第三代半导体材料公司氮矽科技获千万级Pre-A轮融资，研发功率氮化镓晶体管及其栅极驱动

近日，36氪获悉，功率氮化镓晶体管及其栅极驱动研发公司成都氮矽科技有限公司完成千万级Pre-A轮融资，本轮融资由老股东鼎青投资追投。本轮资金将主要用于产品研发以及产品销售等方面。

氮矽科技成立于2019年，公司位于四川成都，是36氪持续关注的企业。公司主要研发基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的芯片，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化镓产品已批量出货，主要运用于快消品市场。

从2018年开始，小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo等手机品牌率先推出快速充电头，相比于传统硅材料，氮化镓芯片具有超低Rds(on)、高击穿电压、高功率、高频率、小尺寸等优势，能不断缩小PD快充头的体积、增大PD快充头的功率，备受厂家喜爱。

根据TrendForce 集邦咨询发布的 GaN 氮化镓市场调查报告显示，预计 GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元，年增长率达到 90.6%。

目前，在氮化镓(650V)芯片领域，国外已有纳微半导体、意法半导体、Gansystems等公司，国内有英诺赛科、氮矽科技、聚能创芯等公司。

从技术路线上看，国外设计公司Navitas采用的是单片集成路线，国内氮化镓IDM龙头英诺赛科走分离器件路线，氮矽科技选择在高压端（>600V）采用分离以及系统级封装集成路线，在低压端（<200V）增加单片集成选项。

氮矽科技CEO 罗鹏告诉36氪，分离式对器件设计友善，驱动形式可采用更廉价简易的阻容驱动模式摆脱驱动芯片的束缚，但对器件可靠性要求更高的工业领域，存在开关频率过低、驱动能力不足、栅极易误开启、反向续流等缺点；系统级封装集成可以有效保护栅极防止误开启，提高开关频率以适应更全面的应用环境，但超高开关损耗所引起的过温对驱动芯片在封装端的热处理上提出挑战；单片集成在拥有系统级集成优势，同时驱动芯片也使用氮化镓工艺可以保证驱动芯片的热抗击能力，但其设计难度大，成本过高。

目前，功率氮化镓最大的市场主要是快消品，在适配器、工业、汽车领域的进展却相对缓慢。罗鹏表示，这是因为“工艺、使用习惯的改变给用惯了传统硅的工程师们带来难度，同时增强型氮化镓功率器件的可靠性也被质疑。”

以提高器件的可靠性安全性为理念，氮矽科技目前已发布推出驱动芯片DX1001、传统封装功率器件产品DX6507X、DX6510X、DX6515X、先进封装功率器件产品DX6507E、DX6510E、先进封装合封产品DX6521E等多样化产品以供客户选择。其中，DX6510E（PDDFN4*4）是目前全球最小的650V氮化镓芯片，被ASPENCORE评选为2021年度最佳新材料器件奖。

此外，在氮化镓栅极驱动领域，氮矽科技完成了100V功率氮化镓半桥驱动芯片的流片测试，并将于2021年Q3发布；在晶体管与驱动集成领域，氮矽科技将于8月底发布氮化镓晶体管与其驱动芯片的合封产品，同时完成了低压氮化镓单片集成芯片的研发与流片。

在市场与销售端，氮矽科技的功率氮化镓产品DX6510X和DX6515X已批量出货。氮矽科技CEO 罗鹏告诉36氪，氮矽科技是Navitas、英诺赛科后，又一家大批量出货增强型氮化镓功率器件的厂商 。

在商业模式上，由于氮化镓才处于起步阶段，客户对这种产品了解较少，氮矽科技通过为客户提供整体解决方案的方式方便客户的使用。

在营收上，罗鹏表示，目前公司的对外销售刚刚起步，营收在每月十几万左右，将谨慎通过客户端反馈情况与自身的产能爬坡后逐步扩大销售。

产能方面，氮矽科技的代工厂即将建设一个月产能6000~10000片的工厂，氮矽科技的产能是有保障的。

在团队成员方面，氮矽科技董事长罗鹏是德国勃兰登堡州科技大学硕士，博士。博士后就职于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所，精通氮化镓器件物理特性，有近10年第三代半导体氮化镓的研发工作经验。目前公司共有十数人。