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南亚科:5年内大陆不会对DRAM产业形成威胁;

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度10票   时间:2017年5月27日 06:25
1.南亚科:5年内大陆不会对DRAM产业形成威胁;
2.建广领投高通联芯智路联合成立合资公司 传全球海选招聘CEO;
3.高通“扶”大唐 狙击低端芯片玩家;
4.中国IC发展战略需要再定位;
5.邓中翰:让数据和智能服务像电力一样无处不在;
6.中科大在氮掺杂石墨烯生长的原子尺度机理研究方面获进展

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1.南亚科:5年内大陆不会对DRAM产业形成威胁;

集微网消息,市场传出合肥长鑫将投资 72 亿美元兴建 12 寸晶圆厂以发展 DRAM 产品,未来完成后,预计最大月产将能高达 12.5万 片的规模。

面对大陆积极发展内存,南亚科总经理李培瑛昨以国际大厂不轻易技术授权给大陆,以及国际法规严格规范等观点,直言三到五年内,还大陆不会对DRAM产业构成威胁。

李培瑛表示,内存是国际流通最快速的零组件,同时也受到各国知识产权的严格法律监督,直指未来中国大陆必须取得合法授权,否则未来生产的内存,不仅面临国际,甚至连当地内需市场,都会遭到重重阻力。

他举最近大陆推动一带一路政策为例,认为大陆就是要拓展国际经济领域,未来势必得更遵守国际法规,并以尊重知识产权为重点施政方向。

李培瑛强调,目前在DRAM领域,技术主要掌握在三星、SK海力士以及美光三大厂手中,从大陆发展太阳能、LED、面板,甚至钢铁的前车之鉴,这些大厂目前对技术授权给大陆,都持保守态度。

因此他认为,在三到五年内,大陆发展内存还不会带来任何威胁,预期全球DRAM产业将维持三大一中二小的局面,三大包括三星、海力士、美光;一中为南亚科,二小为华邦电以及力晶。

除合肥长鑫之外,晋华集成电路存储器生产线项目日前启动钢结构吊装,标志着主厂房正式进入地面建筑建设阶段。据传紫光也将投入巨资在南京建设DRAM工厂。集微网认为,无论李培瑛的观点是否正确,不过他的理由确实值得大陆行业参考。


2.建广领投高通联芯智路联合成立合资公司 传全球海选招聘CEO;

集微网消息(文/刘洋)长达九个月的谈判与沟通,美国高通与联芯科技的合作终于以四方合资的方式达成协议。
 
5月26日,总投资规模达30亿人民币的合资公司瓴盛科技(贵州)有限公司(JLQ Technology)正式成立,专注于针对在中国设计和销售的、面向大众市场的智能手机芯片组的设计、封装、测试、客户支持和销售等业务,其中北京建广出资占比34.643%、美国高通出资24.133%、智路资本出资17.091%、联芯科技以立可芯的股权出资24.133%,
 
该合资公司将美国高通的先进技术、规模和产品组合,联芯科技独有的研发能力以及在中国产业界的深厚资源,与建广资产在中国金融行业的良好关系,以及智路资本的全球金融、产业生态链资源进行了结合。
 
“合资公司目前刚刚注册,还未完成在工商的登记,仍在等待有关部门的审批,希望在今年之内完成。”大唐电信科技股份有限公司副总裁蒋昆表示,合资公司将采用国际化的治理结构,董事会根据各方股东出资比例进行设计的,由7名董事组成,其中联芯科技委派2人,高通控股委派2人、建广基金委派3人,董事长由建广基金委派的一名董事担任。未来精英团队和 CEO 的人员都由董事会来配任。有传言称,此次合资公司瓴盛科技的 CEO 可能采用全球海选的形式进行,定位国际化。
 
大唐电信副总裁、联芯科技总经理钱国良表示,此次多方资源整合成立合资公司,将融合高通和联芯双方的先进技术,依托双方市场客户资源与本地化的技术服务能力,聚焦移动通信应用。合资公司初期计划定位在中低端领域,主攻 100 美元左右的全球化市场,联芯科技将与美国高通实现双方本土人员的融合,提供更好的具有高性价比的产品,增强本地服务的支持能力。
 

