1.数字人民币应用多点开花 紫光同芯方案全面赋能

2.思特威推出全系列升级CMOS图像传感器新品SC2336与SC3336

3.集微咨询:国内上市IC设计企业专利创新榜单发布

4.果纳半导体获数千万元A+轮融资 专注集成电路传输领域

5.RISC-V公司睿思芯科完成数千万美元A轮融资

6.国产霍尔电流传感器化解新能源车缺芯燃眉之急

1.数字人民币应用多点开花 紫光同芯方案全面赋能

在数字化经济的指挥棒下，数字人民币“魔力”十足，应用已“多点开花”。据《中国数字人民币的研发进展白皮书》显示，截至2021年6月30日，数字人民币试点场景已超132万个，覆盖生活缴费、餐饮服务、交通出行、购物消费、政务服务等领域。

作为中国金融数字化转型的助推器，数字人民币将在数字经济中发挥着不可或缺的作用。伴随着数字人民币的兴起，数字人民币解决方案厂商也无不在厉兵秣马。在近日举办的中国国际服务贸易交易会（简称服贸会）金融专题展上，紫光国微旗下紫光同芯展示了其数字人民币解决方案及其最新技术成果，就如同展会上展出的很多新玩法如老年智能拐杖、可穿戴设备中的手套钱包、可视卡硬钱包、解锁共享单车等等，让人大开眼界。

发展可期、前景可观

作为将纸币电子化又超越电子货币的一项创新技术，数字人民币“光环”加身：拥有主权信用的法偿性、双离线支付的便利性、定向流通的可追溯性。如《中国数字人民币的研发进展白皮书》所指，数字人民币综合使用数字证书体系、数字签名、安全加密存储等技术，实现不可重复花费、不可非法复制伪造、交易不可篡改及抗抵赖等特性，并已初步建成多层次安全防护体系，保障数字人民币全生命周期安全和风险可控。

从具体应用场景来看，数字人民币有诸多新玩法。紫光同芯营销副总裁邹重人介绍，第一类是手机类。通过手机SE和SIM卡等多种载体形态，配合手机App使用。第二类是卡类。根据钱包是否具备屏幕显示、身份识别、收款功能等，有标准IC卡、可视卡、指纹卡、全功能终端不同形式。第三类是可穿戴类，有手表、腕带、手套等不同类型，满足日常生活中的支付需求。第四类面向B端，多为智能POS机、车载智能终端等。

尽管数字人民币处于测试试点阶段，但邹重人对其发展十分乐观，认为数字人民币是未来数字经济发展的一个重大趋势，也是数字经济时代的一个基础设施，发展可期、前景可观。

在这一大趋势引领下，紫光同芯敏锐地意识到唯快不破，已然全线布局。邹重人提及，中国人民银行发布数字人民币项目以来，紫光同芯深刻感知到提高关键数字领域创新能力，夯实数字经济发展基础的重要性，因此组建专项研发团队，承担数字人民币硬件钱包标准建设和安全检测实验室搭建工作，负责硬件钱包的安全芯片底层安全设计和技术支撑，全力助推金融数字化转型。

紫光同芯大容量、高安全的数字人民币芯片解决方案在展会上得到了淋漓尽致的展现，紫光同芯市场部负责人孙晓红表示，这些方案可全面满足多主体、多层次、多类别、多形态的差异化需求，支持集成各类行业应用。目前紫光同芯已经与场景方一起搭建了数字人民币支付场景，正在积极配合运营机构推动数字人民币在多个试点城市进行试运行。

方案攻克安全与通信两大挑战

从已试点的信息来看，数字人民币拥有软件钱包和硬件钱包两种形态。邹重人指出，数字人民币与微信、支付宝等最核心的区别是其有一套硬钱包，可直接支持离线交易。可以说，双离线支付是数字人民币最突出的特点，也是区别于其他互联网支付方式的重要之处，可满足在飞机、地下室、停车场、偏远山区甚至是地理灾害等无网或弱网情境下的支付需求。

