孟凡生:高算力时代新型ReRAM存储将迎来新爆发

作者: 李映
2022-07-18 {{format_view(25259)}}
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孟凡生:高算力时代新型ReRAM存储将迎来新爆发

随着应用向大数据、云计算等深度迈进,存储介质如何解决由此带来的算力以及功耗需求和挑战? 

在第六届集微峰会同期举办的高端通用芯片生态论坛上,昕原半导体CMO孟凡生在《新型存储技术的时代机遇》的演进中提到,不同的存储介质代表不同时代的需求,随着高性能计算时代的到来,新型的存储技术有机会解决新型需求所面临的挑战。

新型存储介质有机会成长壮大

在历史的长河中,存储介质也在不断地更迭演变。

孟凡生分享说,从上世纪80年代到2000年左右,台式电脑硬盘大多是机械硬盘,从2000年前后进入到了个人电脑时代,电脑大多采用固态硬盘,后来进入到移动终端时代,使用较多的存储介质则是固态存储介质,如今包括人工智能、数据中心、智能汽车等激发了算力和功耗的新挑战,将触发新型存储介质的未来。

从存储介质的发展迭代过程来看,在硬盘时代,主导玩家是希捷、西数、东芝等,但到了固态硬盘时代,整个玩家都变了,成就了三星、美光、海力士、铠侠等。

为什么在固态硬盘替代机械硬盘的时候,传统机械硬盘巨头反而失去了机会,新的初创公司则有机会在时代和技术变迁中成长壮大?

对此孟凡生认为,大型成熟的公司具有完整的体系,比较善于做延续性创新,而初创公司则擅长于颠覆性或破坏性创新,通过这一创新让产品和技术在一些较窄的细分市场得到应用,立足之后得以快速发展。而存储从磁带、机械硬盘发展到固态硬盘,已经呈现了这一趋势,新型存储介质有机会在一个相对较窄的领域应用,再通过不断迭代来成为主流。

ReRAM实现系统能效提升迎来新机遇

着眼于新应用需求,存储介质面临的挑战是计算和存储之间存在巨大的落差。从统计来看,存储技术进阶约提升7%,但计算的技术通过摩尔定律的加持每年增长约50%,存储技术演进能力远远落后于计算能力,如此弥补这个落差?

孟凡生进一步分析,在智能终端时代对存储的需求在于成本和存储密度,到了目前的高算力时代,对存储介质的需求则着重于系统能耗,比成本和耐久性更为重要。

无论是存算一体,将计算和存储融合,还是介于DRAM和NAND Flash之间的最后一级缓存,新型存储介质有机会通过降低延时和数据在搬运和计算过程中的能耗,大幅提升系统能效。考虑到XPU算力芯片基于CMOS技术,因而与CMOS工艺兼容、可实现综合性系统能效提升的新型存储技术将迎来全新机遇。

基中,ReRAM由于密度成长空间大、生产工艺与CMOS完全兼容以及成本优势等优势吸引了业界关注。

瞄准这一商机,昕原也率先布局,在ReRAM材料器件、工艺制程以及基于ReRAM的信息安全、存算一体和存搜一体等基础技术领域做了很多沉淀,28nm制程ReRAM产品已应用于工业和高端消费类领域。

为解决新型存储介质的传统挑战如良率、可靠性问题,孟凡生最后表示,昕原已建成了一条中试线,并组建了国内顶级的工艺制程和工厂运营技术团队,基于中试线的技术、工艺和产品的迭代正在推进中。未来昕原将在基础技术层面逐步夯实,通过专业的市场团队及芯片设计团队,进一步拓宽其应用,以ReRAM技术的差异化来占据优势。(校对/萨米)

责编: 张轶群
昕原 集微峰会

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