存储器作为电子元器件的重要组成部分，在半导体产品中占有很大比例。大到物联网服务器终端，小到我们日常应用的手机、电脑等电子设备，存储器都不可或缺。

存储芯片制造流程的核心环节主要包括IC设计、晶圆制造、芯片封装、成品测试。其中，芯片封装与成品测试是决定产品是否成功的关键步骤。采用先进封装技术包括晶圆级封装（WLP）、三维封装（3DP）和系统级封装（SiP），能够有效提升存储性能，以适应新一代高频、高速、大容量存储芯片的需求。

长电科技具有丰富的存储器芯片成品制造量产经验，能有效把控存储封装良品率，助力存储产品迅速发展。

先进工艺

随着芯片的厚度越来越薄，导致芯片强度下降，传统的磨划工艺很容易令芯片产生芯片裂纹。针对此问题，长电科技跨越了对芯片厚度有局限性的传统磨划工艺，根据金属层厚度与圆片厚度的不同，分别采用DAG（研磨后划片）、SDBG（研磨前隐形切割）、DBG（先划后磨）等不同的工艺技术。

以DBG工艺为例，该工艺可将原来的背面研磨→划片的工艺程序进行逆向操作，即先对晶片进行半切割加工，然后通过背面研磨使晶片分割成芯片。通过运用该技术，可最大限度地抑制分割芯片时产生的侧崩和碎裂，大大增强了芯片的自身强度。

领先的芯片堆叠技术

目前大部分存储芯片都采用超薄芯片堆叠封装技术，其原理就是将多个芯片在垂直方向上堆叠起来，利用传统的引线键合的封装形式进行封装。采用这种高密度芯片叠层封装工艺可使Flash产品在拥有高存储量的同时降低其封装成本，但该技术对于设备精密度的要求很高，因此，多层封装对于许多封装厂商来说是个巨大的挑战。

长电科技通过提供高密度芯片系统集成技术平台，能够满足更小尺寸、更高集成度的Flash产品需求。

严格、完整的过程把控

存储芯片完成封装工艺之后将进入测试阶段，长电科技在测试环节拥有先进的测试系统和能力，能够向客户提供全套测试平台和工程服务，包括晶圆凸点、探针、最终测试、后测试和系统级测试，以帮助客户以最低的测试成本实现最优解。

丰富的产品经验

在存储芯片领域，长电科技拥有近20年的成品制造量产经验。目前长电科技已经和国内外存储类产品厂商之间形成广泛的合作，包括NAND闪存以及DDR动态随机存储产品实现稳定量产。

随着芯片不断向微型化发展，先进的封测技术是未来存储技术的重要发展方向。长电科技作为中国封测领域的龙头企业，将在先进封测领域持续突破创新，致力于为客户提供优质、全面的服务，助力存储产业发展。