“相当于微信、支付宝是商业行为，数字人民币更多是政府行为，要求普适性或覆盖各个应用场景，就如同邮政和顺丰的区别。因在偏远地区网络环境并不理想，微信、支付宝很难普遍适用，但数字人民币双离线支付场景可以做到100%的覆盖。”邹重人形象地比喻。

而要实现双离线的100%交易，则面临两大维度的挑战。邹重人解说道，一则保证通信的稳定性，实现快速交易；二则因离线被攻击、破解的风险较大，要求支付设备必须内置达到一定安全加密等级的SE安全芯片。

为解决在离线交易场景下的安全和通信问题，在此领域积淀多年的紫光同芯自然是有备而来。邹重人强调，在通信方面，紫光安全芯片实现了更好的兼容性，并通过优化算法提升了交易速度。紫光同芯在不同的设备之间做了众多测试以保证通信的稳定，两个设备即使不同厂家生产也能保证通信的稳定；从安全性角度来说，紫光同芯不仅是首家通过国际CC EAL6+认证的中国安全芯片企业，而且还有国密二级认证、银联安全认证等，同时紫光同芯还在自己的安全实验室做实战式的攻防演练，以全力提升产品的安全级别。

具体来看，紫光同芯数字人民币解决方案在交易速度方面深度优化算法，使离线交易性能提升，“碰一碰”即可完成闪付；在安全防护方面，通过国际CC EAL6+安全认证，安全防护水平世界一流，可保障敏感信息传输与交易全过程的安全；在可靠性方面，用户空间大，擦写次数最高达50万次，数据保持时间最长达25年，能够最大限度地提供长效、持久的产品服务。同时，该方案支持国际、国密双算法，采用内存加密存储、总线加密存储等技术，建立起一套全方位保障安全存储、安全运行、安全连接的可信安全机制，契合数字人民币硬件钱包对交易性、安全性、可靠性的高标准严要求。

记者在展台还看到，紫光同芯展示了安全实验室是如何进行攻防演练，如何保障信息安全，以及怎么保护存储在芯片里的密钥不被破解的。

有了两大护法加持，众多合作伙伴也与紫光同芯合作，基于安全芯片共同推出了多款数字人民币相关产品和解决方案，如多形态硬件钱包、收款终端设备。对于数字人民币的持续推进，邹重人分析到，当前最重要的是将数字人民币的应用场景建好，这就需要很多应用场景开发出相应的程序或者APP及时与数字人民币的支付系统进行对接，从而使数字人民币的应用场景越来越多，让更多的人越来越愿意使用数字人民币。

超级金融芯赋能数字经济

紫光同芯在数字人民币上的全面备战和解锁，背后是紫光国微超级金融芯宏大战略的具象体现。

作为金融服务专题展的核心参展商，紫光国微旗下紫光同芯借助丰富的多媒体互动以及产品体验形式，不仅全方位展示了在数字人民币安全芯片生态产业链的高价值，还着重呈现了超级金融芯系列产品的创新科技应用。

紫光国微作为国内智慧芯片领导者，致力基于芯片核心能力，不断推出系统解决方案及创新终端，赋能千行百业智慧升级。重磅打造的超级金融芯、超级汽车芯等系列智慧生态创新产品已实现广泛应用，全球芯片出货逾130亿颗。

作为紫光国微的核心子公司，紫光同芯20年深耕安全芯片领域，占据技术与市场的领先地位，始终致力解决数字经济关键技术的研发突破，将尖端安全芯片技术融入到城市应用服务之中，助推移动通信、金融支付、政府与公共事业、物联网和车联网等领域的高质量发展。同时，产业生态规模持续扩容，不止在安全芯片领域攻城略地，其还在电源管理芯片、车载控制芯片、智能识别芯片等形成了矩阵体系，打造出完整的一站式方案。

从以往的系列金融支付安全芯片、金融终端安全芯片到麟铠安全芯片操作系统，再到最新亮相的数字人民币解决方案，可以说紫光超级金融芯的生态日益丰富，紫光国微打造的为行业提供涵盖硬件芯片、系统软件平台以及应用解决方案的全方位服务体系张力十足。

