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台亚:SiC、GaN有望在明年陆续向客户送样

来源:爱集微

#台亚#

4天前

集微网消息,据钜亨网报道,6月23日,台亚召开股东会,总经理衣冠君表示,除了传感器与不可见光业务外,公司持续积极布局第三代半导体,旗下积亚半导体碳化硅(SiC)厂正持续建设中,今年也针对氮化镓(GaN)进行设备、技术投资,预计SiC、GaN功率元件产品有望在明年陆续向客户送样。

台亚表示,过去在磊晶及分离器件制造技术上已有相当深厚的基础,将扩大加强与上游IC设计公司及下游封测、产品的合作,加上公司磊晶、后段制程、封测的资源,期望成为类IDM厂,可于短时间内制作出高电子迁移率电晶体样品。

衣冠君表示,SiC方面主要由旗下积亚所布局,预计未来将会先完成小型产线生产功率元件,年产能约3000片,而台亚将负责GaN功率器件,产品将主攻充电桩市场,比SiC的元件相比有更低的功耗,未来将结合GaN与SiC,发展出高频、高效的射频器件及模组。

市场也期待台亚未来第三代半导体产品可望出给日亚化,衣冠君表示,日亚化在第三代半导体领域具备技术优势,目前主要在光电产品领域合作,公司将持续布局第三代半导体,期望最终能出货日亚化,进一步进入欧洲车厂供应链。

(校对/xiao wei)

责编: wenbiao

Aruko

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