三星率先开发出12层3D-TSV芯片封装技术
2019-10-09
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（文/Oliver），三星电子在10月7日宣布，已率先在业内开发出12层3D-TSV（硅穿孔）技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量。
据介绍，该技术垂直堆叠了12个DRAM芯片，它们通过60000个TSV孔互连，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。三星表示，这是目前最精确和最具挑战性的半导体封装技术。
三星补充道：“利用这项新技术，可以堆叠12个DRAM芯片，同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度，即720μm。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化，也可以生成高容量和高性能的产品。”
三星还透露，基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从目前的8GB来到24GB。
“最新的封装技术在AI、自动驾驶和HPC（高性能计算）等领域变得越来越重要，”三星电子DS部门副总裁Baek Hong-joo说道。“我们将通过12层3D-TSV技术在半导体封装领域保持领先地位。”
（校对/holly）
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刘燚
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