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张忠谋:台积电目前没赴美设厂计划,3nm花落何处明年确定

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来源: 集微网   发布者:集微网
热度1票   时间:2017年3月21日 07:01
1.张忠谋:台积电目前没赴美设厂计划,3nm花落何处明年确定;
2.高通将启动品牌、产品命名改造计划;
3.高通推出适用于低价功能手机的新产品;
4.英特尔首批3D XPoint存储产品出货 速度是闪存的千倍;
5.3D XPoint内存点燃SSD市场新战火;
6.基情说完就完 索尼称不再向第三方提供某些传感器

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1.张忠谋:台积电目前没赴美设厂计划,3nm花落何处明年确定;

集微网消息,据台湾媒体报道,晶圆代工先进制程竞赛进入白热化阶段,晶圆龙头台积电藉助3nm、5nm大步跳跃,挑战英特尔霸主宝座,传出台积电为加快布局脚步,3nm制程拟赴美设厂生产,除了因应大客户回美生产需求,南科环评作业时间及缺电问题,让台积电认真启动赴美投资计划。

台积电、三星、英特尔在7nm、5nm先进制程竞争,进入白热化阶段,三星与英特尔全力冲刺7nm,英特尔今年资本支出均成长二成,达到120亿美元,三星维持在125亿美元规模,台积电预估今年资本支出达100亿美元规模,为求竞赛超车,台积电加速3nm布局脚步拟赴美投资设厂。

业内人士指出,台积电将美国设厂列为选项之一,不意外,因应川普美国优先保护主义崛起,台积电主要大客户苹果、Nvidia等倍感压力,先前台积电董事长张忠谋已抛出赴美投资可能说法,加上竞争对手英特尔与三星在美均有新的投资计划,台积电为全球最大晶圆代工厂,理应思考要如何响应川普政府投资美国政策。

不过,据报道,台湾科技部长陈良基今20日中午去电台积电董事长张忠谋,张忠谋向陈良基强调,台积电目前规划以投资台湾为优先,并无赴美投资设厂之计划。

台积电5nm先进制程确定落脚在台南科学园区,不过,原预定将到高雄路竹科学园区投资3nm,却传出可能出走到美国投资,不来高雄设厂;南科管理局昨天否认这项传闻,并强调仍在努力争取中,更何况台积电时程尚未定,但最快2018上半年会有比较明朗的答案。

南科管理局指出,台积电是一家动见观瞻的科技公司,对于要下任何一个决定,本来就是斟酌再三,据了解,台积电3nm先进制程,因属于台积电营运长远布局,在何处投资、设厂还在评估中。

比较确定的是,今年初1月,台积电于台南科学园区规画设置5nm先进制程厂房,已通过环评大会环差审查,台积电将投资5000亿元新台币建厂,预计下半年开始动工,2019年上半年试产,预估可增加5000名就业人口。

南科管理局表示,台积电5nm以下若能进驻高雄园区,可望让南台湾发展成全球顶尖的半导体聚落,倘若台积电最后不来,真的会很遗憾,也是台湾一大损失。

工研院IEK主任室计划副组长杨瑞临昨天指出,台积电3nm选址非常关键,牵动后续1nm以下次纳米发展的量子计算机,需要极先进的材料、技术及设备,建议政府应尽早邀集学界参与,全力留住台积电在台设厂,否则将让半导体生态链断层。

杨瑞临表示,1nm以下的量子计算机技术,可能不会以硅晶圆为基础,可能采用全新二维材料,处理器必须具备四位、甚至16位的处理能力。 因此,量子计算机未来除了要求高频及更省电外,还须具备能承受大电流等特性,这些技术和材料,都是因应更庞大高速运算和人工智能发展,将改变半导体产业的生态。

台积电董事长张忠谋今年1月,曾表示,该公司不排除在美国建芯片工厂的可能性,从而加入了一系列响应美国总统特朗普号召考虑在美国进行生产的企业行列。

台积电发言人迈克尔-克莱默周一对路透社记者表示:“我们在明年之前不会做出决定。”该公司目前约65%的营收来自美国。


2.高通将启动品牌、产品命名改造计划;

