• 收藏

  • 点赞

  • 评论

  • 微信扫一扫分享

集微咨询:国内外SiC衬底发展现状浅析

来源:爱集微

#集微咨询#

#SiC衬底#

2天前

集微咨询(JW insights)认为:

- SiC产业链分为上中下游三个环节:上游包括衬底和外延片的制备;中游环节包括芯片、器件或模块的设计、制造和封测;下游环节则是终端应用。其中衬底的加工难度是最高的,它的价值量也是相对最大的,价值量占比中大概衬底会占到一半左右。

- 全球范围内看,半绝缘衬底和外延由4英寸向6英寸线转移,4英寸线3-5年逐渐淘汰;导电型衬底以6英寸为主,GREE已有8英寸样品出货,未来5年将达到量产标准。

- 国内主要半绝缘衬底集中在2-4英寸,导电型衬底从4英寸向6英寸在逐步过渡,6英寸衬底开始规模化生产或者开始建设产线,2-3年内会有大量产线实现量产,8英寸导电型衬底少数企业研发成功。

第三代半导体具备的耐高压、耐高温、低损耗等特性,符合当前功率半导体器件的应用需求。在相关领域由第三代半导体材料(碳化硅、氮化镓)替换第一代硅基材料,正有望成为一种长期趋势。

其中,碳化硅因其优越的物理性能:高禁带宽度(对应高击穿电场和高功率密度)、高电导率、高热导率,将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。SiC器件/模块主要的应用领域是电力电子市场,包括轨道交通、光伏逆变器、新能源汽车以及消费类电子等。

根据 IHS Markit 数据,2019 年碳化硅(SiC)功率器件市场规模约6.1亿美元,受新能源汽车、5G技术应用的推广等领域快速崛起需求驱动,2025年碳化硅(SiC)功率器件的市场规模将达到30亿美元,年均复合增速达到30.4%。

技术方面:6英寸碳化硅衬底是主流,大尺寸是发展方向

SiC产业链分为上中下游三个环节:上游包括衬底和外延片的制备;中游环节包括芯片、器件或模块的设计、制造和封测;下游环节则是终端应用,其中衬底的难度是最高的,它的价值量也是相对最大的,价值量占比中衬底大概会占到一半左右。

与硅材料相比,以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压/高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于半导体功率器件和5G通讯等领域。

碳化硅衬底的尺寸主要有2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)等规格,与硅晶圆类似,大尺寸的晶圆也是碳化硅衬底的发展方向。

目前,国内外主要企业集中生产4英寸、6英寸SiC衬底。从4英寸到6英寸,晶体的生长是最难破解的关键技术。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,边缘浪费越小,单位芯片成本越低。

碳化硅衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类,分别外延沉积碳化硅和氮化镓后,用于功率器件和射频器件的制作。

导电型SiC衬底材料方面,作为制造SiC功率半导体器件的基材,根据 Yole Development 统计,2017年4英寸导电型SiC晶圆市场接近10万片;6英寸导通型SiC晶圆供货约1.5万片;预计到2020年,4英寸导电型SiC晶圆的市场需求保持在10万片左右,单价将降低25%;6英寸导电型SiC晶圆的市场需求将超过8万片。

半绝缘型SiC衬底方面,当前主流半绝缘衬底的产品以4英寸为主。Yole Development预计,到2020年,4英寸半绝缘衬底的市场保持在4万片,而6英寸半绝缘衬底的市场迅速提升至4-5万片;2025-2030年,4英寸半绝缘衬底逐渐退出市场,而6英寸晶圆将增长至20万片。

集微咨询(JW insights)统计,近两年,从产业链看,国内签约落地的SiC产业相关项目主要是衬底项目占比44%,而主要建设的是6英寸衬底产线。其中,规划建设的8英寸产线相对比4英寸产线建设数量少。集微咨询(JW insights)认为,这是因为全球范围内看,衬底和外延由4英寸向6英寸转移,4英寸3-5年逐渐淘汰。