邹重人最后表示，未来紫光国微与紫光同芯将持续和客户、合作伙伴携手共进，以“超级金融芯”为金融科技创新提供源动力，并在更多领域、更大范围内发掘芯片的数字化应用需求，助力数字经济蓬勃发展。

2.思特威推出全系列升级CMOS图像传感器新品SC2336与SC3336

伴随着智能视频浪潮的到来，促使各应用领域对CIS产品的需求激增，据知名调查机构Yole预测，到2026年全球CIS市场规模或将达到315亿美元，汽车以及安防监控等领域将成为带动CIS市场高速发展的主要动力。

近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威（SmartSens），正式推出搭载DSI-2技术的全系列升级图像传感器新品——SC2336与SC3336，以高品质的视频解决方案赋能2MP-3MP安防及车载智视应用发展。

DSI-2技术，夜视全彩更清晰！

此次发布的两款CMOS图像传感器新品均采用思特威DSI-2技术，有效提升了产品的暗光成像性能，以SC2336为例，其感光度相较前代产品大幅提升了46.2%，同时结合思特威创新的SFCPixel®专利技术，使两款产品在低照度环境下仍能输出出色的夜视全彩影像。

日夜影像都高清！

同时，SC3336凭借思特威特有的PixGain技术，可实现High Gain及Low Gain的双像素转换增益成像，为白天及夜晚场景提供不同增益选择，以更好地适应环境光线变化。同时相较于前代产品，SC3336的满阱电子大幅提升了60%，动态范围提升了5dB，无论白天或夜晚均可输出清晰影像。

噪声更低，色彩更艳丽！

SC2336与SC3336均搭载思特威超低噪声外围读取电路技术，并结合影院级色彩视效技术，得以呈现出更加细腻、色彩更加逼真的夜视全彩成像。以SC2336的Chroma为例，低色温提升了15%，高色温提升了11.8%。

此外，针对因逆光产生的眩光问题，相较前代产品，SC2336与SC3336的电学串扰（Blooming）分别大幅减少45%与35%，改善了摄像头在逆光场景与夜晚拍摄灯光时易产生的溢光现象。

思特威副总经理欧阳坚先生表示：“5G促进了视频影像的快速升级和发展，成像性能作为主要技术基点渗透至智能安防以及车载电子等各类应用场景中，并持续助推智能视频分析技术的发展。此次思特威发布的两款全系列升级新品基于最新DSI-2技术，利用思特威先进的芯片设计技术与创新的工艺，将产品的暗光成像、色彩表现力以及噪声控制等性能再次精进，力求为当下主流安防监控摄像机以及高清行车影像设备提供高品质的视频影像基础。”

目前，SC2336已实现量产，SC3336已接受送样，预计将于2021年10月实现量产。想了解更多关于全系列升级产品SC2336与SC3336的信息，请与思特威销售人员联系。

3.集微咨询:国内上市IC设计企业专利创新榜单发布

近年来，随着信息技术的快速发展和国际环境的不断变化，我国集成电路（IC）产业以每年15%以上的增长速度快速发展，截至2020年，我国集成电路产业规模已达8848亿元。

一般来说，集成电路产业可以分为设计、制造和封测三大板块，其中，IC设计是集成电路产品制造的前端程序。根据爱集微咨询统计，2019年IC设计占到我国集成电路产业的四成以上，近年产业规模年均增长速度达到20%以上。IC设计也是国内集成电路产业中上市企业最多的细分领域。

爱集微知识产权咨询对国内IC设计概念上市企业的专利情况进行了全面梳理，权威发布中国上市IC企业专利创新榜单，多维度解读企业专利现状。

国内上市IC设计企业专利创新十强榜单

爱集微知识产权咨询从专利质量、法律状态、经济状况、技术先进性这四个维度分别选取多个指标，设置科学合理的权重运算生成爱集微“专利价值度”，用以量化企业专利的价值大小，进一步计算得到各企业“专利创新分值”，提供更加全面客观的专利评估指标。