全球手机芯片龙头高通(Qualcomm)宣布,旗下高通技术公司(QCT)将在接下来数个月针对旗下产品品牌定位做出多项异动与更新,希望藉此明确传达为客户与其终端用户所提供的技术与产品价值,其中,骁龙(Snapdragon)将是第一波着手改造的品牌之一。

数十年来,半导体产业一直用「处理器」一词来定义驱动最先进装置的组件,包括高通知名的骁龙(Snapdragon)处理器。 不过,高通认为,处理器并不是一个适当的词汇,因其没有忠实地诠释此技术结晶的真正意涵,亦未确切表达它实际上是高通技术公司数万名发明家竭心尽力所开发出的解决方案。

高通认为,Snapdragon不仅仅是一个组件、一颗硅芯片或是许多人误认为的中央处理器,实际上是诸多技术的组成,包括硬件、软件以及服务等,无法单以「处理器」之名而被涵盖。 而正因为如此,高通技术公司决定重新定义我们的用词,将Snapdragon处理器改称为「平台」。

高通指出,Snapdragon平台让其贡献超越单一芯片的范畴。 虽然就处理器的外型规格而言,它的确是一颗内嵌有整合式调制解调器、CPU、GPU、以及DSP等客制化技术的系统单芯片(SoC ),但除了芯片本身之外,Snapdragon平台还涵盖了诸多最终用以支持种类繁多的装置的技术。

高通举例,这些技术包括从射频前端组件,少了它行动装置就无法撷取讯号、拨打电话或浏览网页,一直到高通QuickCharge 技术、高通Aqstic audio DAC、Wi-Fi(802.11ac与11ad)、触控控制器及指纹辨识技术,全都设计用来和系统单芯片协同运作,以提供卓越且流畅的用户体验。

高通认为,藉由Snapdragon平台,我们现在能够向装置制造商阐明我们的产品所提供的价值-从开发让装置呈现绝佳影像与影片的各种算法,一直到确保电池拥有超长续航力的技术。

更重要的是,高通认为,「平台」一词将被用以诠释各项关键用户体验的结合,包括相机、连接能力、电池续航力、安全防护、沉浸式体验等不可或缺的关键技术;而这些体验将不再局限于智能型手机,更可应用于包括汽车、物联网、以及行动PC等各个垂直市场。

高通强调,未来只有旗舰级行动平台会继续延用Snapdragon的名字,而200系列处理器则会采用新推出的高通Mobile品牌名称。

高通认为,以新推出的高通Mobile品牌推出200系列行动平台,将有助于辨别入门级/量产型解决方案以及我们的旗舰/高阶Snapdragon优质行动体验平台,目标是为客户创造更鲜明的品牌形象以及更好的期望。

高通指出,此举虽非剧烈的转变,但相信这是迈向正确方向的一步,协助该公司以更好的方式展现一颗芯片的整体价值,超越「速度与处理量」的框架,让大家能够更清楚执行于整个平台的广泛作业,并了解高通技术公司如何提升其于半导体产业的地位。

高通并相信,全新的命名将协助我们的客户,更明确地向消费者说明高通Mobile以及高通Snapdragon技术为其产品注入的价值。 随着我们将版图扩展到行动产品以外的领域,我们希望全新的命名能够忠实地反映出其中的差异,从行动PC与服务器,一直到汽车、网络摄影机、无人机、VR/AR头盔及其他众多产品。经济日报


3.高通推出适用于低价功能手机的新产品;

高通将推出一款适用于低价功能型手机的新产品,旨在向新兴市场低价基础款手机用户提供更快速无线服务。该产品将从第二季度开始发货。



高通公司(Qualcomm Inc., QCOM)将推出一款新产品,旨在向新兴市场低价基础款手机用户提供更快速无线服务,以尝试扩大该芯片巨头在无力负担智能手机的消费者之中的影响力。

