1.反击欧盟天价罚款！针对欧洲市场安卓设备，谷歌将收取最高40美元的许可费；

2.海尔回应“专利侵权”文章：严重失实，已提起诉讼；

3.华为提交新型电池专利申请 有望解决用户电池困扰；

4.亿光电子反击日亚化学 重申在美专利胜诉；

5.苹果新专利:设计电动车高低压电转换器；

6.MRAM全球专利分析；

7.前三季度湖南专利申请量6.6万件 同比增长23.75%；

1.反击欧盟天价罚款！针对欧洲市场安卓设备，谷歌将收取最高40美元的许可费；

近日谷歌为反击欧盟对其开出的50亿美元罚单，而准备向在欧洲销售的安卓设备收缴专利授权费的消息在业内引起了巨大关注。据外媒报道称，谷歌此次重新调整了自己的授权业务模式，以此取代之前被欧盟视为垄断的商业模式。

据悉，谷歌将会根据设备的PPI分辨率进行收费，每个地区的收费上限都不同，而英国、瑞典、德国、挪威和荷兰等地区的费用最高。在上述地区中，PPI超过500的设备每台将收取40美元，400-500 PPI之间的设备将收取20美元，低于400 PPI的设备将收取10美元。在欧洲的某些地区，最低档次的手机专利授权费仅为2.5美元。

也就是说，谷歌将向预安装如谷歌邮箱、Youtube、谷歌地图、Gmail等并在欧洲市场出售的安卓手机制造商收取费用，这一收费标准将会在明年正式生效，2019年2月1日后在欧洲激活的安卓智能手机，都需要按全新的标准向谷歌缴纳专利授权费。

事实上，这一举动的背后，涉及到的是欧盟罚款一事。

今年7月，欧盟委员会对谷歌处以约43.4亿欧元（约合50亿美元）的罚款，而这笔罚金也将创下全球反垄断罚金的新纪录。欧盟指责谷歌滥用其在移动软件领域的市场主导地位，从根本上迫使安卓合作伙伴在设备上预装谷歌搜索和Chrome浏览器。

虽然谷歌对于欧盟的指控已经提起上诉，但是这起复杂案件需花费数年时间调查才能最终做出决定。

此外，欧盟还警告谷歌称，如果该公司不停止其非法行为，将受到额外惩罚。因此，谷歌想出了授权收费这样一个策略来弥补自己的损失。

此前谷歌的CEO Pichai就在一份公开信中表示，欧盟的罚款可能打破安卓系统一直以来的商业模式，暗示将会可能收费。此前手机厂商使用安卓系统和预装Google应用是完全免费的。

值得一提的是，业内人士认为，如果因为专利授权费用而导致智能手机成本上升，手机厂商一定会把这些费用转嫁到消费者身上。尤其是对于小米、OPPO等在欧洲推出低成本设备的制造商，更加依赖谷歌的应用程序免费捆绑到Android操作系统。

其中，小米已于2017年开始在西班牙销售设备，此后也在法国和意大利推出了产品。而OPPO已在荷兰和俄罗斯市场销售产品，并正在寻求于英国市场销售产品。

除此之外，受此影响，华为和三星等高端手机制造商则更倾向于提高手机价格来抵消增加的成本。

2.海尔回应“专利侵权”文章：严重失实，已提起诉讼；

22日，针对厦门优美特科技有限公司法定代表人赵帮枝之前发文《抄袭我的海尔，去年賺了几千万。。。》称公司侵权一事，海尔智能家居发布声明回应称，文章严重失实，侵犯了公司的名誉权，已向法院提起诉讼，并提出赔偿损失，保留采取进一步法律行动的权利。证券时报

3.华为提交新型电池专利申请 有望解决用户电池困扰；

编者按：近日，华为向国家知识产权局提交了一件锂电池的发明专利申请，该技术有望大大提高电池的快速充电能力，并确保充电安全。华为在新电池表面覆盖了3D氮掺杂碳涂层，这种涂层可以在相对较低的温度下合成，具有较高的导电性，从而实现超高速充电。快来了解一下吧。

