1.【芯视野】4nm引爆安卓旗舰芯片全面战争

2.GaN在快充市场的精彩只是刚开始

3.芯华章“王炸”出手 实现国产EDA多个突破

4.投资界大佬共话2022！第三届半导体投资联盟年会火热筹备中

5.美国ITC正式对集成电路、芯片组、电子设备启动337调查

6.Digitimes：高通将新增台积电为骁龙8 Gen 1的代工厂

1.【芯视野】4nm引爆安卓旗舰芯片全面战争

当芯片工艺节点不断进展的时候，玩家却越来越少了。在代表着SoC最高水平的智能旗舰机芯片领域，只有屈指可数的几个厂商还在跟进。如果将苹果和三星排除，最有实力问鼎的就是联发科和高通这对“老冤家”了。

近日，随着采用4nm工艺的天玑9000和骁龙8 Gen1的发布，联发科和高通争夺安卓旗舰机芯片No 1的战争又全面升级。

站上同一起跑线

天玑9000和骁龙8Gen 1在两周内相继发布，都采用了目前最先进的4nm工艺，CPU也都是Arm V9的架构，为X2超大核加持的1+3+4三丛集设计，其他指标也非常接近，堪称旗鼓相当的一次对决。

仅从目前公布的参数很难对两者进行一个完全的评价，但业界认为台积电的4nm略胜三星4nm一筹，加上良率、供货的状况也相对稳定，因此天玑9000可能会有更好的性能表现。

有业内人士结合以往的表现，认为高通在GPU、ISP等方面还是会略胜一筹。

“天玑9000采用的ARM Mali内核与高通的Adreno内核相比还是有些逊色，另外在手机拍照的专业评测DXO中，联发科芯片也从没有进入前20，代表其ISP技术与高通仍有一段差距。”该人士表示。

以赛亚调研(Isaiah Research)也认为，天玑9000主要的优势在于能耗低，但在AP、GPU等系统支持方面，高通毕竟是安卓芯片市场的龙头，仍具有一定优势，因此联发科在这块的效能还需要再加强。

不过，这些差距并非是决定性的。Cinno Research资深分析师刘雨实就表示，终端厂近年来布局上游意图明显，自研图像处理芯片等屡见不鲜，一定程度上可以弥补联发科周边软硬件较弱的劣势，并且在与芯片厂的合作中获得更强的话语权。

同时，这两款产品的定位也有差别。联发科的天玑9000尚未不支持毫米波频段，该策略更符合中国市场品牌客户的需求，且价格上也更具竞争力，对于市场的感受、贴近度更高；高通则兼具毫米波、Sub-6 GHz频段，对于欧美市场则较具吸引力。

高通的骁龙8Gen 1已经获得了十多家品牌客户订单，包括OPPO、小米、vivo、荣耀、一加、摩托罗拉、努比亚、夏普、索尼等。

联发科则尚未公布天玑9000有哪些首轮客户，仅透露所有主要中国大陆品牌皆已采用，预计于今年底开始有相关营收贡献，并于明年第1季放量。而另据报道，天玑9000在北美市场的终端产品于2022年第一季就会问世。

对于联发科此次的表现，业界还是给予了很高的评价，但也指出真正的考验是在明年量产之后的实际应用。毕竟芯片表现如何，还要看与系统的融合程度，高性能芯片因为调教不好而“翻车”的事件也屡见不鲜。

高通此前表示，衡量芯片能力主要取决于三个因素：制程节点、IP质量和架构，这三方面共同决定了产品能效和性能。所以，高通一直强调自己主推的不只是一个处理器，而是系统解决方案，包含API、软体、SDK等等。

当然，天玑9000的发布对于联发科本身的提升作用非常明显。有评论指出这是联发科自20nm以来首次真正处于领先节点。当台积电无法为海思代工，苹果认为N4节点还没有准备好迎接A15，高通又与三星绑定在一起时，联发科的出现及时填补了这个空缺。

以赛亚调研指出，天玑9000算是联发科第一次真正打入旗舰市场，未来可能还会有更积极的规划，并采用台积电更先进的制程，在旗舰手机上的市占率将会有一定程度的提升。

资深业内人士陈平（化名）认为，台积电的4nm会比三星的4nm良率高，的确是有机会推升联发科的市占率，但是能够拉高到多少，没人能做出精确判断，“因为从今年的12月到明年的第一季，两家公司在高端或者在旗舰级手机这一边，应该会有非常激烈的一个竞争。”