在此基础上发布国内上市IC设计企业专利创新十强榜单。

专利创新分值从一定程度能够反应企业研发创新实力和行业影响力以及未来发展潜力，国内上市IC设计企业十强榜单基本分为三个梯队。

第一梯队：“韦尔股份”和“汇顶科技”专利总量均达到4000多件，专利创新分值高达3000分以上，榜单中遥遥领先；尤其“韦尔股份”的爱集微专利价值度达到0.763，在专利总量略低的情况下反超“汇顶科技”跃居第一。

第二梯队：“矽力杰”、“中微半导体”、“兆易创新”、“国民技术”专利总量均在1000件以上，然而由于爱集微专利价值度依次从0.673到0.480，使得最终专利创新分值逐渐拉大差距。“矽力杰”以专利创新分值为1155.57位居第三；“中微半导体”、“兆易创新”、“国民技术”的专利创新分值均在500分值以上，紧随其后。

第三梯队：“瑞芯微”、“北京君正”、“格科微”、“上海贝岭”专利总量集中在600-900余件，然而爱集微专利价值度却有所差异。“瑞芯微”受益于其专利总量927件相对较高，在爱集微专利价值度低的情况下，以专利创新分值433.32的优势排名第七。而“北京君正”、“格科微”则在专利总量没有优势的情况下，凭借相对较高的爱集微专利价值度跃升到第八和第九位。

国内上市IC设计企业海外专利十强榜单

海外专利布局为企业参与全球市场竞争提供IP保护，爱集微知识产权咨询发布国内上市IC设计企业海外专利十强榜单。

海外布局专利量能够一定程度体现企业对海外市场的占有率和竞争性，海外专利占比则能反应企业对海外市场的战略侧重程度。

国内上市IC设计企业海外专利十强榜单中，“韦尔股份”以海外布局专利量3053件和海外专利占比65.07%稳居第一；“汇顶科技”以海外布局专利量2555件和海外专利占比53.78%的优势位居第二；在海外布局方面，“韦尔股份”和“汇顶科技”仍然遥遥领先。“矽力杰”虽然仍位列第三，但其海外布局专利量为821件，海外专利占比也有所下降，为47.79%。

位列前茅的“中微半导体”、“北京君正”、“晶晨股份”海外布局专利量均为200多件，然而海外专利占比却并不突出，尤其“中微半导体”占比仅为21.27%。值得注意的是，“澜起科技”和“博通集成”虽然海外布局专利量仅为99件和78件，然而海外专利占比却高达50%左右，可见相对重视海外市场。上榜的还有“联创电子”和“乐鑫科技”，海外布局专利量都为60余件，海外专利占比却差异较大，其中“联创电子”的占比不足10%。

此外，值得一提的还有“恒玄科技”海外布局专利量为32件，海外专利占比达到16.33%；“敏芯微”海外布局专利量为24件，海外专利占比达到10.76%；“中颖电子”海外布局专利量为22件，海外专利占比为11.70%。这些企业虽然总体专利数量有限，但已经提前积极重视海外战略布局。

国内上市IC设计企业专利被引用比例十强榜单

专利被引用比例反映出一个企业布局的专利所属技术领域的研究热度和专利技术影响力，侧面反映出企业专利的技术先进性。爱集微知识产权咨询发布国内上市IC设计企业专利被引用比例十强榜单。

国内上市IC设计企业专利被引用比例十强榜单中，“韦尔股份”强势占领头条，被引用专利量为4205件，占到专利总量的89.62%；其次，“矽力杰”被引用专利量为1410件，占到专利总量的82.07%，具有相对优势；还有“国民技术”同样保持一定优势，被引用专利量为801件，占到专利总量的70.91%。值得注意的是，“澜起科技”专利总量虽然仅有180件，但被引用比例却高达85.91%，优势明显。

“聚辰股份”、“芯朋微”、“乐鑫科技”的被引用专利量不算高，只有60件、69件和125件，然而占专利总量的63%到70%之间，显示出一定的优势性，位列排行榜前茅。上榜的还有“瑞芯微”、“上海贝岭”、“全志科技”，被引用专利量依次为582件、423件、315件，占到专利总量的60%左右。

此外，引起关注的还有，“汇顶科技”被引用的专利量高达2110件，然而仅占到专利总量的44.41%；“兆易创新”和“中微半导体”被引用的专利量均为500多件，但也只占到各自专利总量的45%-48%之间。这些企业专利总量优势明显，但被引用的占比和频次相对较低，延展性和关联度有待进一步提高。

