代工论坛为起点,三星电子晶圆代工事业部将加强与中国市场的沟通,以提供差异化技术为基础,为中国市场量身打造晶圆代工解决方案,成为中国无厂晶圆企业走向成功的合作伙伴。

三星电子认为中国市场对于发展新一代半导体行业具有重要意义,计划未来将以提供差异化技术为基础,为中国市场量身打造晶圆代工解决方案。

2.Intel 10nm工艺揭秘:晶体管密度比肩台积电/三星7nm;

摘要:Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍!

集微网消息,作为科技行业著名的“牙膏厂”,英特尔一直走在所有厂商前面。因为它的10nm制程已经跳票三年之久,每当一款新的处理器发布,众人翘首以待10nm的到来,可英特尔还是给用户泼冷水,继续跳票10nm工艺。

对于很多用户而言,都在疑问为何英特尔一直跳票10nm呢?因为相比起同期的台积电、三星等厂商,10nm工艺早已经量产上市,并已推出苹果A11、Exynos 9810等芯片,而作为PC领域中的大哥人物,为何英特尔跟不上潮流的发展呢?而今天,外媒TechInsight就给出了一份满意的答复。

目前,Intel 10nm处理器已经小批量出货,已知产品只有一款低压低功耗的Core i3-8121U,由联想IdeaPad 330笔记本首发。

TechInsight分析了这颗处理器,获得了一些惊人的发现,直接证实了Intel新工艺的先进性。


分析发现,Intel 10nm工艺使用了第三代FinFET立体晶体管技术,晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称),是目前14nm的足足2.7倍!

作为对比,三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个,仅相当于Intel的一半多,7nm则是每平方毫米1.0123亿个,勉强高过Intel 10nm。

至于台积电、GF两家的7nm,晶体管密度比三星还要低一些。

换言之,仅晶体管集成度而言,Intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上,甚至还要更好!

另外,Intel 10nm的最小栅极间距(Gate Pitch)从70nm缩小到54nm,最小金属间距(Metal Pitch)从52nm缩小到36nm,同样远胜对手。

事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比,Intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。

Intel 10nm的其他亮点还有:

- BEOL后端工艺中首次使用了金属铜、钌(Ru),后者是一种贵金属

- BEOL后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)

- 6.2-Track高密度库实现超级缩放(Hyperscaling)

- Cell级别的COAG(Contact on active gate)技术

当然了,技术指标再先进,最终也要转换成有竞争力的产品才算数。(校对/茅茅)

3.张忠谋:未来10年台积电依旧领先大陆5-7年;

台积电创办人张忠谋退休后今天首度公开露面,在欧洲商会午餐会场合发表演讲,直指乐观看待未来半导体,未来10年半导体产业的成长有望超过全球GDP增速。

欧洲在台商务协会(ECCT)今天举办午餐会,特别邀请长期友好关系的台积电创办人张忠谋分享经验。

欧商会员询问张忠谋如何看待未来半导体产业的发展,张忠谋有信心地说,他很乐观看待未来半导体产业的发展,认为半导体重要性几乎会等同于面包、马铃薯,成长相当快速。

张忠谋预估,未来10年,全球GDP成长率平均约会落在3%上下,然而半导体产业成长率或许会更好,也许会达到5%。

张忠谋也期许台积电持续保持竞争力,甚至成长率可超过5%的水准。

也有会员询问,中国半导体产业来势汹汹,台湾会不会被追过;张忠谋回应,上周股东会时也有人问过一样的问题,他维持一样的看法,虽然中国大陆未来5到10年半导体产业会有相当大的进步,但台积电也同样持续发展,因此两者间的落差并不会缩小,台积电还是会领先中国大陆技术5到7年的时间。中央社

4.华虹半导体深耕MCU市场 模拟IP组合来助力;