奋起直追vs防守反击

其实，联发科已经在不知不觉中完成了超越。

据调研机构 Counterpoint Research 近日发布的报告，在 5G 智能手机快速增长的推动下，全球智能手机AP/SoC出货量在2021年第2季度同比增长31%，5G智能手机出货量同比增长了近四倍。其中联发科的增速最为亮眼，以43%的份额主导智能手机 SoC 市场。

这已是联发科连续4季度登顶全球智能手机SoC市场份额第一，而且打破了以往的38%占比记录，对比去年同期更是猛增了17个百分点。

图 全球智能手机AP/SoC市场份额，Q2 2020 vs Q2 2021

Counterpoint Research分析指出，联发科的高速增长主要得益于其丰富的5G芯片组合、稳定的供应链支持，尤其是基于台积电6nm工艺的一系列新品，在中高端智能手机上均有出色的表现，并有力带动了平均单价的提升。

联发科已经形成了覆盖主流价位段手机的6nm芯片组合，包括天玑1200/1100/920/900/810等等，并维持稳定出货，加速与竞争对手甩开距离。

与台积电的良好合作，是联发科的制胜关键。从最初的天玑1000系列，到平价的800系列，自从推出5G芯片以来，正是台积电工艺的加持，使得联发科芯片获得市场青睐，并逐步扭转以往芯片性能低于高通的印象。

市场策略方面，联发科从主攻中国大陆品牌、中端与入门机种，陆续拓展到韩系品牌、高端机种，加上天玑系列的产品线布局广泛，以及台积电的强力产能应援，使得市占率明显扩大。

不过，高通虽然在在中低端市场、整体市场不敌联发科，却依然稳固旗舰级手机芯片市场占有率龙头地位，且正凭台积电6nm制程5G应用处理器大量出货，缩短与联发科差距。

根据CINNO Research提供的数据，在国内低端智能机市场（2,000元内）中，联发科10月市场份额增至54%，高通占比约为34%。

在国内中端智能机市场（2,000-5,000元）中，联发科10月市场份额增至35%，高通市场份额增至54%。

在国内高端市场中（5,000元以上），并未见搭载联发科芯片的手机产品，高通方面骁龙888、888Plus为主要高通SoC主要型号。

高通也是5G基带市场的王者，以55%的份额主导了市场。Counterpoint研究分析师Parv Sharma表示：“如果没有受到供应方面的限制，高通本应出货更多，因此该公司在2021年第二季度末开始寻求台积电和其他代工厂，为各种芯片进行了多样化的生产，获取了额外的产能。这让高通有了未来几个季度重新夺回份额的可能性。”

高通当初选择与三星，除了有成本方面的考量，也是因为台积电将更多产能优先分配给了苹果。因此，对于看重走量与成本的高通而言，三星成为更好的选择。

但是，如果高通如果计划在明年重新选择台积电4nm，形势又会不同。以赛亚调研认为，由于台积电先进制程的良率相较三星来得高，芯片产量相对稳定，如明年高通旗舰芯片回归台积电投片，高通的供货能力会进一步提升。此外，在供给无虞的情况下，手机厂还是偏好使用高通，因此对其稳固旗舰市场的市占率有一定帮助。

高通把策略重点放在顶级规格的产品，但也有规划与投资在中低端产品，将顶级技术下放到入门级产品，希望能让产品更常态化分布。目前除稳守住5G旗舰机型的市占率外，高通已经将产品线布局战线拉到中端机型，骁龙7、6、4系列近年来积极的布局就是明证。

决胜在3nm

在2021年旗舰机芯片市场，改进于5nm工艺的4nm工艺将继续挑战手机处理器效能极限，虽然三星声称目前3nm制程将在明年上半年量产，但预估将由自家的Exynos处理器采用，所以高通、联发科的旗舰SoC之争会愈发激烈。

搭载骁龙8Gen 1的5G手机将于年底亮相，采用天玑9000的手机预计明年一季度，而搭载台积电4nm制程的高通骁龙8Gen 1+处理器可能在2022下半年亮相。

对于高通推出升级版旗舰芯片，徐平说这是过去两三年间的常规做法，“从每个年底的骁龙系列首发之后，隔年的六月或七月会有一款升级版处理器推出。”

