众所周知，对于国内半导体产业发展而言，当前最为“短缺”的并非在于设计和封测领域，而是更上游的半导体设备和材料领域。

据笔者了解到，国内半导体设备自给率不到10%，而材料经过近几年的快速发展，自给率也不到20%。尤其是中兴和华为事件后，更是在很大程度上促进了国内半导体国产化的发展。

近来，国内半导体设备厂商拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”）在科创板提交了IPO招股书，该公司号称“国内唯一一家实现产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商”，那么，其技术实力到底如何呢？

国内唯一PECVD/SACVD厂商：客户包括中芯国际/长江存储/长鑫存储

据了解，拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

据拓荆科技介绍，公司是国内唯一一家实现产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，以前后两任董事长为核心的五名国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队，形成了三大类半导体薄膜设备产品系列，先后四次承担国家重大科技专项/课题，被中国半导体行业协会评为2016年度、2017年度、2019年度“中国半导体设备五强企业”。

该公司表示，自设立以来立足自主创新，通过对薄膜沉积设备核心技术的构建，产品在实现薄膜性能参数的同时，满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。公司凭借长期技术研发和工艺积累，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。目前公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

据介绍，公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线SiO2、SiN、SiON、BPSG、TEOS等多种通用介质材料薄膜沉积工序，并具备向更先进技术节点拓展的延伸性。基于现有PECVD产品平台，公司研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，拓宽公司PECVD产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。

客户方面，其产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。

如与中芯国际合作，2011年其首台12英寸PECVD出厂到中芯国际验证，于2013年通过产品线测试。2014年获得中芯国际首台量产机台PF-300T的设备订单。2017年6月，公司向上海华力微电子有限公司和ICRD各发出一台设备。2019年度向上海华力集成电路制造有限公司和华虹无锡各发出一台设备。2015年度，公司向长江存储子公司武汉新芯集成电路制造有限公司发出第一台设备。2016年，公司向长江存储发出第一台设备。

从各大业务构成来看，其中PECVD设备为公司第一大业务，其次则是ALD设备和SACVD设备业务，PECVD业务营收从2018年的0.52亿元增长到2020年的4.18亿元，增长幅度达到了8倍多！

拓荆科技实力几何？大基金/中微等持有股份！

那么，拓荆科技的产品到底在芯片制造当中起到了多大的关键作用？拓荆科技的技术实力又到底如何？

据笔者了解到，芯片制造工艺包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、退火、CMP、离子注入等数十道工艺。其中光刻、刻蚀和薄膜沉积是最核心的三种工艺，约占整个晶圆工程设备总投入的15%。

其中许多薄膜的特性与晶粒尺寸密切相关，膜硬度、电导率和膜应力演化等均与晶粒尺寸相关，工艺难度非常大，因此薄膜沉积是最核心的工艺之一。

薄膜工艺从实现原理包括物理气相沉积（PECVD）、化学气相沉积（SACVD）、热氧化法等，甚至45nm制程以下还需要用到更先进的原子层沉积（ALD）设备。沉积对象包括各类阻挡层、介质层、各种金属薄膜等。

其中PECVD设备常用来沉积二氧化硅、氮化硅等其他氧化物在内的介质层薄膜，这是芯片制造中最关键的几个步奏。金属互联层的埋线前需要先在介质层上挖深槽做深孔，为后续工艺打下基础，因此薄膜质量有着至关重要的意义。

而ALD则广泛用于45nm以下其他薄膜材料沉积，比如阻挡层沉积、High-k材料沉积、导电膜沉积等。ALD在自对准图形技术中起到关键作用，能比当前的光刻技术形成更小的图形，在这种技术中，薄间隔物被沉积在预先定义的特征上。这层间隔膜必须高度保形并且非常均匀，因为它将限定最终图形的关键尺寸。

因此ALD可以制造出与内部形状高度吻合的薄膜层，而且器件图形顶部、侧面和底部沉积的膜厚度都是相同的。这种极好的保形性是形成高纵横比和3D结构的关键，特别是在内存、NAND闪存这种内部结构比较复杂的工艺上，因此ALD设备有着更加广泛的应用。

据业界人士向笔者表示：“拓荆科技所生产的设备均属于芯片制造过程中最核心薄膜沉积的所需关键设备，工艺节点覆盖8英寸0.25μm至12英寸45nm以下高阶制程，是亟须突破解决的‘卡脖子’关键核心设备。拓荆各类薄膜沉积设备的成功研发，不仅体现了国产装备的技术创新，也体现了国产装备的创新速度，代表了国产装备在薄膜沉积领域的最强实力，广受客户好评。也代表着中国薄膜沉积设备最强水平，在国产薄膜沉积设备领域一枝独秀。”

