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三星确认解决良率问题,3nm GAA工艺本季度量产

来源:爱集微

#三星#

05-13 17:07

集微网消息,据韩媒报道,三星在第一季度财报电话会议中表示,目前已解决3nm 良率问题,3nm GAA 制程将在第二季度量产。

三星半导体代工事业部副总裁表示,预计二季度半导体代工市场仍将延续供不应求的局面,三星将继续提高先进制程良品率率,积极响应大客户需求,努力扩大供应和增加全球客户订单。此外,公司计划在第二季度完成第一代GAA工艺质量验证并在行业内首次实现量产,以确保技术领先于竞争对手。

其称,其中5nm 工艺已经进入批量生产的成熟阶段,而 4nm 芯片的产能将很快开始改善,通过改善 3nm 制程的节点开发体系,三星现在对每个开发阶段都有一个验证流程。

此外他还补充,下半年存在增长放缓、世界形势不稳定等不确定因素,但受5G占比提升、HPC需求旺盛等因素影响,预计代工供应短缺仍将持续。公司的目标是通过提高第一代GAA工艺的良率和稳定生产来扩大技术差距,实现下半年超越市场增长率的增长,同时缩短产量爬坡期,提高盈利能力,并确保更稳定的供应。

此前台媒曾报道称,三星正在努力提高其3nm GAA工艺良率,该工艺良率刚刚达到10%至20%之间,三星4nm工艺制造的良率也不尽如人意,仅为30%-35%。

市场消息人士认为,三星第一代3nm GAA工艺将首先用于三星自研芯片的制造,该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称,三星的第二代3nm工艺将为外部客户的芯片设计做好准备,预计明年开始量产。

该消息人士指出,台积电在转向GAA晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察。台积电极有可能拥有基于GAA的2nm,目标是在2025年投产。

(校对/holly)

责编: 木棉

Yuki

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