“我想这么做主要就是因应中国市场客户的需求，他们会针对一些订制系列，或者说比较特规系列产品，使用到这个plus版本。”他补充道。

据徐平判断，联发科不会再推出升级版处理器，将用天玑9000抗衡高通的两款芯片。不过据业内消息，联发科将会很快推出新的中端产品天玑7000。该产品将是天玑1200的迭代产品，除了升级5nm工艺，还采用了ARM新架构，性能位于骁龙870与骁龙888之间。

双方争夺的主战场还将集中在5G上，因为4G芯片已经利润微薄，但是联发科还会继续跟进4G市场，“联发科在整体市占率（4G+5G）上，应该还是会赢过高通一些。”徐平说。

以赛亚调研指出，看到海外4G市场仍强劲，联发科如可以维持明年4G芯片的出货目标，仍可以稳站4G市场的龙头。与之相对，逐渐淡出4G市场是高通本身的策略考量，随着手机世代转换，高通会将重点放在5G市场，以赚取比较高的利润跟ASP。

对于两强来说，有一个重要因素会左右未来战局走向，那就是产能。据徐平观察，联发科的4G处理器，在12nm制程上就可能会比较吃紧。

在最紧要的4nm产能上，高通面对的风险可能会较低，因为有三星跟台积电两方的产能做保障。这是否意味着，只选择台积电4nm工艺的联发科，会遭遇产能受限的问题？

徐平不这样认为：“三家公司（联发科、高通、苹果）的产能基本上也都已经谈定，台积电应该是会优先把最多的4nm产能供给苹果，联发科应该拿到也是不少。”

以赛亚调研也持类似观点，因为台积电4/5nm明年也有相对应的扩产计划，预计明年底会达到140~150K/m的产能，等于是有一定的产能会扩增给高通跟联发科，确保订单需求得以被满足。

如果这些判断都成立，双方大体上会在明年维持一种均势的局面，直到后年的3nm工艺量产。毕竟，4nm只是3nm成熟之前的一个过渡。

按照台积电和三星的说法，3nm将是一个性能大幅领先且长寿的工艺节点。所以，真正的决胜也许还要等到3nm时代的降临。(校对/Andrew )

2.GaN在快充市场的精彩只是刚开始

  似乎在一夜之间，GaN已经全面占领快充市场。从各大消费电子品牌到第三方配件厂商，无一不推出了采用GaN技术的快充产品。即使是最为谨慎的苹果，也为最新的笔记本配备了采用GaN技术的140W快充充电器。

能够缓解设备的充电焦虑，是GaN得以被广泛采用的重要原因，而GaN器件技术的发展，则是GaN得以在快充领域落地的充分条件。

GaN在快充市场一飞冲天

2018年10月25日，Anker发布了PowerPort Atom PD 1——全球首款GaN充电器，将GaN正式引入了消费电子领域。这款充电器支持PD快充协议，提供最高27W的输出功率，但是仅比iPhone原装的5W充电器稍大，可以为任天堂Switch或MacBook Pro充电。

直到2019年9月，OPPO发布国内首款GaN充电器SuperVOOC2.0，充电功率为65W，在这个标志性的事件之后，GaN终于正式进入了庞大且极具影响力的手机市场。而在2020年下半年，由于5G手机的竞相发布，随着移动用电设备功耗的增加，快充产品开始大行其道，更让GaN的应用如鱼得水。

这其中还有一个意外的原因，以苹果带头、三星跟进的取消标配充电器的行为，为更多第三方进入快充市场创造了机遇，间接促成了GaN的爆发。由于苹果和三星有非常强势的风向标作用，其他手机厂商纷纷跟进，迫使消费者单独购买充电器，第三方快充的需求被彻底释放。

作为下一代的技术，GaN自然是受到了各厂商的追捧。除了OPPO、realme、小米、努比亚、三星、联想、中兴等手机厂商推出的产品之外，第三方厂商也是不遗余力地跟进，市场上20W-120W GaN快充产品已多达数百款。苹果配合新款MacBook Pro笔记本发布的140W充电器，更是将GaN的市场应用推向了新高度。

