长飞先进武汉基地封顶，200亿重大项目将年产36万片碳化硅晶圆
2024-06-19
{{format_view(23390)}}
{{format_view(23390)}}
相关舆情
AI解读
生成海报
据中国光谷消息，6月18日，随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。该基地于去年9月1日正式动工，预计明年7月量产通线。
（来源：中国光谷）
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，该项目投产后可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。
据悉，该项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。（校对/韩秀荣）
责编：
韩秀荣
*此内容为集微网原创，著作权归集微网所有，爱集微，爱原创
专利申请
知识产权质押融资
专利地图分析
版权登记
集成电路布图设计
商标交易
商标申请
专利交易
专利无效
长飞先进
美国AI出口管制新规：反对声浪下或 “自食恶果”
热门评论