据统计,全球智能手机市场仍在不断增长中,中国市场就有4.5亿台左右,每年仍以两位数的速度快速增长中。美国高通技术公司执行副总裁兼QCT总裁克里斯蒂安诺∙阿蒙表示,合资公司展示了我们对于中国移动通信产业的长期承诺。不仅帮助我们扩展全新的细分市场和客户,增加市场容量,同时未来还有机会扩展至其他领域,进一步完善和扩大高通的产品结构。这是一次1+1=3的合作,将成为高通在中国快速发展的半导体业务的补充。
 
在人才配备方面,建广资本投资评审委员会主席李滨表示,目前以联芯的成立子公司立可芯的现有团队为主,未来会有高通和其他股东方的补充人才加入。在公司的治理结构下,有关团队和之前的储备人才也会陆续就位。北京智路资本管理合作人张元杰补充道,“我们要打造一个全球先进的芯片设计中心”,设计人才对公司的成败起到至关重要的作用,我们将推动合资公司在市场化的机制下经营运作,为人才提供良好的环境和员工激励机制。合资企业争取广纳贤才,只要把人才工作做好,把机制做好,才能发挥出市场化的机制。
 
“智路资本致力于为合资公司提供金融、产业资源以帮助其成长。”张元杰表示,以美国高通为代表的先进技术和产品,过去十年来已经广泛应用在中国本土市场,移动互联网的应用场景也从简单化消费向消化再创新发展,合资公司将以先进技术结合中国再创新的市场机制,抓住机会做好产品。此次四方精诚合作,致力于将瓴盛科技打造成具有全球竞争力的龙头企业。
 

在资本投入方面,李滨强调,建广资本看好合资公司未来持续的盈利能力。与财务投资和产业投资不同,建广资本以战略型投资为主,会长期持续的投资,后期不排除有追加资本的可能性。
 
截至目前,建广资本控股100%的企业务覆盖了产业链的各个环节(材料-设备-设计-制造-封测),7家半导体工厂,3家晶圆制造厂,3家后道封装测试工厂,一家 fab 厂,一个先进设备研发中心和一个材料研究中心,每年产量超过1000亿颗。李滨表示,这能够为合资公司提供更多产业资源和帮助,打造良好的生态环境,保证产能和销路,使合资企业得到更好的发展,同时希望未来有机会向更多半导体领域做延展,与合作公司结合发展。



3.高通“扶”大唐 狙击低端芯片玩家;


在芯片公司联发科成立20周年的这天,它的竞争对手高通送上了一个不太善意的“大礼”。

  5月26日上午,高通宣布与大唐电信等合作进军中低端手机芯片市场。大唐电信(600198.SH)25日晚发布公告称,合资公司名为瓴盛科技(贵州)有限公司,主要聚焦消费类手机芯片市场,注册资本为29.84亿元人民币,其中,两家资本方北京建广和智路资本持股比例总计为52%,高通和大唐电信分别持股24%。

  “以手机市场价格区分,我们觉得主攻市场价位在100美金左右。这个市场是全球化的,不光是国内的,还是国外的,我们都有考虑。”美国高通技术公司执行副总裁兼QCT总裁克里斯蒂安诺。阿蒙在会后接受包括第一财经在内的记者采访时如是说。

  对于高通的这项合作,手机联盟秘书长王艳辉对记者表示,这次合作前后谈了十八个月,高通的模式比较适合攻占大客户,合资公司应该主要还是面向中小客户或者中低端,这部分之前也不是高通的重点,未来效果如何还有待关注。

  借力搅动低端市场

  大唐公告披露,瓴盛科技主要聚焦消费类手机市场,经营范围主要是与芯片组解决方案有关的设计、包装、测试、客户支持及销售,技术开发、技术许可、技术咨询、技术服务及软件开发。

