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传SK海力士为改善影像画质开发3D CIS

来源:爱集微

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2017-06-07

集微网消息,据台湾电子时报报道,有消息称,SK海力士(SK Hynix)为了加强CMOS影像传感器(CIS)的技术竞争力,从基础设计开始调整,其中一项是采用立体(3D)堆叠结构,借此改善影像画质。
 
SK海力士准备将3D NAND Flash存储器的垂直通道薄膜复晶矽(Vertical Thin Poly-Si Channel;VTPC)电晶体闸极技术,用于新一代CIS上。该技术可改善背照式(Backside Illumination)CIS的暗电流(Dark Current)问题,并且提高像素密度。
 
由于暗电流问题在体积偏小的智能手机等移动装置上较难改善,智能手机的相机像素一直局限在1600万左右。业界积极开发以相位差对焦(Phase Detection AF)或直通硅穿孔(Through Silicon Via)方式,将影像信号处理(ISP)与CIS整合在一起的堆叠技术。
 
背照式CIS比前照式(Frontside illumination)CIS的光线损失较少,但光线经过彩色滤光片往光电二极体(Photodiode)移动时,周围像素会发生漏光的干涉现象。为此,三星电子(Samsung Electronics)的ISOCELL CIS采用隔离邻近像素的前侧深槽隔离(Frontside-Deep Trench Isolation),让像素与像素之间有0.2微米距离加以解决。
 
SK海力士开发的新一代CIS将重点放在立体像素结构,让闸极成垂直排列,弥补因光电二极体面积缩小,连带使光线量也减少的缺点。
 
SK海力士把用在3D NAND Flash的VTPC电晶体闸极技术,针对CIS做最适化调整,使相同版型有更高像素密度,借此提高影像解析度,目前正在1.12微米背照式CIS进行量产测试。
 
另一方面,SK海力士准备在2017年底前完成相位差对焦技术研发,交由利川M10工厂量产1,300万像素CIS。M10工厂将使用12吋晶圆,与清州M8工厂8吋晶圆生产的一般CIS联合抢占市场。

刘洋

作者

微信:bluely2002

邮箱:liuyang@ijiwei.com

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关注半导体设计与制造 微信bluely2002 注明来意

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