上述人士还强调：“在ALD领域，拓荆是国内能挑战LAM的ALD设备的唯一公司，而LAM目前的ALD设备则占据超过一半的市场份额。”

而拓荆科技本次募投项目主要是高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目和补充流动资金。

高端半导体设备扩产项目将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统建设。二期洁净厂房建设主要为千级洁净厂房，设计规模为2,600平方米左右。

先进半导体设备的技术研发与改进项目研发内容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD设备的多种工艺型号开发、面向10nm以下制程PECVD设备的平台架构研发及UVCure系统设备研发。

基于公司已研发的面向28nm-10nm制程的PECVD设备平台架构，开展主要包括LokⅡ、ADCⅠ、HTACHM、高应力SiN及α-Si等不同薄膜材料的新工艺型号开发，形成先进工艺技术能力和量产能力。

基于公司PECVD设备技术积累，开展应用于10nm以下技术节点的PECVD设备平台架构研发，先行完成SiO2、SiN等薄膜材料的工艺型号开发。

基于公司对薄膜沉积设备及多种薄膜材料工艺研发积累，开展沉积后辅助以紫外线处理的UVCure系统设备研发。通过在集成电路生产厂商进行生产线验证，实现产品的产业化，进一步提升产品技术水平和拓展产品应用领域，推动公司业务规模的持续增长。

ALD设备研发与产业化项目拟在上海临港新片区购置整体厂房，进行装修改造，购置研发设备及生产设备，建设新的研发及生产环境，项目实施主体为公司全资子公司拓荆上海。项目建成后，将作为发行人ALD产品研发及产业化基地。项目拟通过开展系列技术研发，基于公司现有ALD设备技术基础，开发面向28nm-10nm制程的ALD设备平台架构，发展多种工艺机型，同步开发不同腔室数量的机台型号，满足逻辑芯片、存储芯片制造不同的工艺需求，并进行规模化量产。

值得注意的是，拓荆科技前三大股东分别为国家集成电路产业投资基金股份有限公司（26.48%）、国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）（18.23%）、中微半导体设备（上海）股份有限公司（11.2%）。此外立霸股份通过嘉兴君励投资合伙企业（有限合伙）持有7.4%的股份，立霸股份间接持股4.7%左右。

关于未来的发展战略，拓荆科技表示，公司自设立以来，以“建立世界领先的薄膜设备公司”为使命，专注于半导体薄膜沉积设备的研发、生产和销售领域，通过多年科研攻关和市场验证，在PECVD、ALD和SACVD设备领域推出了多款量产设备，为下游集成电路制造及泛半导体领域内的客户提供了优质的产品。

公司未来将继续致力于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，开发台湾市场。（校对/Jack）

7月22日，据上交所披露公告显示，北京华卓精科科技股份有限公司（以下简称：华卓精科）将于7月29日科创板首发上会。

华卓精科长期专注于纳米级超精密测控技术，是国内领先的集成电路制造装备及其核心部件、精密/超精密运动系统及相关技术供应商。公司以光刻机双工件台这一超精密机械领域的尖端产品为核心，并以该产品的超精密测控技术为基础，开发了晶圆级键合设备、激光退火设备等整机产品，以及精密运动系统、隔振器和静电卡盘等部件衍生产品，应用领域覆盖集成电路制造、超精密制造、光学、医疗、3C制造等行业。

光刻机双工件台独供上海微电子

近几年，国内半导体设备行业正呈现高速发展态势。根据SEMI统计显示，2018年全球半导体设备行业市场规模达645.30亿美元，同比增长13.97%，2009年至2018年的复合增长率为 16.82%。

其中，2018年中国半导体设备行业市场规模达131.10亿美元，同比增长59.30%。2009年至2018年，中国半导体设备行业市场规模复合增长率为34.02%，高于全球市场增长率一倍以上。

当前，光刻机主要被荷兰ASML、日本尼康、日本佳能等外国厂商长期垄断，其中ASML就独占70%以上市场份额，其最先进的光刻机工艺制程为7nm。

虽然我国光刻机研发起步较，但在持续攻坚的努力下，国产光刻机龙头企业上海微电子在低端光刻机市场占据了一定的市场地位，目前该公司最先进的光刻机工艺制程为90nm，预计2021-2022年交付第一台28nm工艺制程的国产沉浸式光刻机。

