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传三星平泽厂将大扩产,NAND惨、DRAM也不妙?

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来源: 精实新闻   发布者:精实新闻
热度28票   时间:2017年12月05日 12:10
摩根士丹利看淡NAND flash价格,引爆内存的庞大卖压。 部份分析师强调,DRAM价格仍稳,内存业情况不会太糟。 然而,韩国消息透露,三星电子也许有意在南韩平泽(Pyeongtaek)厂大幅增产DRAM,要是消息为真,将再次重创内存业。

韩媒etnews 4日报导(见此),三星平泽厂区的半导体一号厂,共有两层楼。 据称二楼无尘室建造进入最后阶段,三星订购首批3D NAND flash设备,估计初期产能为每月1万组。

半导体一号厂的一楼设有餐厅和办公室等,剩余空间较少,每月只能生产10万组芯片。 二楼空间较多,每月可生产20万组芯片。 二楼分为东西两翼,东翼预定生产7万组3D NAND flash和3万组DRAM、西翼预定生产10万组DRAM,三星不久后应会下单采购DRAM设备。

报导称,要是三星加快投资脚步,并决定把二楼多用于生产DRAM,DRAM可能供过于求,价格由涨转跌。 业界人士说,内存价格取决于三星投资速度;不仅如此,三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND flash),料于2018年底或2019年启动。

此一消息也许不利美光。 大摩分析师之前表示,尽管NAND flash价格走低,DRAM仍是亮点,将支撑美光股价。 巴伦(Barronˋs)1日报导,大摩分析师Joseph Moore报告称,NAND在美光营运比重占不到1/3,大摩坚守NAND价格将跌的看法,但是由于DRAM价格持稳,美光仍有可观的盈余成长空间,近来拉回是进场机会。


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