南亚科看好今年DRAM 需求,加速开发10 纳米制程及 DDR5

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集微网消息,据钜亨网报道,DRAM 厂商南亚科预计,今年 DRAM 需求将稳定增长。不过供应商供货增长幅度预计有限,但5G 智能手机和数据中心不断发展,可能推高需求端增长幅度,整体产业有望健康发展。

南亚科董事长吴嘉昭指出,今年预计 DRAM 市场售价止跌回升,整体产业有望走出谷底,并迈向成长。公司将投入更多的研发资源,加速开发 10 纳米制程技术与新一代 DDR5 产品,同时规划新厂扩建,未来将以符合市场需求为目标,逐步增加产出。

对于今年运营计划,南亚科表示,10 纳米1A 制程试产线已建设完成,今年将持续致力于产品试产及良率提升, 8Gb DDR4 预计下半年开始送样认证及小量生产;同时下一代 DDR5正在设计开发,预计下半年开始试产。此外,今年也将同步加速 1B 制程技术及产品开发时程,预计第三季开始试产首颗产品。 

为满足市场要求及公司长远发展,南亚科已规划兴建一座12英寸先进晶圆新厂,新厂将采用其自主研发的10纳米制程技术,并规划设立EUV极紫外光刻生产线,月产能约为4.5万片晶圆,最快将于今年底动工,目标在2023年完工试产。据悉,为因应 1A 制程的量产、新厂房兴建及一般部门资本支出,南亚科今年资本支出上限预计为新台币 156 亿元(合5.56亿美元)。(校对/乐川)

责编: 朱秩磊
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