近日，露笑科技在接受机构调研时表示，公司从去年10月份就已经开始做器件端验证了，目前我们在SBD这一方面已经过了三轮验证，目前反馈的情况都很不错，公司的碳化硅衬底片在SBD这块应用已经比较成熟了。MOS这块公司尚处于验证过程中。

据露笑科技透露，公司刚完成25.67亿的非公开发行，募集资金已全部到位，接下来就是全力推进产能建设。目前我们已经到位的是280台长晶炉，有部分已经完成了前期的工艺安装调试，我们预计7月份大概能出产500-1000片,8月出产1000-2000片。原本我们的实施计划可以再快一些，但受限于一些辅料耗材进口方面的影响。我们预计到2022年底能实现月产能5000片的生产规模。目前公司募集资金已到位，公司将加速后期碳化硅产能铺设进程，随着后端相应的切磨抛进口设备到位，到明年4月份左右能实现月产能1万片，预计能够在2023年实现年产20万片的产能规划。

关于订单，露笑科技指出，东莞天域3年15万片的订单，公司目前已经在分批量进行交付了，后续随着实际产能的逐步爬升，整体交付进度有望进一步加快。

据悉，露笑科技碳化硅两个应用：SBD（二极管）和MOSFET（三极管）。二极管主要做开关，只需满足耐压要求，验证周期半年到一年。三极管做一部分开关和一部分功率器件，导致验证周期较长，需要一年到两年。

碳化硅方面，目前现状是全球碳化硅衬底都处于供不应求状态，国外衬底也是非常紧缺的，出口的市场是真实存在的。而且公司的衬底片产品参数都是对标国外贰陆公司的，不存在片子好差之分。未来随着公司设计产能的陆续达产，海外市场将会是公司重点考虑的一个方向。

露笑科技表示，如果不考虑快速响应，IGBT比MOSFET具有成本优势，但是有反向恢复损耗。因此，对频率要求不高的场合，IGBT可以存在。但是一旦MOSFET成本下降之后，就有可能取代IGBT。

（校对/李正操）