国内上市IC设计企业专利创新榜单

最后，爱集微知识产权咨询针对41家国内上市的IC设计企业发布完整的专利创新榜单，以供参考。爱集微知识产权咨询将持续关注各企业的专利数据更新和专利技术披露，并对榜单开展定期更新。

关于爱集微知识产权团队

  “爱集微知识产权”由曾在华为、富士康、中芯国际等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人、商标代理人以及资深专利审查员组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务，在全球知识产权申请、布局、专利分析、诉讼、许可谈判、交易、运营、一站式托管服务、专利标准化、专利池建设、IPO上市等方面拥有丰富的经验。

我们的愿景是成为“半导体行业卓越的知识产权战略合作伙伴”。

     知识产权业务详情咨询：刘婧 150 1006 2699

 ijiwei_ip@lunion.com.cn

4.果纳半导体获数千万元A+轮融资 专注集成电路传输领域

近日，上海果纳半导体技术有限公司（以下称“果纳半导体”）宣布完成数千万元A+轮融资，投资方包括中鑫资本、深圳天下未来、通富微电第一大股东华达微电等。

果纳半导体成立于2020年，专注于集成电路传输领域，主营业务为半导体传输设备模块及零部件，公司产品包括EFEM/WTS/SORTER/LOADPORT/ROBOT/VALVE等。该公司致力于被国外垄断的关键零部件的自主研发，解决“卡脖子”问题，填补国产零部件的空白，并尝试在“半导体晶圆传输”这一热门细分领域占据业内领先地位。

据悉，EFEM（半导体设备前端模块）是连接物料搬运系统和硅片处理系统的桥梁，确保晶圆能在高洁净环境下传输到工艺、检测模块，是半导体设备的重要配件。

2020年9月，果纳半导体第一台EFEM样机出货，发往国内知名半导体设备龙头企业。当时消息显示，果纳半导体不到半年就完成了首台EFEM样机的设计、组装、调试、交付。

中鑫资本合伙人王宝柱表示，国产替代是半导体投资的大逻辑。国内半导体制造领域近几年新增了大量产能，但设备国产化率仍然很低，国产设备中的核心零部件更是大量依赖进口，资本市场标的稀缺。中鑫资本投资国产设备零部件这个细分赛道综合了战略性、产业链布局、投资回报等诸多因素考虑，果纳作为该行业的优秀企业，值得期待。（校对/若冰）

5.RISC-V公司睿思芯科完成数千万美元A轮融资

RISC-V公司睿思芯科完成数千万美金A轮融资，持续加码自主可控的高端CPU研发。本次融资领投方为字节跳动及高瓴资本，跟投方包括联想创投、双湖资本、水木资本、真格基金等，北极光创投、百度风投等老股东持续跟投。

据悉，本轮资金将用于进一步扩大人才池及进行中高端线RISC-V芯片产品研发及落地。 

睿思芯科是一家基于RISC-V开源技术，为智联网提供核心处理器的芯片公司，创始团队来自加州伯克利大学RISC-V原创项目组。

睿思芯科的主打产品为基于RISC-V开源指令集的低功耗、高效能的核心处理器芯片，提供自主可控的高效能芯片和SiP（System-in-Package）解决方案，适用于可穿戴设备、智能家居、智能安防、农业、消费电子等多种IoT/AIoT应用场景。

值得一提的是，睿思芯科也是 RISC-V 国际开源实验室的重点合作企业之一。该实验室由RISC-V 奠基人 David Patterson 创立，聚焦 RISC-V 开源指令集 CPU 领域研究，未来将助力打破处理器硬件领域的商业垄断，推动半导体芯片的工业化进程。（校对/若冰）

6.国产霍尔电流传感器化解新能源车缺芯燃眉之急

伴随车辆电气化进程，新能源车中的电子元件含量与日俱增，其中独有的车载充电器（OBC）、车载DC-DC转换器、空调PTC加热器加上充电必备的充电桩都需要用到一种检测电流的传感器——霍尔电流传感器，当然，它必须能够满足车规要求。霍尔电流传感器的应用主要还有光伏逆变器、变频器、储能设备、通信电源，服务器电源等。

