旺宏电子(MXIC)日前宣布，在2012年的微电子元件界年度重要会议──国际电子元件大会(IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM)中，该公司共有五篇论文入选，显示在先驱记忆体之研发成果深受国际肯定，因此，自去年起，旺宏即有三位研究同仁分别获邀担任IEDM三个分组论文审查委员会之评审委员。
今年旺宏电子在IEDM所发表的五篇论文，主要是针对PCM, ReRAM及BE-SONOS等次世代非挥发性记忆体之材料结构、可靠性及制程微缩等问题进行深入探讨。

今年IEDM共有来自全球逾600篇论文投稿，最后评选出200余篇于会中发表。台湾获选论文除了旺宏以外，主要还包括交大6篇、国家奈米实验室4篇、工研院3篇及台积电2篇等。全球则以美国IBM发表22篇最多，欧洲比利时微电子研究中心IMEC的16篇居次。

旺宏电子董事长吴敏求指出，「继美国权威调研谘询机构专利委员会 (The Patent Board)评比旺宏的专利实力在全球半导体企业排名十八、台湾企业列名第一的结果之后，旺宏今年在IEDM获得的高入选论文篇数，又是另一项肯定旺宏研发实力的具体指标。」

旺宏电子总经理卢志远表示，「旺宏自2001年开始于IEDM发表技术论文，短短几年间，获选篇数即有明显成长，且每年均未缺席，近年来更经常成为论文篇数发表最多的台湾企业，显示旺宏在先驱技术的深耕有成。参与IEDM，除了可藉此评鉴自己的研发实力，同时也能向世界展现台湾的研发成果。」

旺宏十年来总计于IEDM发表41篇论文，近年来更是表现亮眼，例如2006年与IBM及Qimonda发表的20 奈米以下相变化记忆胞技术获选为年度重要论文，更受邀至隔年的ISSCC会中再次发表；2009年以第一作者(First Author)发表五篇论文，篇数居台湾业界及学术研究机构之冠。

旺宏也于2010年起受邀担任 IEDM三个分组论文审查委员会「Memory Technology」、「Displays, Sensors, and MEMS」及「Characterization, Reliability, and Yield」之评审委员，每届任期两年。