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SK海力士积极对外网罗人才,稳健发展CIS事业

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度13票   时间:2017年2月21日 19:56
集微网消息,SK海力士(SK Hynix)为了提高CMOS影像传感器(CIS)的事业竞争力,不但积极对外网罗人才,基础设计部分也准备重新开始。2017年利川12吋晶圆厂(M10)的生产目标虽为1,300万像素的CIS元件,但SK海力士以谨慎的方式稳固基础。

据韩媒Digital Daily报导,业界消息指出,SK海力士日前将设计部长曹光保(音译)任命为CIS事业部长。曹光保在2016年3月离开安森美半导体(ON Semiconductor)后,开始为SK海力士效命,并且曾在乐金电子(LG Electronics)、美光(Micron)、Aptina等公司任职。

SK海力士从2014年起持续网罗非存储器领域的专业人才。另一位曾在三星电子(Samsung Electronics)负责CIS电路设计与新一代演算领域的专家金泰灿(音译),后来也转职到SK海力士。

据了解,SK海力士为了加强CIS事业竞争力,准备从设计到材料逐步奠定基础,目标改善背照式(BSI)CIS的暗电流(Dark Current)问题,求取更优异的性能表现。

SK海力士同时也研发相位对焦(PDAF)技术,计划开发双像素(Dual Pixel)CIS元件。一般CIS每个像素只有1个光电二极体(Photodiode),双像素CIS的每个像素将有2个光电二极体。

采用PDAF技术的CIS元件,其色彩对比更佳,对焦速度也更快。2016年之后上市的高端旗舰款智能手机内,大多采用具有PDAF技术的CIS元件。

在材料部分,SK海力士准备寻找新的介电物质(Dielectric Material),氧化铝(Al2O3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化铪(HfO2)等皆在候选名单之列,其中又以二氧化铪的可能性最高。

因为二氧化铪不但是铁电随机存取存储器(FeRAM)的关键材料之一,与矽(Si)经过适当比例混和、加热退火(Annealing)后,可形成正方形结晶构造,具有很强的介电性。

SK海力士副会长朴星昱曾表示,公司将CIS元件视为长期性的事业,将依照存储器、CIS、晶圆代工的顺序进行人力配置。



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