进行第三代化合物半导体器件研发,华瑞微半导体IDM芯片项目一期年底投产

作者: 施旭颖
2021-03-15 {{format_view(29296)}}
相关舆情
AI解读
生成海报
进行第三代化合物半导体器件研发,华瑞微半导体IDM芯片项目一期年底投产

近日,安徽省滁州市南谯区的华瑞微半导体IDM芯片项目又迎来了新动态。

图片来源:南谯区人民政府发布

华瑞微半导体IDM芯片项目由南京华瑞微集成电路有限公司总投资30亿元,项目位于南谯经济开发区,于2020年10月29日奠基,这是南谯浦口合作产业园的首个入驻项目,主营业务为研发、生产、销售功率半导体芯片。

据南谯区人民政府消息,项目一期用地100亩,6万平米的生产厂房预计今年5月封顶,年底将正式投产,一期达产后,预计年销售额可达10亿元。

此前公开消息显示,该项目主要承担第三代化合物半导体器件的研发及产业化,建设SiC MOSFET生产线。项目建成后将形成年产1万片第三代化合物半导体器件的生产能力。(校对/图图)

责编: 赵碧莹
华瑞微 IDM

热门评论

产业观察:透视意法与华虹合作,国产芯片成熟制程发力