因量程宽、高精度、灵敏度高、线性度好、规范易安装、抗干扰能力强、质量可靠、平均无故障时间（MTBF）长等优点，霍尔电流传感器深受各个领域用户的信赖。

所谓霍尔传感器是利用霍尔效应来检测电流，当小电流通过一个置于磁场中的半导体薄片时，受到磁场作用发生偏转，在控制电流的垂直方向的半导体两侧形成电压差，该电势差就是霍尔电压。霍尔电压与磁场强度和半导体内通过的控制电流成正比。根据这一关系设计的器件，通过恒定的控制电流，利用霍尔电压的变化即可反应磁场强度的变化。而磁场可以由相应电流产生的，且磁场大小与电流有明确联动关系，因此可以测量电流强度。

最近，国内高性能高可靠性模拟芯片的研发设计企业苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称“纳芯微”）推出了集成电流路径的霍尔电流传感器NSM201X系列产品，为客户提供了更多的选择。

NSM201x系列路标

什么是集成电流路径呢？

通常，感应式电流检测有两种方式：一种是电流走IC外部，另一种是电流从IC内部流过。前者是将IC放在一定位置进行感应，如通过PCB布线走电流，把IC贴在PCB表面来感应电流；后者是将电流路径集成在IC內，优势是精度更高，体积更小，没有装配要求，市面上产品支持最大的峰值电流是±100A。因为散热和封装体积限制，太大的电流路径无法集成。

纳芯微推出的集成电流路径的电流传感器系列产品基于霍尔效应原理，采用隔离方式将峰值±100A以内的电流转换成线性电压输出，同时利用差分霍尔对来消除共模磁场的影响，这种方式可以抑制40dB以上的共模磁场干扰。

四大特点应用众多

NSM201X系列产品是高鲁棒的霍尔传感器，具有高可靠的隔离性能、高精密的信号调理，以高质量的品质管控生产，其主要特点包括：

特点一：高隔离性能

NSM201X宽体16脚版本封装（NSM2011，NSM2013）的原副边是隔离的，最大隔离工作电压达1550Vpk，耐压5000Vrms；浪涌绝缘耐压大于10kV；爬电距离和电气间隙满足8mm要求。其注塑成型材料采用CTI1级别材料（CTI>600）。量产测试时对每颗芯片进行绝缘测试，以确保每颗芯片的绝缘安全性能。

NSM201X窄体SO8脚封装（NSM2012）采用了先进的封装技术提高了原边电流和硅片芯之间的绝缘间距，耐压3000Vrms，浪涌绝缘耐压大于6kV。

NSM201X 同时满足UL62368/EN62368安规认证和AEC - Q100可靠性标准。

NSM201X已通过TUV和UL认证

特点二：低导通阻抗

NSM201X宽体SOIC16脚版本的导通阻抗为0.85mOhm，窄体SOIC8脚版本提供1.2mOhm导通阻抗，具有良好的温升特性, 导通阻抗基本和国外竞品持平；芯片的散热主要通过IC引脚将热量传导到PCB覆铜来实现，所以芯片的温升很大程度取决于覆铜的散热面积（Top和Bottom层）和覆铜的厚度。测试表明，在覆铜2盎司铜厚、面积为378mm2的相同条件下，NSM201X的温升和竞品基本相同。

NSM2011在评估板上35A电流时温升表现

特点三：高精度

NSM201X具备高灵敏度、低零点误差及良好的线性度（非线性度±0.2%）等特性，有助于降低器件的整体输出误差，在工作温度范围内最大总测量误差±1.5%。

特点四：高兼容性

NSM201X引脚兼容市面上主流霍尔电流传感器，支持5V和3.3V供电，且有直流输入版本、交流输入版本、可选比例输出电压版本和固定电压输出版本，以满足不同使用场景需求。