根据全球着名调研机构Yole Développement的最新研报显示，2026年全球GaN功率器件的市场规模有望达到11亿美元；在2020-2026年期间，该市场的年复合增长率将达到70%，消费类市场将是其主要驱动力。

GaN为什么如此受欢迎？因为与传统主流的Si材料相比，作为第三代半导体材料，GaN具有禁带宽度大、导热率高等特性，使得器件能够承载更高的能量密度，更高的耐受温度；电子饱和速度快，具有较高的载流子迁移率，GaN器件开关速度也更快；而且GaN器件导通电阻小，能效更高。

使用GaN制作的充电器，外形尺寸可以比传统的Si基充电器减少30-50％；同时，整体系统效率可高达95％，这意味着在相同尺寸和相同输出功率的情况下，充电器外壳温度将比传统充电器更低；此外，GaN充电器可以使用较小的变压器和较小的机械散热器，因此整体重量可减少15-30％。

拥有如此多的优势，辅之以高效的USB PD协议，GaN快充产品自然是叫好又叫座了。

全集成方案促成GaN快充爆发

GaN快充充电器的爆发，从外来说是市场需求的驱动，从内来看则是GaN功率器件技术发展的必然结果。从最初的分立式解决方案发展至全集成式功率芯片，简化设计难度的同时也降低了系统成本。

全集成式功率芯片中最为经典的就是Power Integrations（以下简称PI）公司推出的InnoSwitch3系列。

InnoSwitch3在电源IC市场已经久负盛名。因为在一个小型化的表面贴装封装内集成了初级功率开关、初级和次级控制电路，以及其间相链接的安全隔离型高速链路（FluxLink），同时集成了次级 SR 驱动器和反馈电路，使得InnoSwitch3具有高集成、高效率、高可靠的优势。

PI公司将自行开发的PowiGaN开关技术整合进最新的InnoSwitch3中，取代了原先的Si基MOSFET，使其可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100W的功率输出。

之前，开发GaN 应用的主要难点在于其超高的开关速度，非常难于驱动和保护。PowiGaN技术则将GaN开关集成于IC内部以提供可靠的保护，具体来说就是将控制器、驱动器、PowiGaN开关、保护电路及SR控制集成在一个器件以内，以提供更高的效率。

将GaN开关集成进芯片中也是一个非常聪明的做法，因为GaN与Si的MOSFET在工作方式上并没有任何区别。简单的反激式电路拓扑结构、无论是采用硅晶体管还是采用PowiGaN开关的InnoSwitch3 IC均使用相同的开关电源设计流程、相同的开关频率、开关波形也极为相似、无异常的电路特性表现及增加特别的设计考量，只需根据输出功率的不同选取相应的外部电路元件，确保设计工程师能轻松掌握，保证开发的一致性和连贯性。

诸多的优势让基于GaN的InnoSwitch3发布后仅两个月的时间就达成出货100万。上文所提到的PowerPort Atom PD 1，以及OPPO Reno Ace原装65W GaN等产品都搭载了该芯片。

进入2021年，搭载PowiGaN技术的最新一代InnoSwitch4系列芯片也闪亮登场。这款芯片应用有源钳位反激架构，内置有源钳位上管驱动信号输出，通过外置的ClampZero实现有源钳位工作，将漏感能量回收，可实现高95%的转换效率。其内置坚固的750V耐压PowiGaN主开关，稳态开关频率高达140KHz，可最小化变压器体积。

InnoSwitch4-CZ/ClampZero的芯片组使设计者能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计高达110W的超高功率密度充电器，这些设计在以前是无法实现的。因此这款芯片一经推出，就被Anker用于其65W快充等产品，获得市场一致好评。

同时，在市场上也有越来越多的厂商跟进，无论是国际大厂，还是国内后期之秀，都开始推出全集成的GaN快充方案，加速推进了技术的成熟进度。

器件价格下降 市场只是刚刚起步

促成GaN在快充领域的大量应用，还有一个重要的原因就是GaN器件的价格大幅下降。在2021年初，GaN功率晶体管的重要厂商GaN Systems就宣布，其低电流，大批量GaN晶体管的价格已跌至1美元以下，这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的GaN充电器和AC适配器。