近日，华为向国家知识产权局提交了一件锂电池的发明专利申请，该技术有望大大提高电池的快速充电能力，并确保充电安全。

据相关文件显示，华为在新电池表面覆盖了3D氮掺杂碳涂层，这种涂层可以在相对较低的温度下合成，具有较高的导电性，从而实现超高速充电。与传统的快充解决方案不同，该电池的快充方案采用的是低压大电流模式，其目标是最大限度地增加进入设备的电流，同时将效率损失、热量和节流降至最低。有业内专家分析认为，华为在锂离子电池中选用硅材料的意义在于其嵌锂容量远高于传统石墨负极，这意味着它能够锁住更多能量，从而提高锂离子电池的能量密度。

事实上，华为一直在超高速充电技术领域展开研发工作，此次发布的创新技术是荣耀Magic电池的全新迭代，这也是华为在第56届电池研讨会上展示的超高速充电技术的改进版。华为的目标是用超高速充电技术重新定义人们使用智能手机的方式，并让用户免受“手机用电焦虑症”的困扰。（刘叶婷）中国知识产权报

4.亿光电子反击日亚化学 重申在美专利胜诉；

亿光电子（2393）中国子公司日前向深圳法院提出专利侵权诉讼，控告深圳日亚化学有限公司与其经销商恒炘源侵害该公司覆晶（flip-chip）专利技术，并要求法院针对侵权产品下达禁制令以及损害赔偿。该专利已获中国专利复审委员会确认有效，驳回日亚化的专利无效请求。

亿光表示，覆晶专利布局广泛涵盖美国、中国、日本、欧洲、韩国及台湾等所有重要市场，且大量应用于车载、背光、照明等用途；并强调其拥有的COB专利仍为有效，仍可继续主张其权利。且美国最高法院（Supreme Court of the United States）10月1日亦做出最终判决，驳回日亚化上诉请求，再次认定日亚化白光LED美国专利号US 5998925与US 7531960所主张的权利项全部无效，该案为三审定谳，亿光获得最终胜利。

亿光智权处处长林咸嘉认为，专利权最主要的目的是为保护创新研发结果并鼓励产业发展而设立的法律，针对竞争对手借由诉讼手段干预市场的行为，则应不屈不挠，奋战不懈，致力于市场的公平竞争。

此外，东京地方法院判决乙事，亿光表示尊重，然该判决并非最终审定，双方均可上诉。

亿光重申尊重知识产权的一贯立场，全力捍卫客户及股东权益，对于侵权行为必采取法律行动绝不容怠。经济日报

5.苹果新专利:设计电动车高低压电转换器；

据外媒报道，近日美国专利商标局公布了苹果公司最新专利申请，该专利项目名为“转换器架构”（Converter Architecture），内容是讨论如何将高压电源的功率转换为低电压，在具体应用中会涉及到如何将驱动电池的高压电转化为低压电，来服务车内的空调、座椅加热、中控系统等电子设备。

在专利申请中，苹果表示传统的高低压电转换器效率低，并且受到高负载影响而降低电池寿命等。所以该专利的解决方案是使用多个直流（DC）转换器来处理任务。首先使用第一个DC-DC转换器将初始高压电源向下转换为可以提供给总线的较低电压，然后再由第二个DC-DC转换器负责稳压，由两个或者多个转换器用于调节总线的电压。

消息表示，目前该专利还停留在理论层面，并不确定会在具体的产品中应用。但同时也证明了苹果公司除之前曝光过的自动驾驶技术外，在电动汽车领域也有持续投入。在过去几个月时间里，苹果还提交了关于天窗系统、座椅触觉反馈系统、大灯系统以及车辆视觉控制等相关专利，因此国外分析机构坚持认为苹果公司会在未来推出自己的汽车产品，而时间点可能是2023年。电动邦

6.MRAM全球专利分析；

一、MRAM技术介绍

从1990年代开始，磁阻式随机存取内存 (Magnetoresistive Random Access Memory， MRAM)开始发展，MRAM是一种非挥发性内存NVM技术，拥护者认为，MRAM技术速度接近SRAM，具有快闪存储器的非挥发性，容量密度及使用寿命不输DRAM，平均能耗远低于DRAM，有望成为真正的通用型内存 (Universal memory)。

与传统的RAM技术不同，MRAM不以电荷或电流存储数据，而是由磁性隧道结MTJ (Magnetic tunnel junction)磁性存储数据。原理性的MTJ有三层结构，包括两个铁磁性板和一个将它们分开的磁通道隔离层 (Magnetic tunnel barrier,)组成，其中一层铁磁性板是固定磁化的永磁体 (fixed layer或pinned layer, 即固定层); 另一层铁磁性板的是自由磁化即可以改变磁化 (free layer或storage layer, 即自由层)以存储数据。现已有多种MTJ结构，见图1：