需要指出的是，要实现光刻机的国产替代并不是上海微电子一家企业能够单独完成的，需要光刻产业链企业的相互配合。光刻产业链可拆分为两个部分，一是光刻机核心组件，包括光源、镜头、双工作台、浸没系统等关键子系统，二是光刻配套设施，包括光刻胶、光掩模版、涂胶显影设备等。

其中，华卓精科主要为上海微电子提供光刻机双工件台，其主要功能是承载晶圆按照指定的运动轨迹做高速超精密运动并完成一系列曝光所需动作，包括上下片、对准、晶圆面型测量和曝光等。

不过，从华卓精科招股说明书来看，公司光刻机双工件台2017年和2018年营业收入分别是1521.37万元、795万元，占整体营业收入的比重较小，2019年却没有实现任何营收。这也意味着，2019年华卓精科没有顺利量产出货光刻机双工件台。

数据来源：华卓精科招股说明书

对此，华卓精科表述，主要是目前光刻机双工件台仍处于小量定制生产阶段，尚未实现规模化量产，所以对公司收入贡献比较小。

标的稀缺但工艺制程较为落后

虽然华卓精科是国内首家光刻机双工件台厂商，但公司的主要营收来源却是其他业务。集微网了解到，对其收入贡献最大的是超精密测控装备部件里的精密运动系统。招股说明书显示，2017年、2018年和2019年，其精密运动系统分别实现营业收入2315.78万元、6526.26万元和7997.78万元，占总体营业收入的比重分别是42.80%、76.14%和66.12%。

从业务范围来看，华卓精科产品丰富，可覆盖业务领域较广。对此，厦门半导体投资集团总经理助理刘耕表示，多维度来看，华卓精科横向拓展性比较强，未来发展前景非常可观。比如其激光退火设备，可以大量的应用在功率芯片如IGBT等新的工艺，未来市场空间极大。

在核心技术方面，华卓精科每年在研发费用方面的投入金额较大，2017年、2018年和2019年，其研发投入占营业收入比例分别为30.75%、96.33%和117.24%，远超行业平均（30%左右）水平。

在大量研发投入的基础上，华卓精科目前拥有175项专利，其中发明专利139项、实用新型29项、外观设计2项、美国专利5项。

据披露，研发较高的原因主要系作为技术领先的科技创新型公司，所需研发投入较大，而其目前处于成长期，营业收入规模相对较小；同时，华卓精科还承担3项02专项研发项目，投入金额较高，导致其研发投入占营业收入的比例高于同行业公司。

华卓精科02专项

值得提及的是，因其所处行业的特殊性，为持续提升其核心竞争力，此次IPO华卓精科拟募资10.35亿元用于产品生产、技术研发及补充流动资金等方面。

对于未来，华卓精科表示，公司将通过并购重组方式整合产业链，以此增强公司核心竞争力；利用资本市场多元化的融资方式促进公司发展，加强公司治理，形成规范化的管理模式。

总结来看，目前，国内光刻机龙头上海微电子已经量产交付了90nm工艺制程的光刻机，正在极力突破40nm、28nm等制程供应，而这也是华卓精科正在攻克的方向。“华卓精科的优势主要体现在三大方面，一是优质的客户，二是持续投入及其技术积累，三是02专项被国家认可。”刘耕强调，华卓精科在国内肯定是首屈一指，但相较于国外企业，其工艺制程还比较落后，未来还有一段路要走。

开源证券研究所副所长、电子行业首席分析师刘翔也表示，如果用三个词来形容华卓精科，那就是高技术、稀缺性及确定性，也正因为其所处行业技术构造复杂，对技术及资金要求极高，企业要及时关注技术泄密风险、行业波动风险和国际宏观环境恶化所带来的风险。（校对/Lee）

7月21日，广东监管局披露了关于惠州市特创电子科技股份有限公司辅导备案登记受理的公示。

据披露，惠州市特创电子科技股份有限公司已于2021年07月21日在广东证监局办理了辅导备案登记，正在接受民生证券的上市辅导。

资料显示，惠州市特创电子科技有限公司是Glorysky集团（特创科技）旗下的一家全资子公司。Glorysky集团下设惠州市特创电子科技有限公司、深圳市创鸿电子有限公司、深圳市胜鸿快捷电路有限公司。

惠州市特创电子科技有限公司是一家生产PCB（线路板）的专业制造服务商，拥有PCB全流程的生产能力，主要产品类型覆盖HDI板、多层板、厚铜板、金属基板、高频板、高速板、LED/LCD光电板等，产品广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、LED照明、医疗电子、安防等多个领域，市场销售区域涵盖日韩、欧洲、北美、南美、东南亚等多个国家及地区。（校对/GY）