从全球着名分销商Mouser给出的数据来看，80%的在售GaN HEMT（GaN晶体管）产品为耐压650V，其2020年的平均价格约为2.73 元/A，较2019 年下降 23.5%。事实上，由于疫情影响以及需求持续旺盛，导致原材料价格上涨;下游PD快充市场爆发，GaN芯片供不应求，尽管如此，价格仍然有所下降。据统计，2020年底面向 PD快充650V的GaN HEMT 实际成交价格区间已经下落到0.5元/A以内，与Si器件的价差已经缩小到1.5倍以内，具有较强的竞争力。

也许正是预见到了GaN技术会快速成熟，在2019年半年度财报电话会议上，PI 公司CEO Balu Balakrishnan就表示，由于智能手机市场快充技术的持续扩张，USB PD将在未来几年成为公司收入增长的驱动力。

随后的市场发展也正如他所料。行业数据显示，在以电商客户为主的充电器市场，2019年GaN器件出货量约为300万-400万颗，2020年实现了5-6倍增长，总体出货1500-2000万颗，2021年GaN器件的出货量则有望达到5000万颗。

这种势头还在延续。TrendForce集邦咨询最近的研究显示，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米、OPPO、ViVO自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进，使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增高达73%。

TrendForce还表示，2020年绝大多数GaN快速充电器的峰值功率都在55-65W范围内。峰值功率为55-65W的GaN快速充电器占去年所有GaN快速充电器销量的72%（65W为主流），而峰值功率为100W及以上的GaN快速充电器仅占8%。

不过，随着苹果进入大功率市场的示范作用，越来越多的厂商也会相继推出相应的产品，以应对消费者日益增加的需求。GaN在快充市场的精彩故事，只是刚刚开始。（校对/萨米）

3.芯华章“王炸”出手 实现国产EDA多个突破

国产EDA迎来又一重要时刻！

2021年11月24日，芯华章正式向业界发布了4款极具技术门槛的验证EDA产品，以及统一底层构架的智V验证平台，包括了数字仿真穹鼎GalaxSim、形式验证穹瀚GalaxFV、智能验证穹景GalaxPSS以及原型验证桦捷HuaPro-P1。这组产品被芯华章称为EDA验证工具的“王炸组合”，对于产业来说，无疑是在近三年诸多机遇与挑战中，共同迈出了坚实的一步。

新产品发布时，除介绍新产品的产品性能、亮点及研发背景外，芯华章也结合具体的应用场景，进行了新产品的实际使用演示，全方位展示新产品的使用过程和验证效果，收获参会业界专家及产业合作伙伴们的高度认同。

高性能FPGA原型验证系统桦捷（HuaPro-P1）使用演示

芯华章董事长兼CEO王礼宾表示，这些产品是芯华章300名员工攻坚克难、精诚合作，通过自主研发，取得的突破性成果。他同时也感谢华为海思、中兴微电子、紫光展锐、天数智芯等一批国内优秀企业的合作支持。良好的产业合作生态，使芯华章的首批产品得以顺利问世。

芯华章是在2020年3月份成立的，至今不到两年的时间里，芯华章聚焦数字验证这一影响芯片成败的关键领域，吸引了来自全球各地近300位高端人才加入，全心全意投入为产业补短板。成立以来，芯华章致力解决产业痛点，凭借团队多年技术积累，在巨人肩膀上进行创新、重构，探索与融合前沿技术去打造更加适应产业需求的全新产品。此次推出如此多商用级重磅产品，堪称书写了一项新的业界记录，也是芯华章对产业需求的一次有力回应。

从底层革新 解决验证的痛点

验证已经成为芯片设计中最大的挑战，这已是业界的共识。

芯华章首席科学家T.C. Lin指出，从2000年以后，芯片设计的成本急速升高，主要问题之一就是没有一个高效率的EDA工具来支持芯片设计的复杂度。而验证就是影响整个芯片设计周期的一大瓶颈。量化验证的投入占了整个芯片设计投入的50 %以上。“即使可以将软件设计、软硬件协同验证提前，在流片后也进行验证，整个芯片设计的周期和成本依然过高过长。”T.C. Lin强调。

