英唐智控获中天弘宇5项新型闪存技术相关专利授权

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集微网消息,英唐智控日前发文称,该公司已与中天弘宇集成电路有限责任公司(以下简称“中天弘宇”)签署了《专利授权许可合同》,中天弘宇将与其新型闪存技术相关的5项专利使用权授权给英唐智控及其控股子公司、参股子公司用于芯片产品开发。

英唐智控表示,《授权合同》的签署,标志着双方在新型闪存技术的产业化合作,尤其在电源管理芯片产品方面的合作得到进一步深化。

据了解,专利授权使用费总计1,000万元并将根据产品开发进展分批支付,授权使用专利的期限为十年。

英唐智控指出,本次授权专利能够解决传统NOR闪存技术中漏极源极的穿通、有效沟道长度无法缩减等问题,提高存储单元的使用寿命和编程效率的同时降低了功耗,可以满足闪存产品体积更小、研发效率更高的需求,从而降低研发生产成本。

据介绍,中天弘宇的研发团队在经过十多年的持续研究,完成了对传统NOR闪存机理和结构创新,其拥有自主知识产权的新型闪存创新技术,已被中国电子学会组办的专家委员会鉴定为:在不改变现有标准CMOS工艺的情况下突破闪存的缩微技术瓶颈,“在非易失存储领域属国际首创技术”。其新型闪存技术应用于90nmBCD工艺的电源管理芯片,突破了目前市场上电源管理芯片130-180nm的主流工艺制程水平,显示出了明显的能耗和成本优势,具有良好的产业化前景。

(校对/Yuki)

责编: 李梅
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