市场格局:国外碳化硅衬底厂商“独大”,科锐、贰陆主导

不管是导电型SiC衬底还是半绝缘型SiC衬底市场,都被美国科锐(CREE)、贰陆公司(II-VI)占据主导地位。

导电型SiC衬底厂商主要有美国科锐(CREE)、贰陆公司(II-VI)、道康宁(Dow Corning),德国SiCrystal(被日本罗姆Rohm收购)等公司,国内企业天科合达、山东天岳市占率较低,天科合达招股书、Yole数据显示,科锐(CREE)占据导电型SiC衬底市场62%的份额。

但Yole Development统计,2019年天科合达的导电型碳化硅衬底的全球市场占有率为4.23%,相比2018年,说明国内在导电型SiC衬底方面一定程度上正加速缩小与国外厂商的差距。

半绝缘型SiC衬底方面,2020年美国科锐(CREE)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额,但山东天岳市占率相对来说较大。

整体来看,美国科锐(CREE)、贰陆公司(II-VI)已实现 6 英寸衬底规模化供应,已经率先成功研发及投资建设8英寸衬底产线。集微咨询(JW insights)认为,二者将早于国内企业量产8英寸衬底。

国内企业天科合达、山东天岳和同光晶体等,导电型衬底已经实现 4 英寸衬底商业化,逐步向6英寸发展,并且完成了6英寸导电性碳化硅衬底的研发。而中电科装备研制出6英寸半绝缘SiC衬底;天通股份的导电型SiC衬底处于研发阶段。

具体来看,目前,天科合达导电型碳化硅衬底产品主要以4英寸为主,6英寸尚未量产,在2020年1月天科合达启动8英寸衬底研发工作。

碳化硅衬底厂商天岳先进2015年实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的量产能力,6英寸衬底预计2023年量产。

市场方面:新能源汽车拉动,碳化硅衬底市场规模将快速增长

据CASA Research数据显示,2021年国内新能源汽车SiC功率半导体市场规模(含充电桩)约为31.2亿元,到2026年市场规模将达到193.6亿元,年均复合增长率44%。

受益新能源汽车的放量和5G建设应用的推广,碳化硅衬底材料市场规模有望实现快速增长。

根据Yole Development统计,碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美元增长到2024年的11亿美元,复合增速达44%。按照该复合增速,2027年碳化硅衬底材料市场规模将达到约33亿美元。

国内外厂商已经在抓紧全产业链布局碳化硅器件制造产线,而近期从晶圆产线建设布局来看,电动汽车所用的碳化硅功率需求因素拉动突显。

据CASA不完全统计,2020年国内投产3条6英寸SiC晶圆产线,截至2020年底,国内至少已有8条6英寸SiC晶圆制造产线(包括中试线),另有约10条SiC生产线正在建设。

8月5日,富士康旗下鸿海收购旺宏的6英寸晶圆厂,董事长刘扬伟直言,计划将该厂用于研发生产第三代半导体,特别是电动汽车所用的碳化硅功率元件。

7月27日,意法半导体宣布,制造出业界首批8英寸SiC晶圆片。据悉,SiC晶圆升级到200mm属于意法半导体正在执行的SiC衬底建新厂和内部采购SiC衬底占比超40%的生产计划。

早在2019年10月,科锐就宣布成功完成了首批200mm SiC晶圆样品的制备。据悉,科锐位于纽约Marcy的200mm SiC晶圆工厂已于2020年2月开工,预计将在2022年启用生产,将聚焦车规级产品。

集微咨询(JW insights)认为,新能源汽车市场对我国SiC产业的有效拉动成为行业各方关注焦点,国内新能源汽车SiC功率半导体市场也一定程度上引领全球SiC市场发展。

总结

集微咨询(JW insights)认为,6英寸衬底在较长时间成为主流,但国内厂商距离量产还有一定时间,应紧抓时间窗口;工艺对比国外厂商仍有较大差距,国内衬底企业生产良率尚不及科锐(CREE)等国际大厂,但是长期看大尺寸是趋势。

未来随着6英寸衬底、外延晶片等整体产业链质量提高,优化产能,8英寸产线实现规模化生产,降本效应有望显现,推进碳化硅器件和模块普及。

(校对/萨米)

责编: 爱集微

若冰

作者

微信:18823816187

邮箱:hanxr@lunion.com.cn

作者简介

关注半导体设计、制造、封测等领域的产业动向及政策趋势。

读了这篇文章的人还读了...