联电抢攻8英寸第三代半导体,新机台预计下半年进驻厂区

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集微网消息,5月9日,据台媒《经济日报》报道,联电晶圆代工成熟制程订单充裕,毛利率冲高之际,布局当红的第三代半导体也再进化,主攻难度更高、经济效益更好的8英寸晶圆第三代半导体制造领域,近期大举购置新机台扩产,预计下半年进驻厂区。

图源:经济日报

报道称,法人指出,“联家军”出身的大将已在中国台湾地区第三代半导体抢下一片天。例如联电前资深副总经理徐建华退休后,转战汉磊投控,出任汉磊投控旗下汉磊与嘉晶两家公司董事长,并成功带领汉磊与嘉晶量产第三代半导体产品。

另外,联电此前第三代半导体布局,主要透过转投资联颖切入,锁定6英寸氮化镓产品,主要考量目前业界氮化镓整体解决方案提供者较少。目前,联颖正在进行技术平台建置,完成后会把平台开放给设计公司客户使用,扩大接单利益基础。

供应链则透露,联电近期扩大第三代半导体布局,自行购置蚀刻、薄膜新机台,预计下半年将进驻8英寸AB厂,瞄准8英寸晶圆生产第三代半导体的经济效益优于6英寸晶圆的方向,全力抢第三代半导体商机。对此,联电财务长刘启东回应,集团在第三代半导体的发展上,仍以联颖为主,联电则进行研发,不过确实有在合作,但细节不便透露。

业界分析,第三代半导体薄膜厚度比一般晶圆代工还厚,很容易导致晶圆弯曲,鉴于制程难度,目前业界发展第三代半导体多以6英寸为主。不过,6英寸晶圆半径是5公分,8英寸晶圆半径则是10公分,所以8英寸相对6英寸,一片可以产出的芯片量会“多出很多”,在经济效益较高的前提下,联电选择切入8英寸第三代半导体领域。(校对/隐德莱希)

责编: 武守哲
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