该公司表示,这款新产品配置了一个处理器以及其他硬件和软件,能使所谓的功能型手机使用当今速度更快的无线网络。该产品将从第二季度开始发货。高通称,新芯片专为在印度、拉丁美洲和东南亚等市场销售的手机而设计,可使电池寿命更长,对社交媒体和其他内容的接入更快。

高通表示,在上述这些市场,功能型手机的价格通常介于15-50美元不等,而且是为老一代2G和3G无线网络设计。使用高通新芯片制造的功能型手机价格为50美元左右,专为当前的4G无线网络而设计。

这款新产品对高通竞争对手、台湾半导体公司联发科技股份有限公司 (MediaTek Inc., 2454.TW, 简称:联发科技)构成一个冲击。从传统上讲,联发科技在功能型手机业务方面较为擅长,但近年来该公司已大举进军高通的主要产品领域--智能手机市场。华尔街日报


4.英特尔首批3D XPoint存储产品出货 速度是闪存的千倍;

凤凰科技讯 据外媒北京时间3月20日消息,英特尔将在当地时间周日开始出货首批基于3D XPoint新技术的产品,希望借此重塑计算机内存市场,协助公司从科技行业的数据爆炸中获得更多利润。

英特尔在周日开始大范围出货新的存储驱动器,它基于一项名为3D XPoint的技术。英特尔称,公司花费了十多年时间开发这项技术,将其标榜为一种新的内存类型,填补了传统内存和闪存之间的缺口。传统内存速度快,能够存储立即使用的数据。闪存则可以用于更长时间的存储数据。

“它模糊了系统内存和存储之间的界限,”负责英特尔数据中心集团的执行副总裁黛安·布莱恩特(Diane Bryant)称。她表示,3D XPoint可以协助加快欺诈检测、零售购买推荐以及自动驾驶等任务。

英特尔称,处于发展初期3D XPoint技术要比NAND闪存快1000倍,但是速度仍只有DRAM内存的大约1%。考虑到它们与计算机的连接方式,英特尔首批出货的存储驱动器无法充分利用新技术的速度。

英特尔的核心PC和服务器处理器业务面临挑战,希望借助新技术扩大其存储业务。去年,英特尔存储业务营收为26亿美元。半导体市场研究公司Objective Analysis分析师吉姆·汉蒂(Jim Handy)称,去年全球存储市场销售额约为800亿美元,英特尔占据其中3%。

英特尔CEO科再奇(Brian Krzanich)在1月份表示,公司预计3D XPoint产品将在今年占据存储部门营收的10%,“2018年的占比将大幅提升”。


英特尔CEO科再奇

不仅如此,英特尔还希望3D XPoint能够刺激公司所有业务实现增长。英特尔寄望于人工智能等数据密集型任务来推动处理器芯片和其它产品的销量,赌定3D XPoint能够让这些产品更具吸引力。

不过,英特尔要想实现这些目标,就需要以一个具有吸引力的价格、能够盈利的方式制造这项技术。英特尔已经表示,3D XPoint芯片能够在传统芯片制造工厂生产。但是汉蒂表示,要想大规模量产使其成为一项平价技术,困难不小。他表示,英特尔已经表示,3D XPoint需要新材料,还得把它放在层内,这两项在量产过程中都具有挑战性。

英特尔3D XPoint芯片相对便宜,每375GB的售价为1520美元,约为每GB 4美元。汉蒂称,这低于DRAM芯片的价格,后者每GB售价介于4.50美元至5美元之间。但是,3D XPoint的售价远高于NAND闪存,后者每GB售价介于20美分至25美分之间。

尽管英特尔声称3D XPoint的速度要比NAND闪存快出几个数量级,但是该公司出货的首批产品只比NAND固态硬盘快5倍至8倍,原因是受到了连接存储器和计算机的传统接口的限制。英特尔计划在今年晚些时候推出其他3D XPoint产品,使其更加直接地与处理器连接在一起,以最高速度运行。