图1 不同MTJ类型

1.  MRAM读取数据技术基本相同：

MRAM中铁磁性板具有相同的磁化方向时MTJ处于低电阻状态，视为“0”，而相反的磁化方向时MTJ处于高电阻状态，视为“1”。通过测量MTJ的电阻来实现读取数据。通过向MTJ连在其漏极上的晶体管提供电流，电流从电源线通过MTJ切换地，通过测量所得到的电流，可以确定阻值高低，而确定所读数据是“0还是1”，从而完成读取。

2.  MRAM写入技术种类较多：

MRAM工作原理是磁阻效应，由此衍生出不同数据写入方式。

2.1  磁写入：应激磁场翻转自由层的

磁写入是经典的第一代MRAM，最基本的存储单元是 (TOGGLE CELL)，如图2所示，一个TOGGLE CELL包括： MTJ、漏极和MTJ固定层间接互连的晶体管、与MTJ自由层耦合的220位线BL (bit line)、与晶体管源极互连的230数位线 (digit line)、和240字线 (word line)。

图2 toggle cell 示意图

磁写入的工作中，晶体管处于关闭状态，在位线220中施加如图向右的电流产生翻转磁场250、数位线230中施加如图电流产生翻转磁场260，从而改变MTJ中自由层的磁化，写入储存数据。

随着制程进一步升级至20纳米甚至10纳米，MTJ尺寸越来越小，要改变自由层的磁化，就需要更强的翻转磁场，要求施加在位线和数位线中的电流越来越大。电流密度和耗能成倍增加。从经济性角度，磁写入不利于MRAM尺寸的小型化，无法普遍商业化。

在这种情况下，MRAM写入技术走进了以自旋电子注入 (spintronics injection)自由层的方式来改变自由层磁化的发展方向。

2.2  电写入 (自旋写入)：自旋极化电子注入翻转自由层

自旋写入是第二代MRAM，也是现在主流的NVM技术。主要是自旋力矩转移MRAM (STT-MRAM)。写入时，流经MTJ自身的电流脉冲来完成自由层磁化的切换。技术原理是：由自旋极化隧道电流 (spin polarized tunneling current)携带的角动量 (angular momentum)引起自由层的反转，自由层的磁化 (与固定层平行或相反)由电流脉冲的极性确定。如图3所示，一个最基本的STT-MRAM存储CELL包括305MTJ、与MTJ自由层互连的位线320、漏区连接在MTJ固定层的晶体管310、位于晶体管栅极附近的字线330、以及连接在晶体管源区的源线340 (source line)。

图3 STT-MRAM存储CELL示意图

一种自旋写入的流程为，如图3左下所示，晶体管处于开启状态 (这是与TOGGLE CELL写入关闭晶体管不同)，在位线上施加电流，流经MTJ（此时极化电子从固定层流向自由层），使得自由层与固定层的磁化相同，MTJ处于低电阻状态 (在读取数据时，允许通过MTJ的电流多)，值为“0”；如图3右下所示，在源线上施加电流，流经MTJ（此时极化电子从自由层流向固定层，与固定层相同极化的电子通过固定层，相反极化的电子将被反射回自由层），使得自由层与固定层的磁化相反，MTJ处于高电阻状态 (在读取数据时，允许通过MTJ的电流少)，值为“1”。

二、全球MRAM专利检索结果及重要申请人

图4  全球MRAM申请年度分布 [件] 

如图4所示， MRAM相关专利技术的发展状况为：从1990年全球开始研发MRAM技术，1990~1997年，MRAM专利申请少，技术处于萌发期。1998开始，从年申请量74不断增加，仅过5年，2002年申请量即突破1000件大关，说明1998~2002年MRAM技术取到突破，技术处于快速增长期。2003年全球MRAM专利申请达到1513件后，稍有下滑并进入平稳增长过程，说明2003年以后MRAM技术处于稳定发展期，处于不断的探索改进阶段，有待于取得新的突破性进展。

图5  全球MRAM专利申请人及其申请量分布 [件]

对申请人经过系统的标准化处理，将同一申请人不同的名称标准化，得到如图5所示的全球MRAM相关专利申请量排名前50的申请人。前50申请人来看基本上均为国外申请人，表明在MRAM技术目前主要掌握在国外申请人手中。

