加码电源管理IC,华虹宏力打出BCD工艺组合拳
5G、物联网时代的到来,催生了很多智能化的设备,对电源管理芯片也提出了新的需求。面对新兴应用,电源管理IC该如何进化呢?在日前举办的“第十七届中国通信集成电路技术应用研讨会”上,华虹集团旗下上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)市场、战略与发展部贾璐博士给出了很好的答案。


华虹宏力市场、战略与发展部贾璐博士在现场讲解面向电源管理芯片的BCD工艺
把握市场机遇,应对细分市场应用之变
为适应便携性趋势,设备供电方式从适配器供电转变为电池供电,带来很多电池供电系统的芯片需求;
小型化及低功耗,更多是遵循了摩尔定律的发展趋势;
快充对充电功率的要求不断提高,智能手机已从最初的5W充电功率,一路升到10W、20W,Type-C甚至将高达100W;
智能化的趋势,例如,LED照明从最初的简单逻辑控制到如今调光、变色等更个性化的要求,对电源芯片提出更复杂的智能化控制需求。
顺应市场变化,电源管理技术的进化一直在路上。据贾璐博士分析,首先是集成化趋势。如智能手机,之前具有多路分立的LDO处理器及基带也都各带独立电源管理IC,如今AP和多数Sub PMIC不断整合成了集成化的PMU。另一方面,由于兼容性和不断升级的需求,仍有部分电源管理IC无法集成到PMU中,这部分电源管理IC的发展就是性能和成本的持续优化。具体表现为,一是高FOM性,即导通电阻低、高频损耗小;二是越来越智能,控制逻辑复杂化;三是高可靠性,尤其是在工业、汽车领域应用中。针对电源管理IC的发展趋势,华虹宏力提出了“8+12”策略,8英寸工艺线持续优化器件性能与成本,12英寸工艺线则针对集成化需求。
立足特色工艺,华虹宏力BCD平台“进化”之路
高性能90nm BCD工艺
对于BCD工艺来说,180nm是个关键的工艺节点,并将长期存在。从此节点向下,导通电阻的优化必须通过改变器件结构才能实现。华虹宏力坚持研发创新、持续优化,在第二代180nm BCD技术量产的基础上,在研的第三代180nm BCD技术,在相同的击穿电压下,导通电阻平均降低约25%。
华虹宏力在eFlash工艺上一直表现卓越,110nm BCD工艺整合了180nm BCD工艺和110nm eFlash工艺,特别适用于系统要求芯片具有小尺寸、高性能和高可靠性的应用。
谈及华虹宏力颇具特色的110nm BCD工艺,贾璐博士解释道:“电源管理系统里MCU与power stage的集成化过程中,嵌入式存储器也日趋复杂化,从最初的OTP到MTP再到Flash,容量越来越大。尤其对于汽车、电力电网、无线充电等应用领域,MCU和电源平台之间的数据交互、控制要求更加精准、可靠性要求更高。因此,结合公司在eFlash平台的领先优势,形成了颇具特色的eFlash+BCD工艺平台,以满足客户智能化电源需求。
特色BCD厚Cu工艺
汽车电子领域出于安全考虑,要求十分严格。华虹宏力从SPICE模型、library与IP验证、以及制程可靠性测试三方面为车规级产品保驾护航。180nm BCD 40V工艺平台满足AEC-Q100 Grade 0车规级产品要求,正在进行产品验证;同时,180nm BCD 60V-100V和110nm BCD+eFlash 40V等工艺平台正在开发中,将满足AEC-Q100 Grade 1车规级要求。通过“安全、可靠、高性能”的多种工艺平台灵活组合,华虹宏力将为持续攀升的汽车半导体市场需求提供更优质服务。

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