上海陆芯发布650V&1200V Hybrid IGBT单管系列产品，已成功导入国内OBC龙头企业

集微网报道，近日，上海陆芯电子科技有限公司推出650V & 1200V Hybrid IGBT单管系列产品(40A–75A)，面向车载充电机（OBC）、光伏逆变器、储能系统和不间断电源系统 (UPS)等应用领域。新款Hybrid系列产品结合了上海陆芯FinePitch Gen2 IGBT技术和SiC肖特基二极管的主要优点，具备优异的开关速度和极低的开关损耗，尤其适用于高频PFC电路（如图腾柱电路）和DC-DC 功率变换器等拓扑电路。

加速技术创新， 产品性能显著提升

作为一家是专业从事功率半导体设计、开发和销售的高新技术企业，上海陆芯坚持自主创新，不断提升核心竞争力。经过数年自主研发与迭代开发，上海陆芯IGBT产品性能优异，系列丰富，涵盖650V/1200V/1350V，10A-275A，单管/芯片/模块，其新一代FinePitch产品与国际领先品牌最新一代H5/F5/CS7/ET7等性能相当。

上海陆芯本次重磅发布650V & 1200V Hybrid IGBT单管系列产品，彰显了其在国内功率半导体领域领先的竞争力。

上海陆芯Hybrid IGBT系列产品，将FinePitch Gen2 IGBT与续流 SiC肖特基二极管合封在TO-247单管中，在dv/dt和di/dt保持基本不变的情况下，Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。对比常规的IGBT与硅快恢复二极管合封解决方案相比，新产品可降低多达50%的Eon和20%的Eoff，也可在输出功率保持不变情况下，提高开关频率至少40%。较高的开关频率有助于缩小功率电感、变压器的尺寸，进而降低BOM成本。Hybrid IGBT系列产品可直接替代对应电压电流的IGBT，无需重新设计，便可每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。

基于其产品特性，Hybrid IGBT系列产品可作为硅基IGBT和高性能SiC MOSFET方案之间新的选择，与硅基IGBT方案相比，Hybrid IGBT可提升器件效率、电磁兼容性和系统可靠性，同时SiC肖特基二极管能快速换流，而且不会有振荡和寄生导通的风险；与SiC MOSFET方案相比，Hybrid IGBT产品可在性能基本相当的情况下，供应链更有保障并且显著降低器件成本。

目前，国内车载充电机（OBC）龙头企业已量产导入上海陆芯Hybrid IGBT单管，用于量产 OBC产品中，提升了系统效率，优化系统性能。

市场需求驱动功率半导体行业爆发

功率半导体对于新能源汽车的发展至关重要，是驱动电动汽车和未来交通实现碳中和的基石。到2030年，预计50%以上新生产的汽车将是混合或纯电动汽车。

在市场需求驱动下，上海陆芯自2017年成立以来，始终聚焦于功率半导体的设计和应用。经过数年潜心探索，公司掌握了创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和品牌，累计获得近50项自主创新专利的授权，目前产品涵盖了多个电压段的IGBT、SGT/SJ MOSFET、SiC等功率器件，并提供细分应用领域的系统解决方案。

秉承“清洁、安全和智能”的原则，上海陆芯为新能源汽车的热管理系统（PTC、空调压缩机）、车载充电机（OBC）系统、辅驱系统和主驱系统提供众多的功率半导体解决方案。

值得一提的是，IGBT产品需要在器件设计、流片工艺、参数调教、FRD匹配、封装工艺等多个环节严格把控，才有机会通过严苛的车规级认证。上海陆芯单管产品AU40N120T1于2019年11月获得AEC-Q101认证，目前正在同步进行650V和1200V系列产品的车规级认证。

凭借产品性能优异、可靠性高、市场响应力迅速等优势，上海陆芯产品已成功导入国内多家细分行业头部企业客户。目前上海陆芯产品已广泛应用于新能源汽车领域充电桩、OBC、主驱、 辅驱、空调压缩机驱动器、PTC加热器等，几乎囊括新能源汽车所有电力变换产品。