主要申请人中排名前20的申请人有TOSHIBA (东芝)、SAMSUNG ELECTRONICS (三星电子)、SONY (索尼)、ＩＢＭ、RENESAS ELECTRONICS (瑞萨电子)、SK Hynix (SK 海力士)、QUALCOMM (高通)、NEC (日本电气)、INFINEON TECHNOLOGIES (英飞凌科技)、HEWLETT-PACKARD (惠普)、TDK、MICRON TECHNOLOGY (美光科技)、TSMC (台积电)、EVERSPIN TECHNOLOGY (艾尔斯宾科技公司)、  FREESCALE SEMICONDUCTOR (飞思卡尔半导体)、HEADY TECH (海德威科技公司)、SEAGATE TECHNOLOGY  (希捷科技)、CANON ANELVA (佳能安内华) 、MOTOROLA  (摩托罗拉)、CROCUS TECHNOLOGY  (科罗库斯科技)。

其中，以TOSHIBA (东芝)的申请量最大，是第二名SAMSUNG ELECTRONICS (三星电子)的差不多两倍，占总申请量的11%，前5占总申请量的30%将近1/3,前10占总申请量的47%将近一半，前20占总申请量的62%，将近2/3，从以上前20申请人可以知道，主要申请人主要来自于日本，其次为美国，然后为韩国和中国台湾。

图6  MRAM专利申请人申请趋势分布 [件]

针对图5中排名前20的申请人进行主要申请人申请态势分析，结果如下图6 MRAM相关专利申请主要申请人申请趋势。图中不同颜色面积代表不同申请人的相应专利申请量，从该图可以看出，在该技术领域近20年来，TOSHIBA (东芝)、SAMSUNG ELECTRONICS (三星电子)、SONY (索尼)、IBM、RENESAS ELECTRONICS (瑞萨电子)、MICRON TECHNOLOGY (美光科技)在该技术领域具有持续稳定的专利申请，而其他申请人申请都并不是很连贯，近年来的主要申请人有TOSHIBA (东芝)、SAMSUNG ELECTRONICS (三星电子)、QUALCOMM (高通)和SK Hynix (SK 海力士)，其次为IBM、MICRON TECHNOLOGY (美光科技)和EVERSPIN TECHNOLOGY (艾尔斯宾科技公司)，表明近年来以上申请人在该领域有比较大的投入研究。

三、全球MRAM专利技术分析

1.  全球总体技术分析

选取其中申请量前10的技术分类，如图7趋势可以知道，最近申请量呈现明显上升势头的有：H01L43/08 磁场控制的电阻器， G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件，H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件(应用电—磁或者类似磁效应的器件)的方法或设备，H01L27/22 包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的，以及H01L43/10 应用电—磁或者类似磁效应的器件,材料的选择，表明这些技术分类近来的研究上有比较大的进展，值得关注，而对于其技术分类，特别是G11C11/15 应用多层磁性层的，H01L27/105 包含场效应组件的，H01L21/8246 只读存储器结构，在上一周期1999-2003年发展迅速，但近来申请趋于衰落，表明所述的技术分类在近来的研究中处于瓶颈或者目前并不具有发展优势。

图7  全球MRAM专利主要申请技术分类发展趋势

H01L43/08 磁场控制的电阻器; G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的; G11C11/15 应用多层磁性层的；H01L21/8246 只读存储器结构; H01L27/105 包含场效应组件的;G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件; H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件(应用电—磁或者类似磁效应的器件)的方法或设备;H01L27/22 包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的; H01L43/10 应用电—磁或者类似磁效应的器件,材料的选择; H01L29/82 通过施加于器件的磁场变化可控的。

2.  MRAM技术聚类分析:

下图8 为MRAM相关专利聚类地图，其中，同一颜色表示聚类相近的专利技术，白色标签处为技术的聚集点，白色标签为该技术聚集点的主要关键词，地图上的柱状分别代表不同的主要申请人，从该地图上可以看出，主要申请人在各个技术聚类上都有对应申请，TOSHIBA（东芝）在各个技术聚类上都有最多或较多的申请，在主要关键词为“磁性 磁性隧道 磁阻 自旋 磁阻原件”的技术聚集点上，所有主要申请人都有做为重点进行申请，表明该技术方向可能为MRAM的主流技术方向，另外，SAMSUNG ELECTRONICS（三星电子）在主要关键词为“电阻 电阻式存储器 操作 可变电阻 数据” 的技术聚集点上有最多的申请。