王礼宾总结了芯片验证环节的三大痛点：一是工具缺乏兼容性，二是数据的碎片化，三是工具缺乏创新。

首先，由于算法引擎上不能进行有效的交互与共享，工具之间无法做到互联互通、相互反馈，使得许多时候芯片研发是在重复造轮子，甚至有使用不同的工具进行验证，得到的结果并不一致。

其次，芯片的整个设计周期中会使用多个工具，每种工具都能产生验证覆盖率，但是融合共享覆盖率却迟迟难以实现。业界普遍的看法是，数字验证中的激励移植、重复编译、碎片化调试所浪费的时间占到总体验证时间的30%以上。

最后，现在的主流工具都是一二十年前的产物，积累了陈旧的技术包袱，很难和人工智能、云原生这些先进技术融合。更重要的是，这些工具在设计之初没有进行全盘考虑，无法融合成全面的解决方案。

王礼宾认为，EDA技术必须全面进阶，在底层框架上进行创新，支持多种处理器架构，支持云原生、人工智能等技术，并在方法学上有所创新。

为了攻克这个堡垒，芯华章采用了“终局思维”方式进行研发，以智能化的数字时代为长远目标，结合当前的行业需求，以人工智能、云计算等为基础，以融合化的验证系统为总体框架，对经典EDA软硬件架构和算法做创新、融合、重构，具备了更全面、更高效、更易用的特点。

统一底层框架的智能验证平台 

本次发布的智V验证平台（FusionVerify Platform），包括了逻辑仿真、形式验证、智能验证、FPGA原型验证系统和硬件仿真系统在内的五大产品系列，和智能编译、智能调试以及智能验证座舱等三大基座，对各类设计在不同场景的需求，都可以提供定制化的全面验证解决方案，带给产业更灵活、更丰富的解决方案。

同期发布的高性能FPGA原型验证系统桦捷（HuaPro-P1）、国内领先的数字仿真器穹鼎 (GalaxSim-1.0)、新一代智能验证系统穹景（GalaxPSS）、新一代智能验证系统穹景（GalaxPSS）就属于这个平台。这些产品都已达到对应领域的主流商业水平，甚至在部分性能指标上已达到国际先进水平。

中科院半导体所副研究员陈刚就表示，“利用芯华章仿真工具GalaxSim，我们在两周内就将设计调通。和其他商用仿真器对比结果显示，芯华章GalaxSim对RTL行为仿真行为正确”；天数智芯形式验证专家周孝斌也提到，“芯华章穹瀚GalaxFV采用数学方法来求解验证难题，是对仿真技术的有力补充，先进的建模方法与调度算法，在我们的rtllib模块性能实测中，性能表现优秀，对工程应用有很高的价值。”

基于事件的高精度仿真器：GalaxSim

而智V验证平台的特性可以归结为：统一的调试系统、统一的编译系统、统一的智能分割（Partition）技术、丰富的场景激励源、统一的云原生软件架构、为不同用户提供定制化的验证解决方案（Verification Solutions）。

T.C. Lin指出了智V验证平台的三大优势：第一，可以让各种工具更容易使用；第二，大幅提升工具的使用效率；第三，产生新的使用模式和解决方案。

业界普遍认为，将调试、编译、智能分割和云原生等功能进行统一，并具备统一的数据库是非常大的创新。

“我们设计这个平台基于五部分组成的基础架构，所有不同的点工具，从RTL进来后，都会经过同样的Parser，然后产生一个共通可用的设计数据库。”T.C. Lin说。

他特别强调智V验证平台的综合技术，“这个RTL综合是专门为验证而设计，具备了非常快速的综合能力，可以支持超大型的设计，可以支持有效的debug，这些都是在验证上面非常重要的因素。”智V验证平台支持新的使用模式，如“硬件仿真系统和逻辑仿真的互动模式”，这些限于以往工具的数据碎片化和API接口互不开放而不能实现。

“智V验证平台的设计从第一天就注意到这些问题”，T.C. Lin表示，“不管是SA（simulation acceleration，仿真加速）或TBA（Transaction based acceleration，事务级验证加速），我们会透过统一数据库，透过底层引擎之间的资源互通来达到更高的效率。”

芯华章还非常重视云技术的应用，“基于FusionVerify Platform这个平台，我们把验证工具放上云，通过平台及云原生的技术，我们可以统一云资源的调度界面和使用，这样整体可以达到较高的资源利用及资源调动的灵活性。”T.C. Lin说。