  而高通负责人则表示,通过成立这样一个合资企业,高通一方面可以扩展低端市场,另外一方面则为未来的新市场打下基础,比如说物联网领域。

  事实上,在过去,虽然觊觎低端市场,但是对于被贴上低端市场的标签,高通一直表示拒绝,而对于此次借力大唐的举动,被外界评价为“很有技术”。

  “高通一直都是希望做利润高的产品,比如中高端手机市场,物联网和无人机。低端市场的态度是不希望放弃,但又不希望别的公司做大,所以此次和联芯的合作,应该可以从中收取授权费用,授权费用是不需要花很多钱但可以获得不错利润的模式。”Counterpoint研究总监闫占对记者说。

  而对于大唐来说,与高通的合作也是突围现有业务瓶颈的一种方式。

  财报显示,大唐电信2016年实现营收72.30亿元,同比下降15.96%;净亏损17.76亿元,而2015年净利润2844万元。

  虽然大唐电信从2014年开始尝试提升旗下手机芯片业务,先是2014年11月将旗下最主要的集成电路设计企业联芯科技SDR1860授权给小米手机,后又计划收购美国芯片公司Marvell的手机业务,但最终未能落地。

  有消息指,此次与高通的合作从2016年初就已经开始进行。

  “差不多谈了十八个月,此前已经有联芯的人员在学习高通的平台,并对部分高通的客户进行技术支持。”王艳辉对记者说。

  但也有不愿具名的国产芯片厂商对记者表示,目前联芯基本就停了手机相关芯片的研发了,只做一些政府采购和行业客户,如果高通不愿意做技术输入,对行业影响则有限。

  资本推动联姻

  社会资本的进入是此次合作达成的一个重要因素,北京建广和智路资本分别持股34.6%和17%。

  在记者问答会上,建广资本的相关负责人对记者表示,投资该项目关注的有两点。一个是它的未来营业持续能力,另一个是它的对于我们整体战略布局的战略意义。

  “我们下面会对通信这个方向,结合高通和大唐这方面的优势来做一个新的布局。我们希望新的公司能够在世界处于领先地位,我们也相信这个公司的利润率比较高。”上述负责人对记者表示,“我们现在是聚焦在无线通信这个领域,但是大家可以看到这个无线通信实际上在过去发展的历程中,手机只是一个平台,我们认为这是一个战略的制高点,所以我们必须要投入进去,我们会持续得支持这个公司。”

  据悉,建广为中国建投旗下的信息产业投资平台,曾因两次大手笔收购荷兰恩智浦半导体公司的产品线而备受市场关注。

  事实上,从国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》、国家集成电路产业投资基金正式设立后,中国半导体行业的并购热潮就被点燃。据不完全统计,各地已宣布的地方基金总规模已经超过2000亿元,已成为我国集成电路生态系统中的重要支撑力量。

  顺应着这股趋势,高通目前也与多地政府和企业成立合资公司。

  闫占孟对记者表示,此次合作符合高通一贯的风格,但授权的新公司中有没有高通核心技术的输入是关键,比如CDMA集成IP的授权。但在记者问答中,高通并未对这一问题做详细解释。

  而联发科则对该消息不予置评。 第一财经日报

4.中国IC发展战略需要再定位;

                                                                      近年来中国集成电路产业快速成长,发展势头被各方看好。但中国IC产业也引发了国际同行的疑虑:中国想干什么?中国想怎么干?是竞争对手还是合作伙伴?针对这些问题,中国科学院微电子研究所所长叶甜春指出,中国IC产业在经历了从无到有的产业链布局后,需要确立“升级版”的发展战略,在全球格局中需要再定位。

IC产业发展为何需再定位

我国集成电路产业之所以能够在短时间内获得高速发展,叶甜春指出,任何产业的发展都离不开产业链、创新链与金融链的协同配合,像集成电路这样全球化、高技术密集型的产业,更需要“三链”的配合推进。

