中芯宁波助力！业内首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组发布

作者：赵碧莹

2019-01-30

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（文/小北）中芯集成电路（宁波）有限公司（以下简称“中芯宁波”）和宜确半导体（苏州）有限公司（以下简称“宜确半导体”）联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组。

据悉，宜确半导体砷化镓pHEMT射频前端模组借助中芯宁波晶圆级微系统集成技术（uWLSI），实现了出众的微型化，并显著提高了核心组件间互连的射频特性，其封装尺寸可实现2.5x1.5x0.25立方毫米，是目前业界最紧凑的射频前端器件。该射频前端模块的第一个系列产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产，主要面向4G和5G智能手机市场。

中芯宁波所开发的uWLSI技术，可满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成，成为一种新的有竞争力的微系统集成方案，例如支持微控制器、物联网和传感器融合。

宜确半导体创立于2015年，主要从事高性能射频前端集成电路的设计、生产和销售，产品包括2G/3G/4G/MMMB射频功率放大器及射频前端芯片，射频开关芯片，低噪声放大器芯片，WiFi射频前端芯片以及射频电源芯片等。宜确半导体总部位于江苏省苏州市工业园区，并在上海、北京设有研发中心。宜确半导体所开发的芯片产品累计出货量超过10亿颗，对射频前端市场以及无线通信市场有深刻的理解。

中芯宁波分为N1(小港)与N2（柴桥）两个项目，将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地，采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式，并提供相关产品设计服务平台。2018年11月2日，中芯宁波200mm特种工艺N1项目正式投产，中芯宁波N2项目正式动工。（校对/春夏）

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