长鑫存储公开“封装结构及用于制造封装结构的方法”专利

作者: 刘沁宇
2021-09-24 {{format_view(32609)}}
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长鑫存储公开“封装结构及用于制造封装结构的方法”专利

企查查显示,近日,长鑫存储技术有限公司(以下简称:长鑫存储)新增多项专利信息,其中包括“封装结构及用于制造封装结构的方法”专利。该专利申请号为CN202110620047.8 ,公开(公告)号为CN113345846A,公开(公告)日为9月3日。

图片来源:企查查

专利摘要显示,本公开是关于一种封装结构,包括基板;至少一个芯片,沿基板的厚度方向,至少一个芯片层叠设置于基板的上方且芯片的一面设置有凸块;夹层,设置于基板与芯片之间,和/或,设置于相邻的两个芯片之间;其中,夹层在基板上的正投影面积大于芯片在基板上的正投影面积。本公开中的夹层设置于基板与芯片之间,和/或,设置于相邻的两个芯片之间,夹层在基板上的正投影面积大于芯片在基板上的正投影面积,夹层与芯片之间的热膨胀系数的匹配性较好,使得芯片运行时所产生的热量可以通过夹层迅速散开,有效提升了芯片的散热效果。

(校对/若冰)

责编: 韩秀荣
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