集微网消息,华虹半导体今日宣布,基于0.11微米超低漏电嵌入式闪存技术平台(0.11 μm Ultra Low Leakage eNVM Platform,以下简称「0.11μm ULL平台」),华虹半导体自主研发了超低功耗模拟IP,包括时钟管理(Clock Management)、电源管理(Energy Management)、模数转换(Analog Digital Converter)等,这些IP通过了矽验证并已经量产,帮助客户设计低功耗、高性价比、高精度等各类MCU,将助力公司拓展MCU市场。

在时钟管理IP方面,华虹半导体开发了RCOSC、RTC和PLL三大类IP。高精度OSC内置了补偿电路,-40℃~125℃温度范围内精度达到+/-2%,面积为0.02mm2。低功耗32KHz RCOSC的工作电流低至160nA。低成本16MHz RCOSC面积仅0.004mm2,工作电流仅为16μA。实时时钟RTC中,提供1Hz输出,无需外置电容,有效降低了成本。低抖动的PLL随机噪声抖动小于25ps,输出60M到500MHz等多种频率。

在电源管理IP方面,内置BGR的LDO在等待模式下电流为300nA,从等待模式切换到工作模式仅需2.5μS,大大缩减正常工作模式的准备时间。外部POR释放电压1.0V~1.52V,保障了电路的可靠性及稳定性。此外,VDT/LDT/TDT等各种信号报警模拟IP,为稳定MCU芯片的电压、电流基准、检测电压、温度及芯片安全提供了有效保障。

在信号转换IP方面,华虹半导体提供高精度的10位、12位SAR ADC。最新推出的12-Bit SAR ADC拥有高达2MSPS的采样率,面积仅0.2mm2,支持单端和差分输入模式。在电源电压3.3V、采样率2MSPS的情况下,信号噪声失真比SNDR为70dB,完美结合了多通道、高精度、低功耗、小面积等特性,是高性能MCU的理想选择。

物联网、云计算、智慧城市、虚拟实境(VR)等新兴市场,促使各类MCU芯片需求剧增。华虹半导体的多种模拟IP可灵活匹配8位及32位MCU需求,并以其高品质和高可靠性,有效助力客户在物联网(IoT)、资讯安全、可穿戴产品以及工业控制和汽车电子市场中提升竞争力。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然表示:「一系列面向MCU的模拟IP向业界展现了华虹半导体的自主创新实力,缩短了客户的芯片开发周期,为我们的MCU客户提供了强有力的支持。 」


5.解决半导体人才缺乏问题,台湾拟“挖角”大陆工程师;

台积电5纳米厂正积极兴建中,3纳米厂也会接续在台南建厂并如期量产。台湾有世界最先进的半导体制程,势必需要更多世界一流工程师加入台湾半导体产业的行列。产业界曾向政府建议开放大陆籍工程师来台工作,13日获科技部长陈良基正面回应。陈良基表示,政府已经提出“新经济移民法”草案,希望世界上有创意的优秀人才到台湾,而未来政府也会开放大陆具半导体研发和制造专业的人才到台湾工作,解决产业界遇到的人才不足的问题。
 
过去10年来,大陆积极发展半导体产业,透过挖角等方式吸引台湾人才,造成台湾人才单向流动,外界甚至以“失血”来形容台湾人才遭大陆磁吸的不利状况。如今大陆厂商在IC设计方面已取得傲人的成果,唯独在集成电路制造上仍赶不上台湾的技术,而且在获利能力上亦远逊于台湾半导体厂商。
 
台湾规模愈来愈大的半导体业界希望根留台湾,不过水、电、土地、人才等问题都需要政府提供协助。其中开放大陆人才为台厂所用,启动两岸人才的双向流动更是业界关心的重点。台积电总裁魏哲家也表示,半导体会从无所不在变成无所不能,台湾需要更多人才加入这个产业。
 
科技部长陈良基表示,6月的旱象即将因为西南气流而大幅改善。由于政府在基础建设投入相当多的经费,到2027年台湾的储水量可望增加2倍,产业界不需担心。至于电力供给部分,新电力基础设备在2019年可以完成,后续对台湾产业而言,电力绝不会成为产业发展的瓶颈。
 