2008年,核高基、集成电路专项、新一代无线通信等国家科技重大专项开始实施,我国开始围绕集成电路的产业链部署创新链;2011年发布的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发〔2011〕4号文),在资金、政策、融资、人才等方面为集成电路企业提供了重大支持,产业链建设加速;2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》(国发〔2014〕4号文)发布,建立了国家级的集成电路产业投资基金,同时激励了地方与社会资本对集成电路产业大规模投入,激活了集成电路产业的金融链。

目前,我国集成电路的技术体系已逐步形成,使产业生态和整体竞争力得到完善和提升。在IC设计方面,中国企业的高端芯片设计能力大幅度提高。在制造方面,中国不仅开始大规模扩产,制造工艺也取得长足进步,65纳米、40纳米、28纳米工艺量产,14纳米技术研发突破,特色工艺竞争力提高。

同时,封装业从中低端进入高端,竞争力大幅度提升;关键装备和材料实现从无到有,整体水平达到28纳米,部分产品进入14纳米,被国内外生产线采用。最重要的是,培育了一批富有创新性、具备一定国际竞争力的骨干企业。

立足自身发展的同时,中国资本也积极参与海外并购,2016年的相关案例包括:建广资产27.5亿美元收购NXP半导体标准产品部门、北京亦庄国投与集创北方1.36亿美元收购IML显示业务、中芯国际4900万欧元收购Lfounry70%股份、山海资本5亿美元收购硅谷数模等。

然而,中国IC产业的这一系列动作也让海外政府有些“恐慌和凌乱”,不仅美国外资投资委员会多次否决(或阻挠)中资并购案,在美国总统科学技术咨询委员会向美国新政府提交的报告中,也建议对中国集成电路产业进行限制。

“这体现出国际同行对中国集成电路的发展仍然心存疑虑。对于中国想干什么,想怎么干,未来主要是竞争对手还是合作伙伴,都不清楚。”叶甜春说。因此,从这个意义上说,发展到现在这个阶段,中国IC产业需要对自身未来的发展战略进行再定位。
 中国电子报


5.邓中翰:让数据和智能服务像电力一样无处不在;

邓中翰表示,在未来发展的过程中,我们愿意投入技术成果和研发力量,与政府一起在城市大脑的研发、建设和运营方面进行探索,并在不久的将来成为重要的城市基础设施,让数据和智能服务像电力一样无处不在,无所不能,为南京市的可持续发展提供智力和动力。中星微近年来在徐庄软件园和江北新区都有项目落地。

邓中翰说,南京良好的产业基础与领导人前瞻的谋篇布局,让我们对新一代信息技术产业的发展前景充满信心。中国工程院院士、中星微集团首席科学家、生长都在南京的邓中翰由衷地说:“每次回到南京,我都能清晰地感受到这里发生的变化、取得的进步,作为一个土生土长的南京人,我为此而深感骄傲与自豪。”

近日,邓中翰积极参与了南京信息技术产业的发展,在江苏发展大会的紫金科技创新论坛和当晚南京举办的“金陵故乡行”返乡考察活动中,对于家乡近几年的发展,邓中翰赞叹有加。

作为一名较早从美国归国创新创业的留学人员,邓中翰一直倡导“融会东西,致力民族复兴;心存天下,建设创新国家”。邓中翰认为,只有将个人的前途和命运与祖国的前途和命运结合起来,才能创造更有价值的无悔人生。

1999年,邓中翰从硅谷应邀回国承担“星光中国芯工程”,在北京中关村组建中星微电子公司,并承建国家重点实验室,致力于数字多媒体芯片的开发、设计和产业化。作为“星光中国芯工程”的总指挥,邓中翰带领团队改写了中国无“芯”的历史。2009年,邓中翰成为最年轻的中国工程院院士。去年,邓中翰再次带领团队攻坚克难,成功开发出国内首款具备深度学习能力的神经网络处理器,在安防监控领域实现了规模化应用,标志着我国在深度学习人工智能领域走在国际先进行列。                                                                                                                                                                                     来源:中国网