NSM201X引脚图

新产品适用于多种隔离电流采样场合，如光伏组串式逆变器DC输入侧MPPT（最大功率点）跟踪电流检测；工业变频器件中的母线电流及各桥臂电流采样；UPS及服务器电源、充电桩中的隔离电流采样。这些器件的AEC-Q100正在认证当中，之后将用于新能源车OBC、DC-DC的隔离电流采样，以及空调热管理系统中PTC加热器的隔离电流采样等。

三款产品各有特色

目前NSM201X系列主推型号有：NSM2011、NSM2012和NSM2013。

以NSM2011为例，它是基于霍尔原理、集成路径电流的高精度传感器，具有共模磁场抑制，隔离达5000V，导通电阻极低（0.85mΩ），减少了芯片的热损耗。

它采用纳芯微创新的隔离技术及信号调理设计，能够在满足高隔离等级的同时感测流过内部Busbar的电流。内部的差分霍尔对对外部杂散磁场有很强的抵御能力。

NSM2011通过感测流过芯片内部Busbar电流产生的磁场来间接检测电流，对比同样Shunt+隔离运放的电流采样方式，省去了原边供电且布局简单方便，同时具有极高隔离耐压及生命周期稳定性。

NSM2011支持比例输出，NSM2013则支持固定输出，固定模式方便客户ADC差分采样Vref以及Vout的电压，以减少外部共模干扰（比如温度等）。在高边电流检测应用中只需用一颗NSM2011即可达到1550Vpk工作电压，无需加任何保护器件即可耐受10kV浪涌电压和13kA浪涌电流。

由于NSM2011内部精确的温度补偿算法以及出厂精度校准，该电流传感器在全温度工作范围都可以保持很好的精度，客户无需做二次校准。

与NSM2011稍有不同，NSM2012是隔离达3000V的电流传感器，导通电阻为1.2mΩ。在高边电流检测应用中只需用一颗NSM2012即可达到600Vpk工作电压，无需加任何保护器件即可耐受6kV浪涌电压。

在带宽及快速响应时间方面，NSM2011为240kHz/2.2μs；NSM2012为400kHz/1.5μs；全温度高精度电流测量方面，NSM2011误差为±1.5%/零点误差±10mV；NSM2012总输出误差为±2%/零点误差±10mV。

典型应用场景

以NSM2011为例看看NSM201X系列产品的使用场景。

太阳能组串式逆变器：用在组串式逆变器DC输入侧，实现MPPT跟踪的电流检测，主要利用NSM2011的1550VDC工作耐压和13kA（IEC61000-4-58μs/20μs）雷击浪涌冲击耐受电流，以及0.85mOhm的导通电阻特性来满足应用要求。

NSM201x在太阳能组串式逆变器中应用框图

工业变频器：主要解决客户关心的绝缘耐压和导通电阻问题，利用NSM2011的5000V@1min和NSM2012的3000V@1min绝缘耐压，以及NSM2011的0.85mOhm和NSM2012的1.2mOhm导通电阻特性实现应用。

新能源车OBC：NSM2011用在OBC的PFC级的隔离电流采样，利用NSM2011的1550VDC绝缘耐压、0.85mOhm导通电阻和1.5%以内的高温精度满足客户的设计要求。

NSM201x在车载充电器中应用框图

新能源车PTC加热器：NSM2011用在新能源车PTC加热器。利用NSM2011的5000V@1min、3000V@1min绝缘耐压以及0.85mOhm的导通电阻，实现PTC加热器的隔离电流采样。

其他使用场景：事实上，凡是可以利用NSM201X系列几款产品特性的地方都可以用到，如通信电源、服务器电源，电梯驱动器，直流充电桩等场合，发挥其低导通阻抗、高精度、体积小，易于装配的特点，实现高隔离性能的电流检测，NSM201X系列的高兼容性也为用户提供了更多的选择。

跟进新兴应用扩大市场份额

在市场需求的推动下，像纳芯微这样的车规级芯片提供商正在开发体积更小、具备高精度和快速响应的电流检测解决方案方面发力追赶，以弥补我国高性能电检测元件方面的空缺；与此同时，国产霍尔电流传感器的量产也将有助于化解新能源车及其他行业缺芯的燃眉之急。