图8  MRAM相关专利聚类地图

3.  MRAM技术路线分析:

根据被引用次数处于前20的相关专利，绘制如下图9的技术路线图，从该路线图开业看出，其时间段从1996-2005，其技术主要围绕以下几个方向的改进：

1）本身结构的改进，包括各层结构的改进，如US5640343 MT结构高度控制；US616948 MTJ存储单元具有形成为两个铁磁膜的自由层，减小阵列；US6714444层状结构设计，使其具有高的输出信号等；

2）半导体器件形成工艺控制，如US5654566磁自旋注入场效应晶体管工艺，US5940319防止制备过程中的高温降解设计，US20050146927A1蚀刻过程的保护设计；

3）外部设置影响，如US5793697提供电压源控制MTJ电阻，US6385082设置加热元件，防止写入干扰，US20060180880A1设置磁场保护装置避免外界磁场影响等；

4）材料的改进，如US5976713TMR材料改进，US6834005自由层材料改进。

图9  全球MRAM专利技术路线地图

四、结论

1. 全球MRAM专利申请主要申请国依次为美国，其次为日本，然后是中国、PCT申请、台湾、欧洲和德国；技术主要申请人主要来自于日本、美国以及韩国和台湾，国内申请人很少。国内很有必要加强该领域的研究，弥补此方面技术的落后。

2. 2000~2003年全球MRAM专利申请处于快速增长期，期间内的专利被引用的次数也最多， MRAM技术有比较大的突破。2003年以后，MRAM技术研发处于平稳发展期。

3. MRAM专利主要申请人依次为，TOSHIBA（东芝）、SAMSUNG ELECTRONICS（三星电子）、SONY（索尼）、IBM、RENESAS ELECTRONICS（瑞萨电子）、MICRON TECHNOLOGY（美光科技）,这些厂商具有持续稳定的专利申请。近年来的主要申请人有TOSHIBA（东芝）、SAMSUNG ELECTRONICS（三星电子）、QUALCOMM（高通）和SK Hynix（SK 海力士），其次为IBM、MICRON TECHNOLOGY（美光科技）和EVERSPIN TECHNOLOGY（艾尔斯宾科技公司），表明他们在MRAM领域持续研发积累技术。

4. MRAM专利技术研发主要领域有：H01L43/08 磁场控制的电阻器，G11C11/16 应用磁自旋效应的存储元件的，H01L43/12 专门适用于制造或处理这些器件或其部件(应用电—磁或者类似磁效应的器件)的方法或设备，H01L27/22 包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的，以及H01L43/10 应用电—磁或者类似磁效应的器件。值得注意的是，材料的选择等技术分类上申请有明显的上升趋势，表明这些技术分类近来的研究上有比较大的进展，值得特别关注。

5. MRAM专利技术主要围绕以下几个方向的改进，各层结构改进以及整个层结构设计；其在半导体器件中形成工艺控制；外加装置控制；各层材料改进。“SIMIT战略研究室

7.前三季度湖南专利申请量6.6万件 同比增长23.75%；

中新网湖南新闻10月22日电(刘曼 周闯)前三季度，湖南省专利申请量66616件，同比增长23.75%；专利授权量36476件，同比增长35.66%。截至9月底，全省有效发明专利拥有量39562件，每万人发明专利拥有量5.77件。

记者22日从湖南省知识产权局获悉以上数据。1至9月，湖南省发明、实用新型、外观设计专利申请量分别为22556件、32125件、11935件，授权量分别为6400件、21715件、8361件。

从专利申请人的类型来看，职务专利申请量和非职务专利申请量分别为48123件、18493件，各占申请总量的72.24%和27.76%。在申请的职务专利中，工矿企业34175件、大专院校12614件、机关团体793件、科研单位541件。

从地区来看，专利申请量和授权量位居全省前3名的市为长沙、株洲、衡阳。长株潭地区有效发明专利共30765件，占全省有效发明专利总量的近8成，其万人专利拥有量达20.80件。

让发明人的创新成果实现知识产权化，专利代理机构发挥了重要作用。截至9月底，全省依法设立专利代理机构为85家，专利申请代理量31229件，同比增长27.45%，代理率46.88%；专利授权代理量19687件，同比增长36.36%，代理率53.97%。(完)中新网