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华为公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利

来源:爱集微

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06-29 16:49

集微网消息,近日,华为技术有限公司新增多项专利信息,其中包括“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利。

图片来源:企查查

专利摘要显示,本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法,该器件包括:N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等,其中,场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区,第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径,第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。

据介绍,上述半导体器件,可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。(校对/若冰)

责编: 若冰

西农落

作者

微信:18861004828

邮箱:liuqy@lunion.com.cn

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