第三代半导体掀投资热，为何SiC基板成发展关键？

第三代半导体已成为新的兵家必争之地，中美各主要国家也纷纷出台政策来推动其发展，国内外企业也争相投入。

据科技新报报道，工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为，第三代半导体近年成为各国政府与产业界关注的热门焦点，主要有三大催化剂。

一是美国电动车大厂特斯拉抢先采用第三代半导体碳化硅（SiC），让SiC组件得以实际发挥散热性佳、提高电动车续航力等优势。

二是全球环保意识抬头，各国政府为达到碳中和、净零碳排，纷纷订定淘汰燃油车的时间表，促使车厂加速转进电动车。

三是中国大陆为吸取硅基半导体受制于人的教训，出台政策来大力支持发展第三代半导体。

有别于中国砸钱补贴的作法，杨瑞临表示，美国政府推动的基建计划中将大举建置充电桩，这将为第三代半导体中的SiC创造市场。

杨瑞临进一步指出，SiC基板是第三代半导体发展最大关键。SiC 晶体管与碳化硅基 GaN 晶体管是成长性较高的两项产品，年复合成长率分别达27%及26%，都需要采用SiC 基板。

此外，SiC功率组件成本架构也是以包含长晶、切割、研磨的基板占最大比重，高达50%。

杨瑞临提到，SiC基板制造难度高，是成本高昂的主要原因。热场控制及晶种掌握相当关键，却只能依照土法炼钢，做中学、学中做。而且SiC长晶效率又比Si慢100至200倍，Si长晶约3天即可制造高度为200公分的晶棒，SiC则要7天才能长出2至5公分的晶球。此外，SiC硬且脆，切割、研磨抛光难度高，会有很多报废物。

目前科锐（Cree）是全球SiC基板龙头厂，市占率超过6成，目前我国有广运集团旗下盛新材料和稳晟材料投入SiC基板领域。

杨瑞临强调，SiC基板不仅占功率组件成本比重高，且与产品质量密切相关，SiC基板将是 SiC发展的一大关键，包括意法半导体（ST）等厂商皆积极朝上游SiC基板发展，以强化竞争力，值得大陆和台湾厂商参考。（校对/清泉）