布莱恩特称,英特尔的最终目的是希望它能够推动计算机系统的创新,因为要想充分利用3D XPoint这项技术,厂商需要新的硬件和软件设计。

知情人士称,戴尔正在测试这项技术。英特尔称,阿里巴巴集团正在使用它协助执行互联网搜索,哈佛大学正在云计算服务中使用它。

英特尔与长期合作伙伴美光联合开发了这项技术,目前正在使用Optane品牌展开营销。美光将使用QuantX品牌进行营销,计划在今年销售基于这项技术的产品,但尚未宣布针对这项技术的具体产品计划。

3D XPoint的技术原理是英特尔和美光的商业机密,引发了许多猜测。尽管DRAM和NAND芯片使用硅中经过蚀刻的晶体管来存储代表数字0和1的电荷,但是英特尔已经表示,新技术没有使用晶体管,也不存储电荷。相反,它使用电流在一种专有材料中做出物理变化。英特尔和美光尚未公开为这种材料命名。(编译/箫雨) 



5.3D XPoint内存点燃SSD市场新战火;

第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘(SSD)问世...

英特尔(Intel)终于发表了第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘(SSD),这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开创新市场的新一代内存技术,建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。

新款DC P4800X系列固态硬盘采用NVMe标准接口,一开始将提供375GB容量、零售价1,520美元的版本,约是目前类似NAND快闪记忆卡的三倍价格;该SSD号称读写延迟低于20微秒(microsecond),以及估计一天30次磁盘写入的耐久度、长达三年的产品寿命。 而在今年底之前,英特尔还将推出750GB与1.5TB、寿命估计可达五年的版本;该系列SSD都能以2.5吋的U.2接口以及扩充卡的规格供应。

英特尔的SSD性能号称依据工作负载,能比各种NAND快闪磁盘高出2.5倍到77倍;该款产品在读取速度上一般能轻松击败NAND SSD,但是非常依赖缓冲存储器的写入速度,两者之间则是不相上下。 新款SSD一开始的目标市场很广泛,包括元数据(metadata)关键值搜寻、事务处理、登录/日志(logging/ journaling)以及内存数据库(in-memory database)。

同时英特尔将销售能「骗」各种程序与操作系统将该款SSD当成主存储器、替代或扩充DRAM的软件。 该公司一位发言人表示,Optane控制芯片支持7信道,而因为平稳的芯片至信道下载(die-to-channel loading)而有最佳性能;第一版375 GB磁盘采用每信道4片媒介裸晶(media die),即总数28片裸晶。



Optane能随着工作负载增加而提供更快的写入速度
(来源:英特尔)

Optane硬盘容量在用户空间以外的某些部分,是专属于错误纠正码(ECC)、韧体与元数据,以确保其达到媲美NAND固态硬盘的可靠度;不过英特尔发言人表示,Oprane并不支持NAND的过容量(overcapacity),因为3D XPoint是一种位写入(write-in-place)媒介,与NAND闪存的分散不同。

英特尔婉拒预测这款新型SSD的销售量,不过期望英特尔与美光(Micron)在美国犹他州Lehi的合资晶圆厂在今年底之前的产能满载;该厂负责生产Optane以及美光Quantx固态硬盘采用的3D XPoint内存芯片,目前每月生产不到1万片的3D XPoint晶圆片。 美光是在去年8月发表Quantx硬盘,到目前为止还未公布该产品规格、销售价格或是上市确切日期,仅表示今年会出货。

预期将会于服务器以及闪存磁盘阵列采用Optane的HPE (Hewlett Packard Enterprise)的储存部门主管估计,这款新型SSD将占据该公司明年采购之SSD总数量的5~10%;而市场研究机构 Web-feet Research的储存分析师Alan Niebel则估计, 英特尔该产品在2017年的销售金额约会在1亿美元左右。