6.中科大在氮掺杂石墨烯生长的原子尺度机理研究方面获进展


近日,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心博士崔萍与教授李震宇、曾长淦等校内外同行合作,在氮掺杂石墨烯生长的原子尺度机理研究方面取得新进展,通过理论计算预言了利用芳香性分子C5NCl5在Cu(111)表面上可自组装实现高浓度、高有序的氮掺杂石墨烯。该研究成果以A Kinetic Pathway toward High-Density Ordered N Doping of Epitaxial Graphene on Cu(111) Using C5NCl5 Precursors 为题5月12日在线发表在《美国化学会志》[J. Am. Chem. Soc. 2017. DOI: 10.1021/jacs.6b12506]。

  石墨烯在其费米面附近形成狄拉克锥,电子能量与波矢呈线性关系,载流子迁移率高达~200000 cm2V-1s-1。这些性质使得石墨烯在许多领域有着非常广泛的应用前景。然而,本征石墨烯虽然具有高的载流子迁移率,但作为半金属,载流子浓度很低,大大限制了其在半导体器件中的应用。近年来,人们试图通过各种手段来调控石墨烯的载流子浓度,其中化学掺杂和修饰是重要的调控方法。通过化学掺杂,例如氮元素的掺杂,可以有效地调节石墨烯费米面的位置,从而增加载流子浓度。但是,目前氮掺杂石墨烯的制备还存在很多问题,例如氮的掺杂浓度偏低、掺杂位置无序等,后者也使载流子在输运过程中遭遇更强的散射,导致载流子迁移率大大降低。因此,如何可控地生长制备高浓度、高有序的氮掺杂石墨烯是一个极富挑战性的难题。

  针对这一难题,崔萍与合作者通过第一性原理计算预言,利用C5NCl5分子在Cu(111)表面上自组装可获得高氮掺杂浓度(1/6)、氮原子排列更有序的石墨烯,并揭示了在生长过程中基于三种原子/分子间力的协同作用的原子尺度机理(如图所示)。首先,作为芳香性分子,C5NCl5与Cu衬底之间较强的范德瓦尔斯作用力可大大升高分子在Cu衬底上的吸附能,使得在相对低的过饱和气压下即可实现低温生长。其次,由于C-Cl键较弱,吸附的C5NCl5脱氯比通常利用碳氢化合物前驱体生长石墨烯过程中的脱氢反应更容易,可实现快速、连续脱氯,进而在Cu衬底上形成大量的C5N自由基。第三,C5N自由基在Cu上的转动和扩散能垒都相对较低,同时这些自由基带有相同的电荷,彼此之间存在长程库仑排斥力,这种排斥力可影响C5N在Cu衬底上自组装时的整体取向,形成相对更有序的结构。另一方面,C5N通过所带的氮原子的“钉扎”作用可有效限制其在Cu(111)上的取向,也有利于抑制生长过程中晶界的形成。基于这种生长方法,有望制备出高度有序的氮掺杂石墨烯合金单晶,从而获得具有高载流子浓度、高迁移率等特点的二维金属。

  此外,崔萍近期在二维材料体系的生长机理、形貌控制与物性优化研究中做出了一系列原创性工作。其中,作为主要(第一或通讯)作者继去年在石墨烯纳米条带自旋电子学[Phys. Rev. Lett. 116, 026802 (2016)]和石墨烯受限催化[Nano Lett. 16, 6058 (2016)]的两项研究之后,今年在过渡金属二硫族化合物的边缘重构机理[Nano Lett. 17, 1097 (2017)]与可控生长[Nature Commun. 8, 15135 (2017)]以及单层蓝磷的生长机理[Phys. Rev. Lett. 118, 046101 (2017)]等方面又取得了一系列新进展,部分理论预言已被实验所验证。这些工作有望在二维材料的研究中产生深远影响。

  上述研究得到了国家自然科学基金委、科技部、中科院和教育部的资助。

  论文链接:1 2 3 4 5 6



通过分子自组装实现高浓度、高有序的石墨烯氮掺杂的动力学机理示意图  中国科学院网站





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