【专利解密】长鑫存储在堆栈式DRAM中的技术改进

作者：爱集微

2019-11-24

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1.【专利解密】长鑫存储在堆栈式DRAM中的技术改进；
2.飞骧科技：慧智微有误导舆论、不正当竞争之嫌；
3.无需赔偿5亿美元！苹果、VirnetX诉讼案件现新进展

1.【专利解密】长鑫存储在堆栈式DRAM中的技术改进；

【嘉德点评】长鑫存储买下了奇梦达留下的1000万份关于DRAM技术的文件，其中就包括奇梦达的Buried Wordline堆叠式技术。

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM) 是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。DRAM 技术其实有沟槽式（Trench Dram）和堆栈式（Stack Dram）两种，虽然堆栈式技术的竞争力相对较好，但是由于早期的市场原因，该技术被搁浅，同时发明Stack Dram的奇梦达 Qimonda 公司也宣布破产。

在当前市场上DRAM主要被韩国的三星、SK海力士以及美国的美光科技等国外公司的垄断，而国内的长鑫存储公司为了突破国外这一封锁线，买下了德国奇梦达 Qimonda早期关于Stack DRAM的1000万份技术文件。

在Stack Dram中随着采用埋入式字线结构的动态随机存储芯片的制程微缩，字线的结构也在不断缩小，同时电子迁移率衰减和饱和速度限制了驱动电流的提高，器件性能的改善变得非常困难。为了解决这一问题，长鑫存储申请一项名为“半导体存储器件结构及其制作方法”的发明专利（申请号：201711440259.8），申请人为长鑫存储技术有限公司。

该发明提供了一种半导体存储器件结构及其制作方法，用于解决现有技术中动态随机存储芯片性能的改善越趋困难的问题。

图1

图1是该发明专利中提的一种半导体存储器件结构的，首先我们提供一种硅基底101，它是包含单晶硅衬底(Si)及绝缘体上硅衬底(SOI)所组成群组中的一种，在硅基底101的表面采用外延生产工艺，可以形成锗硅渐变缓冲层102，其厚度介于500纳米～1000纳米之间。在锗硅渐变缓冲层102上是锗硅弛豫层103，为了保证锗硅弛豫层103与后续外延的单晶硅之间具有较大的晶格常数差，从而提高后续制作的埋入式字线结构的沟道应力，并提高器件性能，该层的锗含量会远大于锗硅渐变缓冲层102的锗含量。同样我们也可以用相同的方法在锗硅弛豫层103上形成硅外延层107，然后采用化学机械抛光工艺(CMP)对所述硅外延层107表面进行抛光，以获得平滑表面。

我们采用双重曝光(Double Patterning)、间距倍增(Pitch Doubling)及四重曝光(Quadruple Patterning)组成群组中的一种，用来形成顶层部109中埋入式字线结构的掩膜图案111。

另外，锗硅弛豫层103还包括中央弛豫侧壁106b，其位于两相邻的填充沟槽105b之间，周边弛豫侧壁106a以及中央弛豫侧壁106b也可以为埋入式字线结构的沟道提供应力。

此发明设计的半导体存储器件的结构中，是将两条埋入式字线结构分别设置在锗硅弛豫层填充沟槽内的有源区中，通过这种设计弛豫侧壁会对其内的有源区产生应力，以提高沟道内部电子的迁移率，进而提高器件性能。同时在本发明中还巧妙的设计了锗硅渐变缓冲层及锗硅弛豫层的锗硅比例，可以有效提高锗硅弛豫层的质量，并藉以提高外延硅外延层的生长质量。

长鑫存储在继承了 Stack Dram 优良传统的同时，又提出了新的技术创新和改进，有效克服了现有技术中的种种缺点，并且使该动态随机存储器具高度产业利用价值。

（校对/holly）

2.飞骧科技：慧智微有误导舆论、不正当竞争之嫌；

（文/holly），2019年5月,飞骧公司分别在广州知识产权法院和深圳市中级人民法院提起专利侵权诉讼，并在其微信公众号指称慧智微的“射频前端可重构技术”和多款产品涉嫌侵犯飞骧ZL201110025537.X号发明专利权。

昨（22）日晚，慧智微发表声明称，已向广州知识产权法院起诉深圳飞骧科技有限公司涉嫌恶意提起知识产权诉讼及不正当竞争，且法院业已立案受理，案号为（2019）粤73知民初1634号。

今（23）日，飞骧科技对此事做出了回应：我司尚未收到法院通知，将会通过正规的法律途径应对此事。慧智微公司反复就此发布声明，反而有误导舆论、不正当竞争之嫌。

其实早在11月13日，慧智微发表声明称：飞骧公司对慧智微侵权诉讼无成立基础，因为此前公司已向国家知识产权局提出了宣告涉案专利权全部无效的请求，国家知识产权局于13日正式发出无效宣告请求审查决定书（第42255号），宣告飞骧公司涉案专利权全部无效。

14日，飞骧作出回应：该审查决定仅是行政裁定，尚未进入司法程序，并无法律效力，公司已决定向北京知识产权法院提起行政诉讼，由司法机关对专利的有效性进行最终评判。

以下为声明全文：

广州慧智微电子有限公司（以下简称慧智微）发布声明称，已经向广州知识产权法院起诉我司涉嫌恶意提起知识产权诉讼及不正当竞争。我司尚未收到法院通知，将会通过正规的法律途径应对此事。同时，我司对慧智微声明中所表达的古怪逻辑表示不能理解。

我司重申，国家知识产权局关于我司ZL201110025537.X号发明专利（以下简称537号专利）的无效审查决定不是最终判定，尚有待法院审理和裁决。国家知识产权局也从未在任何公开渠道公告过537号专利无效，该专利仍然有效的存在于国家发明专利库中。慧智微公司反复就此发布声明，反而有误导舆论、不正当竞争之嫌。

做芯片不易，十年磨一剑，各种困难都要面对，最终是产品说话。芯片行业不是谈概念的注意力经济，工匠精神才是主旋律。我司将一如既往研发拥有自主知识产权的产品，做好技术积累，为芯片国产化尽绵薄之力。

深圳飞骧科技有限公司

2019年11月23日

（校对/叶子）

3.无需赔偿5亿美元！苹果、VirnetX诉讼案件现新进展

（文/木兮），就苹果和专利授权公司VirnetX长达近10年的专利诉讼中，日前美国联邦巡回法院做出最新决定，维持两项关于苹果侵犯专利的裁决（包括苹果设备上使用FaceTime功能），但推翻了另外两项裁决。

据悉，自2010年起VirnetX便指控苹果的FaceTime、VPN on Demand和iMessage侵犯了他们的四项与通信安全有关的专利，但苹果对此予以否认。

在此次漫长的纷争里，不同的法院对此做过多次裁决。其中2018年4月美国德克萨斯州的一联邦陪审团裁定苹果4项侵权属实，需赔偿近5.026亿美元。

不过近日美国联邦巡回上诉法院最初最新决定，维持其中包括FaceTime在内的两项裁决，而推翻另外两项。这便意味着，苹果无需对VirnetX支付此前裁决的5.026亿美元高额赔偿金。美国上诉法院表示，德克萨斯州的法官必须考虑是进行一项仅针对损害赔偿的新审判，还是重新计算不承担损害赔偿的审判。

对于此次裁决，VirnetX和苹果的代表尚未进行立即回应。而这一长达10年的诉讼案也不知何时能画上句点。