他总结道，“FusionVerify Platform平台的基于统一的技术底座，让工具更容易使用，让效率更高，并且不同的工具可以通过互动来产生新的功能。”

攻坚克难 走出国产EDA发展的创新之路

选择去攻克验证工具，是芯华章自己的选择，也是时代所赋予的责任。

正如芯华章研发副总裁齐正华所言，整个EDA的工具链条非常长，国内在EDA的布局方面，数字验证一直是空白，“作为国之重器，自主创新是必经之路。”

但是，验证是国内EDA行业的短板，也是众多国际巨头环伺的战场，芯华章实际上走了一条非常有挑战性的道路。

芯华章科技研发副总裁陈兰兵表示，“我们瞄准的是国际领先的技术，并且是自主创新，提供的也不是单一的产品，而是完善的平台与完整的解决方案。”

在芯华章与客户的早期沟通中，意识到不能只做单点工具，而是要建立一个完整的验证EDA平台，“看似最长的路往往才是最短的路”。不过这就相当于把四五年的研发压缩到了一两年，这个过程中所面对的困难可想而知。

但芯华章的开发团队选择迎难而上。

“越是时间紧迫的情况下，除了攻克一个又一个的关键技术节点，越是要沉住气去做一些费时费力的事情，我们很多时间都是在不断打磨，每一次打磨都是痛并快乐着的经历。”陈兰兵回忆道。

在有效的团队分工、与战略客户深度合作的基础上，通过敏捷开发、持续集成等先进软件开发流程，整个产品开发过程高效而有序。并且，芯华章的开发团队还融合了AI、云计算等先进的算法和高效的软件开发框架，极大加快了产品开发进度。

最为关键的是，心怀相同的理想，越来越多的行业精英汇聚到芯华章旗下，首席科学家T.C. Lin、EDA与算法专家YT Lin、系统设计EDA专家颜体俨、硬件验证专家陈兰兵、动态仿真及形式验证专家齐正华、系统验证领域的技术解决方案专家朱洪辰等一批EDA顶尖专家纷纷加盟。因此，芯华章拥有了扎根EDA行业的强大研发天团——从核心技术研发、运营和营销团队，以及验证工程团队，配置完整，核心骨干悉数来自国际领先EDA厂商，从业经验均在15年以上。

公司实力也获得了市场的高度认可，在短短数月内就完成了六轮融资，受到了红杉、高瓴、云锋、高榕、五源、中芯聚源、真格、成为、云晖等国内顶级资本的青睐。

王礼宾表示，“我们都知道，在快速壮大的发展阶段，团队必须要形成合力，具备协同作战、攻城略地的能力。在芯华章，顶尖的科学家与成熟的管理运营思维起到了很大的作用。我们目标明确，就是要填补中国数字验证领域的空白。几位业内顶尖的专家各有擅长的领域，对于技术路径非常清晰且一致，带领团队潜心自研，这对我们能够推进新产品快速研发，起到了很大的帮助。”

EDA处于芯片生态链的上游，是芯片设计过程中不可缺少的一部分。尤其是伴随着芯片设计变得越来越复杂，EDA的价值也日益提高。在国内大力发展半导体产业的过程中，促进国产EDA的成长也成为了重要的一环。在这种环境下，我们看到像芯华章这样优秀的国产EDA企业，正不断依靠自主创新，取得一系列研发成果，逐渐肩负起支撑国内集成电路产业独立自主发展的重任。

王礼宾在接受采访时也表示，“芯华章将继续在自主创新的道路上稳步前行，以技术创新为源动力，推动国产集成电路产业链发展。本周我们将首次亮相集成电路设计和自动化全球顶级盛会DAC，向世界展示中国先进的EDA研发成果。”

一家EDA企业的成功离不开人才团队、技术产品、市场生态、法律规范、资金政策五大方面的支撑。目前来看，芯华章在这五个方面都拥有极为坚实的发展地基，也将在蓬勃的产业新生力量中持续领先。（校对/萨米）

4.投资界大佬共话2022！第三届半导体投资联盟年会火热筹备中

2021年可谓是我国半导体行业“魔幻”的一年，一方面，缺芯、缺产能成为了新常态；另一方面，国产替代呼声日益高涨，本土企业迎来了长足的发展。适逢深入实施“十四五”规划的关键之年，我国半导体产业将再续黄金时代。

