美光开始量产16Gb 1z nm DDR4内存，功耗降低40%
2019-08-17
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IT之家
IT之家8月17日消息 根据TPU的报道，美光已经开始量产1z nm(12nm到14nm)的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。
据介绍，与前一代1Y工艺相比，1z nm工艺的16Gb DDR4产品具有更高的比特密度，性能略有提高，成本也更低。与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比，新节点还使功耗降低了40%。
美光还宣布，它已经开始批量出货业界容量最大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，1z nm LPDDR4X和uMCP4产品主要针对智能手机。
美光在DRAM市场的主要竞争对手三星(Samsung)去年春季宣布，将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。
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