另一个变量是大型网络数据中心业者是否会广泛采用该款SSD;在一年前,Facebook对3D XPoint内存表示支持,并正在让RocksDB软件能对该内存提供支持,不过在今年的开放运算(Open Compute)会议上,Facebook的代表并没有提供关于采用该种SSD的最新讯息。

在Optane发表会上,英特尔引述了一位阿里巴巴(Alibaba)数据中心主管的证言,他对于重新架构该公司的搜索引擎以利用Optane固态硬盘感到十分热衷;此外英特尔也将中国的腾讯(TenCent)、服务器大厂Dell EMC,以及联想(Lenovo)列为Optane支持者。

Niebel表示,Optane的初始规格以及售价都在合理范围,也符合业界预期;英特尔提供能让用户将之做为主存储器的软件,也为预计明年推出的3D XPoint DIMM板卡预先铺路。



英特尔表示Optane针对数据中心常见的低队列深度(low queue depths)进行了优化
(来源:英特尔)

有少数新创公司开始推出采用磁性与电阻式RAM架构的替代方案,通常是锁定更利基型的应用;现在为SanDisk母公司的Western Digital (WD)在去年8月时表示,该公司将于十年之内推出ReRAM。

被称为「3D XPoint先生」的英特尔资深院士、内存技术开发总监Al Fazio表示:「这是在旅程中非常重要的一天,不过只是开始;我们现在已经开始提供DIMM样品。 」他表示,应用于DIMM的芯片需要不到50%的性能改善,应该是来自于良率的改善:「打造DIMM基础架构是闸控(gating)而非媒介项目。 」

Fazio表示,到目前为止3D XPoint技术的焦点都集中在材料科学,关键是找到并开发该芯片的正确材料组合,特别是选择器二极管(selector diode)需要能在CMOS后段制程的低温之下运作。 128Gb的首款3D XPoint内存在密度上完全超越DRAM,而且只落后NAND闪存一到两个世代,不过英特尔与美光在2015年7月大张旗鼓发表3D XPoint之后,产品上市却出现无预警延迟。

已退休的SanDisk创办人暨闪存技术先锋Eli Harari曾表示,新材料的功率与良率参数的特征化需要时间:「英特尔应该考虑将内存技术开放,并制造内存内处理器(processor-in-memory)芯片。 」

英特尔的Fazio则表示,不同于部分竞争技术,3D XPoint并非被设计为嵌入式内存使用:「这种内存的架构是高容量、低延迟以及低成本。 」英特尔的非挥发性内存事业群总经理Rob Crooke总结指出:「这里有数十亿美元的商机,而我们愿意为了掌握商机而投资。 」

编译:Judith Cheng

(参考原文: Intel Boots Drives with 3D XPoint,by Rick Merritt)eettaiwan


6.基情说完就完 索尼称不再向第三方提供某些传感器

近日Imaging Resource采访了索尼的高管们,从中得到了不少信息,索尼公司数字图像业务经理Kenji Tanaka表示,索尼将不再向第三方厂商出售某些型号的处理器,其中包括索尼的最新款处理器,新款处理器必须在索尼机身上使用一年后才可以对其他厂商发售,这或许也就是尼康一年多没有更新全画幅机型的重要原因。
海外媒体采访索尼高管
另外,除了传感器供应问题,访谈中索尼表示传感器发展的方向依然是:分辨率、灵敏度和速度。例如实现更高像素下的20fps连拍或者30fps甚至于100fps的连拍速度,而对焦识别技术仍然是相机AF速度提升的关键。另外索尼认为索尼之前传感器的优势主要在全画幅,未来会加大APS-C传感器的研发力度(终于要突破2400万像素了么?)。
编辑短评:现在需要由索尼提供传感器的包括尼康、宾得、富士、奥林巴斯、松下一部分、哈苏、飞思等等,中画幅传感器肯定不受影响,1英寸也还好,但是全画幅和APS-C的影响比较大,特别是尼康,不过索尼不是说不向所有第三方提供,可能尼康和索尼的基情还在,能够拿到些好东西?更多消息我们会继续关注,随时为您带来更多相关报道。中关村在线







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