在产业人才部分,由于台湾面临严重的高龄化和少子化危机,因此政府已提出“新经济移民法”草案,鼓励更多具技能与专业知识者移民到台湾。希望吸纳更多元的人才到台湾的产业界。而且美国移民法规趋严,台湾有世界级的半导体产业,对印度等地具创意的人才而言,是发挥专长很好的舞台。
 
至于较敏感的大陆籍工程师部分,过去业界对于大陆留美的工程师或大陆籍工程师均有接触,台湾厂商观察大陆工程师的能力亦相当优秀,不过碍于政府政策,并未允许进入台湾工作。不过陈良基表示,未来政府会开放让大陆工程师来台工作,解决台湾半导体产业面临的人才荒问题。
 
陈良基强调,台湾半导体未来至少还有20年要继续努力,产业发展环境至关重要,政府一定会支持产业界。除了最基本的水、电、土地之外,鼓励台湾学术界、法人研究机构培育产业所需的人才也是一种作法。至于技职体系的学生,政府也要做改变,使其能符合产业实际的需求。DIGITIMES

6.联电开启史上最大价格涨幅 和舰厂产能将扩至7万片

联电8英寸晶圆代工产能供不应求,近期正式涨价,旗下8英寸厂和舰并将启动三年多来最大规模扩产,幅度达15%。业界透露,联电这次采“一次涨足”,涨幅达二成,涨幅前所未见,加上大动作扩充和舰产能,透露对后市看好。

联电12日举行股东会,财务长刘启东会后证实,已启动“一次性涨价”,主要考量全球8英寸晶圆代工产能吃紧,加上先前上游硅晶圆材料不断涨价,以反映市场机制与成本波动。

联电目前产能利用率约95%,整体订单能见度约2至3个月,4、5月营收均符合预期,本季营运平稳。该公司去年营收新台币1,492亿元,创新高,预期今年全球半导体市场年增率可逾10%。尽管目前联电仍处于调整体质及产品线阶段,使得今年成长力道可能低于整体市场,但仍预期可个位数成长,再写新猷。

据了解,随着驱动芯片、指纹识别、电源管理、MOSFET、微控制器(MCU)等芯片需求强劲,带来大量8英寸晶圆代工产能需求,但目前全球晶圆厂都朝12英寸发展,最先进的制程也都在12英寸厂生产,8英寸厂以成熟制程为主,近年已无新厂加入,但驱动芯片等仍采用成熟制程生产的芯片需求强劲,导致全球8英寸晶圆代工厂产线塞爆,呈现供不应求盛况。

刘启东说明,此次涨价原因有二,首先,晶圆代工最重要的上游材料硅晶圆供货吃紧、价格频频上涨,联电虽与供应商签有长期供货合约,硅晶圆供货无虞,但硅晶圆价格上涨,也导致联电成本提高。

其次,今年以来,陆续有同业调涨8英寸晶圆代工价格,但联电先前都没有动作,随着硅晶圆价格节节高升,联电为反映市场机制与成本波动,近期正式调整价格,而且是“一次涨足”。

刘启东不愿透露“一次涨足”的涨价幅度,业界以今年以来其他同业累计涨幅,以及反映硅晶圆涨价导致的成本上升空间估算,联电此次涨幅可能达到约二成,与过往产能吃紧,涨幅普遍落在3%、5%相较,此次堪称“史上最大涨幅”。

因应客户强劲需求,刘启东表示,联电台湾8英寸厂已没有空间再扩产,将启动8英寸厂和舰扩产计划,预计月产能由目前的6万片提升至7万片,增幅逾15%,明年第2季完成。

联电强调,近年全球8英寸晶圆代工市场需求热络,此次扩产,是考量中长期市场供需状况后才拍板。这是和舰近三年多以来,首次大动作扩产。 经济日报


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