面对新时代、新形势、新使命，2022半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼将于2021年12月在北京拉开帷幕。

2022年半导体行业关键词是什么？是产能瓶颈和布局、产能空前紧张危机还是产业链？2022年中国半导体投资机会有哪些？VR/AR、汽车电子抑或是节能降碳？

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半导体投资联盟年会是半导体投资联盟与爱集微共同倾力打造的年度行业尾牙，致力于打造中国半导体领域高端的行业闭门沙龙、顶级的人脉圈。首届年会于2020年1月在北京召开，汇集了逾250名行业知名公司董事长/CEO及投资机构合伙人，获得了业界的广泛关注与好评。第二届年会于2021年1月隆重召开，再次收获了“满堂彩”。

本届年会将在深化总结2021年度半导体投资联盟年会的基础上，以“砥砺匠心，集硅铸金”为主题，聚集中国半导体行业优质朋友圈，围绕半导体技术与发展、行业投资等多个时下热门话题，展开多方位对话、对接、交流和合作，持续推进中国半导体产业发展。

值得一提的是，受人瞩目的“中国IC风云榜”颁奖典礼也将同期举行。在前两届取得巨大成功的基础上，今年的中国IC风云榜迎来了重磅升级！首先是奖项升级，在去年7大奖项的基础上，扩展赛道，最终形成15大奖项，总有一款适合您；其次是评委阵容，今年将邀请半导体投资联盟超100家会员单位及400余位半导体行业CEO共同组成庞大的评委阵容，本着公平、客观的原则进行案例推荐和评审工作。

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5.美国ITC正式对集成电路、芯片组、电子设备启动337调查

据中国贸易救济信息网消息显示，2021年12月1日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定集成电路、芯片组、电子设备及其下游产品启动337调查（调查编码：337-TA-1287）。

据了解，2021年11月1日，NXP Semiconductors N.V. of Eindhoven, Netherlands、NXP USA,Inc. of Austin, Texas向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品侵犯了其专利权（美国注册专利号7,593,202、8,482,136、8,558,591、9,729,214、10,904,058），请求美国ITC发布有限排除令、禁止令。

MediaTek Inc. of Hsinchu City, Taiwan、MediaTek USA Inc. of San Jose, CA、美国Amazon.com, Inc., of Seattle WA、Belkin International, Inc., of Playa Vista, CA、美国Linksys USA, Inc., of Irvine, CA为列名被告。

337调查是指美国国际贸易委员会根据美国《1930年关税法》第337节（简称“337条款”），对不公平的进口行为进行调查，并采取制裁措施的做法。如果进口产品侵犯了美国有效的知识产权，该知识产权权利人（无论其是美国企业还是外国企业）可以向ITC提起337调查申请，并要求ITC采取相关救济措施。

6.Digitimes：高通将新增台积电为骁龙8 Gen 1的代工厂

据Digitimes报道，由于三星 4nm 工艺的制造良率较低，高通公司未来可能会把台积电纳为旗舰SoC的代工厂之一。

Digitimes表示，高通刚刚推出的骁龙 8 Gen 1采用了三星最新的 4nm 工艺，但有消息人士透露，三星仍在提高其 4nm工艺制造良率，目前估计只有30%，而低良率可能会影响高通最新旗舰智能手机SoC的出货量。

消息人士称，与高通使用三星 5nm 工艺技术构建的 Snapdragon 888 SoC相关的功耗问题曾经让高通将高端芯片部分订单转回台积电，但目前包括苹果和联发科在内的竞争对手已经为各自的旗舰智能手机 SoC 系列预定了台积电大部分可用的 5nm 和 4nm 工艺产能。

虽然如此，但其仍然预计高通将在 2022 年大幅提高其在台积电的晶圆开工率，而英特尔被认为是高通另一个潜在合作伙伴，消息人士补充表示，高通打算减少对单一代工厂的依赖。

根据Digitimes Research报道，高通将扩大在台积电的晶圆开工规模，不仅用于其骁龙8系列移动SoC，还用于2022年的7和6系列，届时这家中国台湾地区代工厂将负责高通总移动SoC产量的65%。