A股三大指数今日涨跌不一，沪指小幅收涨，日K线四连阳，创业板指绿盘报收。两市成交额达到1.3万亿元，行业板块涨跌互现，钢铁、芯片板块领涨，酿酒、医疗板块领跌。

半导体板块表现突出。集微网从电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封测、分销等领域选取了118家半导体公司作了统计。在118家半导体公司中，94家公司市值上涨，其中，南大光电、华兴源创、全志科技等涨幅居前；24家公司市值下跌，其中，卓胜微、韦尔股份、联创电子等跌幅居前。

对于后市大盘走向，财信证券认为，市场资金做多情绪高涨，主要聚焦在半导体、芯片、锂电池、新能源车、光伏等高景气赛道。受疫情压制的机场、旅游等表现不佳。7月中下旬，建议关注碳中和、国防军工、高业绩景气板块。此外，当前A股市场处于中报披露期，大部分标的业绩较好，短期也可关注中报业绩有望超预期的科技股和周期股。

全球动态

美股方面，道琼斯工业平均指数小幅上涨286.01点，涨幅为0.83%，报34798.0点。纳斯达克综合指数小幅上涨133.07点，涨幅为0.92%，报14631.95点。标准普尔500指数小幅上涨35.63点，涨幅为0.82%，报4358.69点。

大型中概股中，阿里巴巴涨0.23%，百度涨1.47%，网易跌0.16%，拼多多涨2.22%，微博涨1.83%，爱奇艺涨0.16%，好未来涨10.95%，新东方涨5.34%。

美国大型科技股FAANG，脸谱网涨1.34%，苹果跌0.51%，亚马逊涨0.34%，谷歌A涨1.06%，奈飞跌3.28%。

欧洲股市方面，英国富时100指数上涨1.70%，报6998点。法国CAC40指数上涨1.85%，报6464点。德国DAX指数上涨1.36%，报15423点。

亚太地区方面，截至今日收盘，日经上涨0.58%，韩国综合上涨1.07%。

个股消息/A股

多氟多——近日，多氟多在接受机构调研时表示，公司电子化学品产品包括湿电子化学品和干电子化学品两大类，规模化生产的有电子级氢氟酸和硅烷等，正在开发建设的十多个产品也将逐步走向市场。电子级氢氟酸应用于光伏、液晶面板和半导体产业等领域，目前整体产能为5万吨。

瑞丰光电——近日，瑞丰光电在接受机构调研时表示，目前公司Mini LED已经开始批量出货。也有搭载瑞丰Mini LED背光产品的终端产品面世，预计2021年下半年还会有更多搭载瑞丰Mini LED背光产品面世，随着终端产品不断推出，公司会根据客户的需求同步扩产。

富满电子——7月22日早间，富满电子宣布，公司于2021年7月21日收到深交所上市审核中心出具的《关于富满微电子集团股份有限公司申请向特定对象发行股票的审核意见告知函》，认为公司符合发行条件、上市条件和信息披露要求，后续深交所将按规定报中国证监会履行相关注册程序。

个股消息/其他

特斯拉——全球最大矿业公司必和必拓7月22日宣布，已与特斯拉达成一项镍供应协议。公开资料显示，必和必拓公司（BHP）是世界著名的大型跨国企业，总部位于澳大利亚墨尔本，该公司在全球20个国家开展业务，主要产品有铁矿石、煤、铜、铝、镍、石油、液化天然气、镁、钻石等。

英特尔——哥斯达黎加投资促进局（CINDE）周三（21日）宣布，英特尔将追加对哥斯达黎加封测厂的投资，从去年12月宣布的3.5亿美元提高逾七成至6亿美元。

小鹏汽车——小鹏汽车刚在港交所上市半个多月，巨头阿里巴巴就有大动作。港交所文件显示，截至7月21日，阿里巴巴集团对小鹏汽车港股的多头头寸从7月7日的0%增至14.97%。

集微网重磅推出集微半导体产业指数！

集微半导体产业指数，简称集微指数，是集微网为反映半导体产业在证券市场的概貌和运行状况，并为投资者跟踪半导体产业发展、使用投资工具而推出的股票指数。

集微网观察和统计了中国“芯”上市公司过去一段时间在A股的整体表现，并参考了公司的资产总额和营收规模，从118家集微网半导体企业样本库中选取了30家企业作为集微指数的成份股。

样本库涵盖了电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封装与测试、分销等半导体领域的各个方面。

截至今日收盘，集微指数收报6054.44点，涨171.2点，涨2.91%。

【每日收评】作为长期专题栏目，将持续关注中国“芯”上市公司动态，欢迎读者爆料交流！（校对/Arden）