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抢攻全球NAND Flash市场,美光宣布在新加坡兴建第3工厂

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来源: Technews   发布者:Technews
热度50票   时间:2018年4月08日 15:58
在市场 NAND Flash 快闪存储器供应仍有缺口,导致价格已就维持高档的情况下,包括国际大厂三星、SK 海力士、东芝,以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际,7 日美商存储器大厂美光(Micron)也宣布扩产,以补足市场供不应求的缺口。

美光指出,继目前在新加坡拥有 Fab 10N、Fab 10X 两座 NAND Flash 快闪存储器工厂之后,将在当地兴建第 3 座 NAND Flash 快闪存储器工厂。新工厂的占地面积约 16.5 万平方米,计划 2019 年年中前后完工,2019 年第 4 季开始投产。

不过,美光没有公布新工厂的具体投产 NAND Flash 快闪存储器类型和产能。但是,根据外界的预估,其投产的 NAND Flash 快闪存储器产品类型,应该是现有 64 层堆叠快闪存储器的下一代产品。

另外,美光除了宣布将在新加坡兴建第 3 座 NAND Flash 快闪存储器工厂之外,美光还表示,将在新加坡扩大当前的研发规模,这将使得当地员工总数,有望从目前的 7,500 人增加到 1 万人以上。

除了美光在 NAND Flash 快闪存储器的发展外,在 DRAM 方面,值得一提的是,不久之前,美光的台中工厂也因为供氮设备出现电路问题,发生氮气供应故障的情况,影响到部分的产品。对此,美光CEO Sanjay Mehrotra 在之前的法说会也已经证实此事。

Sanjay Mehrotra 表示,氮气供应受阻事件恐将导致美光本季 DRAM 产出减少 2% 到 3%。而美光已经将相关故障设备被送往美国进行维修,并于日前重新回到工厂,并且在 4 月份开始重新投入生产的工作。


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