随着电子技术在工业、交通、消费、医疗等领域的蓬勃发展，当代社会对电力电子设备的要求也越来越高，功率半导体就是影响这些电力电子设备成本和效率的直接因素之一。自从二十世纪五十年代真空管被固态器件代替以来，以硅(Si)材料为主的功率半导体器件就一直扮演着重要的角色，功率MOSFET是其中最典型的代表。

MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管。它的基本机构如下图（图1）所示：P型半导体作为衬底，其两端各有一个重掺杂N+，分别作为源极（SOURCE,S）和漏极（DRAIN, D），在P型半导体表面涂上一层sio2绝缘层并在绝缘层上引出一端，作为栅极（GATE, G）。

图1. MOSFET原理示意图

  当栅源两端电压为零时，不论漏源之间的电压是正偏还是反偏，半导体中始终有反向偏置的PN结致使器件无法导通。当栅源两端加上一个正向电压且VGS上升到阈值时，P区形成一个反型层，为栅极和漏极之间创造了通路，此时MOS管导通。

  为了增加MOS的耐压能力，常在P区和漏极的N+之间增加一段漂移区，承受器件在反向耐压状态下的高电压。漂移区的掺杂浓度也决定了器件的大部分电阻，此即为LDMOS的基本结构。

图2. LDMOS结构示意图

除了横向结构以外，还存在一种纵向结构模式，称为VDMOS。在VDMOS结构中，漏端和源端、栅端不在同一平面（图3）。但与LDMOS相同的是，VDMOS的耐压和导通电阻同样主要由漂移区决定。所以提高漂移区掺杂浓度自然成为降低功率MOS导通电阻的方法之一。

图3. VDMOS结构示意图

在这样的背景下，为了得到大功率低损耗的功率器件，有学者提出，可以通过设置交替的PN条来提高器件漂移区的掺杂浓度进而实现低导通电阻，此即SUPER JUNCTION MOSFET(SJ MOS)。

图4. SJ MOS结构示意图

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