填补国产刻蚀工艺应用空白，北方华创助力上海ICRD 14nm SADP自主工艺研发
2019-12-05
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11月21日，上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)和北方华创联合宣布，ICRD采用北方华创NMC612D电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机等国产设备完成了14nm鳍式晶体管自对准双重图形(14nm FinFET SADP)相关工艺的自主开发，各项工艺指标均已达到量产要求，在集成电路14nm核心工艺技术上取得了重大进展。
ICRD使用国产集成电路设备进行了核心工艺研发，北方华创NMC 612D ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备，其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率，凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势，北方华创的NMC612D ICP刻蚀机为相关工艺的成功开发做出了重大贡献,并为5nm SAQP技术的自主开发奠定了坚实的基础。
NMC612D 电感耦合等离子体刻蚀机在ICRD 14nm FinFET SADP工艺开发中的成功应用，是ICRD和北方华创战略合作取得的阶段性重大成果，填补了国产高端集成电路设备在先进集成电路工艺制程领域14nm FinFET SADP刻蚀工艺应用的空白，证明了国产机台的性能已达到业界先进水平。（校对/图图）
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赵碧莹
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