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第三代半导体报告:政策红利,衬底破局

来源:爱集微

#行业报告#

#三代半#

#SiC#

09-02 14:24

第三代半导体材料主要分为碳化硅SiC和氮化镓GaN,在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。新能源汽车为SiC的最重要下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等,根据Yole数据,SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美金增加到2027年172亿美金,CAGR约51%。碳化硅基氮化镓外延射频器件将从2018年的6亿美金增加到2027年的34亿美金。碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金,CAGR达44%。

本文共计532字

责编: 爱集微

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